潜孔锤冲击作用下土体变形的有限元分析

潜孔锤冲击挤密钻进过程中周围土体的变形机理是一个高度非线性问题。针对潜孔锤在土中的面-面接触问题,运用Drucker-Prager屈服准则为判据,将土体视为DP材料,通过钻具与土之间的接触及施加冲击载荷来模拟钻进过程,从而建立了潜孔锤在土中冲击挤密钻进的有限元模型。利用非线性瞬态动力学有限元分析手段,对钻进过程中冲击力对土的作用加以研究,分析了钻具周围土体的应力、应变以及钻具与土体的摩擦情况。结果表明,在冲击载荷作用下,锥形钻头前端土体应力集中,并形成应力泡,冲击功主要用于竖向压缩土体,而水平方向的挤压作用相对较小,摩擦应力在钻头锥面附近出现峰值,是影响钻进速度的主要原因之一。     

屏蔽电泵运行中存在问题的分析与改进

对屏蔽电泵在非设计流量下工作存在较大的轴向力不平衡，造成前端轴承磨损严重进行了分析。在不降低效率的情况下，在屏蔽电泵的泵头加入平衡盘使轴向力得到平衡，并取得了满意的效果。     

静压下ZnS：Te中Te等电子陷阱的发光

研究了4块ZnS：Te薄膜样品(Te组分从0．5％到3．1％)的光致发光谱在常压下的温度特性．对于Te组分较小的2块样品观察到2个发光峰，分别来自Te1和Te2等电子陷阱；而对Te组分较大的2块样品则只观察到1个来自Te2等电子陷阱的发光．我们还研究了这些发光峰在低温1．5K下的流体静压压力行为．观察到与Te1有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多，而与Te2有关的发光峰压力系数则比带边小．根据Koster-Slater模型，价带态密度半宽随压力的增加是Te1中心有较大压力系数的主要原因，而Te1和Te2中心的不同压力行为则是由于压力对两者缺陷势增强的不同效果引起的．     

半导体晶圆制造车间层控制的内容及方法

半导体晶圆制造企业是资本密集、技术密集型产业,晶圆制造厂也是公认生产最为复杂的工厂之一。产品更新换代快、市场竞争激烈等特点使得投资者对设备产能和设备利用率高度重视。这已不仅仅是技术问题,而是生产制造过程管理的问题。本文介绍了半导体晶圆制造车间层控制的内容及方法。     

稀土混合物水溶液中囊泡的形成

依据柠檬酸的螯合作用和乙二醇的空间位阻效应，获得了稀土混合物囊泡。并利用ＩＣＰ、ＴＥＭ、ＦＳ等仪器对囊泡的性能进行了研究，最后对囊泡的形成机理进行了讨论。     

粉煤灰对碾压混凝土抗裂的影响分析

粉煤灰在混凝土中的作用举足轻重，该文主要从水泥脆性系数、弹性模量、温度、混凝土干缩及徐变等角度，分析了粉煤灰对碾压混凝土的抗裂影响。     

信息时代的大学生素质教育

信息时代的大学生素质教育是高等院校面临的一项重要任务,本文从素质教育的重要性出发,对大学生思想道德素质、科学文化素质、健康素质,以及创新精神和实践能力等有关方面的内容进行了探讨.     

彩色等离子体显示器的新进展

扼要地介绍了近年来世界上各大公司对彩色PDP的结构和驱动方法的改进 ,将现今彩色PDP的亮度、对比度和色纯度等主要性能与过去相比 ,得到明显的改善 ,达到了与高清晰度CRT相当的性能。     

TFT-AMLCD绝缘层a-SiNx∶H的制备

用等离子体化学气相沉积法(PECVD)在玻璃基板上淀积了厚度约1μm的非晶氮化硅(a-SiNx∶H)薄膜,在最佳工艺下得到薄膜的性能参数,折射率为1.8左右,光吸收系数为1.2×102～2×102cm-1,相对介电常数为7～8.4,电荷面密度为2.5×1012～3.1×1012cm-2.这种薄膜比较适合于用作薄膜晶体管-有源矩阵液晶显示器(TFT-AMLCD)的栅绝缘层.     

莫来石材料的研究现状及其应用

较详细地介绍了莫来石的性能、生产、研究现状和用途。尤其对多元复合莫来石韧性陶瓷及莫来石超细粉末的制备进行了评述,同时展望了莫来石作为高级陶瓷材料的发展前景。