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121.
不同表面预处理对有机电致发光显示器性能的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
从生产角度研究了基板表面的预处理工艺对OLED性能的影响,分别用UVOzone、氧Plasma以及两者相结合的方式对基板进行表面处理,并按照生产工艺制作器件,从接触角、方阻以及光电特性等测试结果对各种表面处理的样品进行比较。结果表明以上处理都改善了器件性能,不同程度提高了器件的清洁度、亮度和发光效率,其中UVOzone和氧Plasma结合的方式处理效果最为显著,器件在10V时亮度达到79920cd/m2,比其他两种处理方式亮度提高约25%。  相似文献   
122.
研究了垂直腔面发射激光器 (VCSEL)及其列阵器件的光谱特性、调制特性、高频特性及与微电子电路的兼容性 ,将 1× 16的VCSEL与CMOS专用集成电路进行多芯片组装 (MCM ) ,混合集成为 16信道VCSEL光发射功能模块 .测试过程中 ,功能模块的光电特性及其均匀性良好 ,测量的 - 3dB频带宽度大于 2GHz.  相似文献   
123.
贺兰山西麓中生代构造反转及意义   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
通过对小松山断裂特征的再分析和对顺层断层特征的观察研究发现,发育于贺兰山北段西麓的小松山“推覆”构造实际上是一个滑覆构造。该区于晚侏罗世之后发生大规模构造反转,贺兰山沉积特征及玄武岩环境指示该区是一大陆裂谷斜坡,在中生代早中期并不存在大规模的东西向挤压应力环境。滑覆面之下的三叠系—中上侏罗统的褶皱变形及顺层剪切是这种滑覆引起的局部构造变形,与鄂尔多斯地块西部发育的典型的东西向逆冲形成明显对比,值得重视。   相似文献   
124.
The effect of a thin RuOx layer formed on the Ru/TiN/doped poly-Si/Si stack structure was compared with that on the RuOx/TiN/doped poly-Si/Si stack structure over the post-deposition annealing temperature ranges of 450–600°C. The Ru/TiN/poly-Si/Si contact system exhibited linear behavior at forward bias with a small increase in the total resistance up to 600°C. The RuOx/TiN/poly-Si/Si contact system exhibited nonlinear characteristics under forward bias at 450°C, which is attributed to no formation of a thin RuOx layer at the RuOx surface and porous-amorphous microstructure. In the former case, the addition of oxygen at the surface layer of the Ru film by pre-annealing leads to the formation of a thin RuOx layer and chemically strong Ru-O bonds. This results from the retardation of oxygen diffusion caused by the discontinuity of diffusion paths. In particular, the RuOx layer in a nonstoichiometric state is changed to the RuO2-crystalline phase in a stoichiometric state after post-deposition annealing; this phase can act as an oxygen-capture layer. Therefore, it appears that the electrical properties of the Ru/TiN/poly-Si/Si contact system are better than those of the RuOx/TiN/poly-Si/Si contact system.  相似文献   
125.
对己二腈工业反应器提出了两釜串联带回流的模型,通过模拟计算得出模型的级间返混系数 f=6的结论。该模型能较好地预测工业反应器中物料组分浓度变化和气、液两相的流动特性;指出了现工业反应器的鼓泡中和段体积偏小是造成己二酸浓度偏高的关键;提出了可以通过增加串连一个鼓泡预反应段的改造方案,能有效地降低己二酸的浓度,从7%降至4%左右,从而能较好地减缓腐蚀和结焦。  相似文献   
126.
This investigation retrospectively examined changes in marital satisfaction following stroke. The relationship between such changes and other pertinent factors were also examined, including severity of aphasia, knowledge of aphasia, number of months after stroke, and length of the marriage. The subjects were 40 spouses of patients with aphasia grouped according to severity of the aphasia (mild, moderate, severe). Spouses completed two different measures of marital satisfaction--the Marital Satisfaction Scale (MSS) and the Marital Comparison Level Index (MCLI). These measures were completed in both a prestroke (retrospective reporting) and a poststroke format to allow for change to be assessed. In addition, a Knowledge of Aphasia questionnaire was completed by the normal spouses to evaluate their understanding of the disorder of aphasia. There was a significant difference between prestroke and poststroke scores on both the MSS and the MCLI, indicating a lower level of satisfaction following the stroke. The amount of change between prestroke and poststroke MSS and MCLI scores was not related to either number of months poststroke or number of years married. Although there was no relationship between changes in prestroke and poststroke scores on the MCLI and Knowledge of Aphasia scores, there was a significant correlation between changes in these scores on the MSS and Knowledge of Aphasia scores. Hence, the more knowledge spouses had regarding aphasia, the less the negative impact the stroke had on marital satisfaction, as measured by the MSS. Results are discussed in terms of the interdisciplinary treatment needs of aphasic patients and the implications for future investigations.  相似文献   
127.
改性燕麦麸的保健营养功效初探   总被引:3,自引:0,他引:3  
介绍了以燕麦麸为原料,经现代食品加工技术精制而成的新型保健食品-高纤麦维素。总膳食纤维含量高达30%,可溶性膳食纤维9.56%,其中主要成分为β-葡聚糖。在高脂饲料中添加本品10%,饲喂高脂模型大鼠4周,结果:大鼠血脂TC、TG、LDL-C值显著低于对照组,HDL-C值略有提高。利用核素^67Ga直结肠通过显像观察,可显著改善肠蠕动功能,迅速通便。  相似文献   
128.
129.
In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5 V at 100 A/cm2 are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm2, and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm2. It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied.  相似文献   
130.
通过探讨、分析无缝钢管壁厚偏差产生的原因,提出了改善钢管壁厚偏差的一些措施,并结合实际生产,得出了比较满意的结果。  相似文献   
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