首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   129408篇
  免费   5665篇
  国内免费   3180篇
电工技术   4297篇
技术理论   6篇
综合类   5696篇
化学工业   18252篇
金属工艺   7891篇
机械仪表   5924篇
建筑科学   6247篇
矿业工程   1872篇
能源动力   2438篇
轻工业   6670篇
水利工程   2098篇
石油天然气   2614篇
武器工业   478篇
无线电   14683篇
一般工业技术   21723篇
冶金工业   4527篇
原子能技术   738篇
自动化技术   32099篇
  2024年   256篇
  2023年   908篇
  2022年   1544篇
  2021年   2294篇
  2020年   1695篇
  2019年   1277篇
  2018年   15719篇
  2017年   14819篇
  2016年   11261篇
  2015年   2484篇
  2014年   2499篇
  2013年   3094篇
  2012年   6277篇
  2011年   12633篇
  2010年   11233篇
  2009年   8253篇
  2008年   9409篇
  2007年   10439篇
  2006年   2618篇
  2005年   3411篇
  2004年   2700篇
  2003年   2574篇
  2002年   2056篇
  2001年   1379篇
  2000年   1319篇
  1999年   1090篇
  1998年   806篇
  1997年   676篇
  1996年   670篇
  1995年   507篇
  1994年   409篇
  1993年   324篇
  1992年   273篇
  1991年   193篇
  1990年   128篇
  1989年   105篇
  1988年   98篇
  1987年   50篇
  1986年   50篇
  1968年   43篇
  1967年   33篇
  1966年   42篇
  1965年   44篇
  1960年   30篇
  1959年   36篇
  1958年   37篇
  1957年   36篇
  1956年   34篇
  1955年   63篇
  1954年   68篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
81.
利用硫酸软骨素(chondroitin sulfate,CS)在云母基底上通过浇铸法制备的自组装膜为基底,诱导草酸钙在其上的凝集生长。发现当硫酸软骨素的浓度为1.Omg/ml时在该膜体系中可形成规整的周期性草酸钙环状沉淀。这种有序的环状结构可能是耗散结构的一种具体表现形式。利用原子力显微镜(atomic forcemicroscope,AFM)和傅立叶红外光谱仪对这种结构进行了表征,实验结果显示合适浓度下形成的CS膜在一定程度上可以抑制草酸钙的凝集结晶,表明高分子基质与无机离子间强烈的相互作用对无机盐的成核结晶有显著影响,为探讨结石的形成与抑制提供了一定的实验依据。  相似文献   
82.
研究了垂直腔面发射激光器 (VCSEL)及其列阵器件的光谱特性、调制特性、高频特性及与微电子电路的兼容性 ,将 1× 16的VCSEL与CMOS专用集成电路进行多芯片组装 (MCM ) ,混合集成为 16信道VCSEL光发射功能模块 .测试过程中 ,功能模块的光电特性及其均匀性良好 ,测量的 - 3dB频带宽度大于 2GHz.  相似文献   
83.
The effect of a thin RuOx layer formed on the Ru/TiN/doped poly-Si/Si stack structure was compared with that on the RuOx/TiN/doped poly-Si/Si stack structure over the post-deposition annealing temperature ranges of 450–600°C. The Ru/TiN/poly-Si/Si contact system exhibited linear behavior at forward bias with a small increase in the total resistance up to 600°C. The RuOx/TiN/poly-Si/Si contact system exhibited nonlinear characteristics under forward bias at 450°C, which is attributed to no formation of a thin RuOx layer at the RuOx surface and porous-amorphous microstructure. In the former case, the addition of oxygen at the surface layer of the Ru film by pre-annealing leads to the formation of a thin RuOx layer and chemically strong Ru-O bonds. This results from the retardation of oxygen diffusion caused by the discontinuity of diffusion paths. In particular, the RuOx layer in a nonstoichiometric state is changed to the RuO2-crystalline phase in a stoichiometric state after post-deposition annealing; this phase can act as an oxygen-capture layer. Therefore, it appears that the electrical properties of the Ru/TiN/poly-Si/Si contact system are better than those of the RuOx/TiN/poly-Si/Si contact system.  相似文献   
84.
共面波导有限金属厚度效应的研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
用保角变换法对共面波导金属厚度效应进行了理论分析,编制了相应的计算机程序,给出了数值解,并对此进行了多元曲线拟合,导出了考虑金属厚度后的形状比k、有效介电常数、特征阻抗、损耗的闭定表达式。用此修正表达式求得特征阻抗及损耗的数值解,并与K.C.格普塔的修正值及实验测量值进行了详细比较,结果表明此修正公式与实验值相符较好。  相似文献   
85.
86.
In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5 V at 100 A/cm2 are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm2, and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm2. It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied.  相似文献   
87.
Σ-ΔA/D转换技术及仿真   总被引:1,自引:0,他引:1  
Σ-ΔA/D转换技术近年来颇受重视,因为基于该技术的A/D转换器能达到很高的分辨率(16bit以上),并另具一系列优点。本文对Σ-ΔA/D转换器的基本原理,包括过采样(Oversampling),噪声成形(NoiseShaping),以及数字抽取滤波(DigitalDecimationFiltering)等内容,均作了叙述。作者还对一个20bitΣ-Δ转换器的算法进行了计算机仿真。该转换器采用了高阶MASH噪声成形技术,而其数字抽取滤波部分则由梳状滤波器与级联的半带滤波器构成。文章中给出了仿真结果。  相似文献   
88.
本文论述了具有透明波导结构的量子阱半导体激光器及其光集成技术的其本原理及主要优点。尤其在实现高功率窄光束输出的光集成器件方面更显出其独特的优点。  相似文献   
89.
The purpose of this paper is to evaluate two methods of assessing the productivity and quality impact of Computer Aided Software Engineering (CASE) and Fourth Generation Language (4GL) technologies: (1) by the retrospective method; and (2) the cross-sectional method. Both methods involve the use of questionnaire surveys. Developers' perceptions depend on the context in which they are expressed and this includes expectations about the effectiveness of a given software product. Consequently, it is generally not reliable to base inferences about the relative merits of CASE and 4GLs on a cross-sectional comparison of two separate samples of users. The retrospective method that requires each respondent to directly compare different products is shown to be more reliable. However, there may be scope to employ cross-sectional comparisons of the findings from different samples where both sets of respondents use the same reference point for their judgements, and where numerical rather than verbal rating scales are used to measure perceptions.  相似文献   
90.
大规模数据库中的知识获取   总被引:1,自引:0,他引:1  
一、前言数据是知识的潭泉,拥有大量的数据与拥有许多有用的知识完全是两回事.为了有效地利用大量的公共数据,必须更好地理解这些数据,并从其中快速、准确地发现知识.这里所说的知识是指大量数据中存在的规律性(r egularity)或不同属性值之间所存在的[I F THEN〕规则.将所获取的知识附加于仅由事实数据(fact data)构成的传统数据库上,既可强化数据库的查询能力,又可给数据库提供推理能力,  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号