基于Android系统的权限管理优化方案研究

针对目前大多数Android应用程序存在的权限滥用威胁,提出一套基于Android系统的权限管理优化方案.通过Permission Manager预先制定一套针对所有Android应用的权限配置方案,在新应用安装后Permission Manager禁止预制方案中的高危权限启动,只有通过用户授权才能使用高危权限,进而实现应用权限的安全管理.通过实验检测,该方案能在一定程度上保障应用程序的权限安全.     

基于不完备CSI的OFDMA公平资源分配算法

针对在信道状态信息不完备时,很难兼顾系统容量和公平性这一问题,通过引入公平松弛因子,提出一种公平性可调的遍历容量最大化资源分配算法。为了降低计算复杂度,在利用对偶优化方法求解拉格朗日算子过程中,提出同层循环迭代的搜索方式以代替传统的内外层循环迭代方式。通过仿真和分析表明,该算法在满足公平性的同时实现了遍历容量最大化,且计算复杂度明显降低。     

基于Hankel-SVD的非平稳超声血流成像杂波抑制技术研究

有效抑制由血管或血管周围组织时变运动引起的非平稳杂波对于提高诊断超声彩色血流成像中血流动力学参数描述的准确性有着极其重要的意义。该文基于奇异值滤波技术提出一种改进的非平稳杂波自适应抑制方法。该方法逐次利用单个慢时多普勒回波采样矢量构建Hankel矩阵,然后根据奇异值分解后得到的正交Hankel主成份所代表的频域内容,动态选取高阶Hankel主成份重构多普勒血流信号,实现非平稳杂波的有效抑制。为验证算法的有效性,分别对多普勒回波仿真模型合成数据与利用彩色超声设备(Sonix RP)采集的颈动脉血流基带回波信号进行滤波处理,然后采用滞一自相关估计法计算血流平均速度与功率并进行成像。处理结果表明,相对于传统IIR滤波方法与多项式回归滤波技术,利用该文所提算法可对高强度、非平稳杂波进行充分抑制,提高血流估计精度,此外,该算法具有空间自适应性,无需人为设定阈值参数以估计杂波空间维数,与现有基于特征分解的自适应滤波方法相比,可以有效提高组织空间高强度时变运动时血流与组织的区分能力。     

由黑体Dbb*确定峰值Dλ*以及黑体波段D△λ*--G因子的计算

介绍了G因子的概念和确定方法.常规黑体Dbb*和相对光谱响应测量结果加上黑体辐射特性数据便可计算G因子.同时介绍了波段G因子及其计算方法.     

Material Growth and Device Fabrication of GaN-Based Blue-Violet Laser Diodes

Studies on first GaN-based blue-violet laser diodes(LDs) in China mainland are reported.High quality GaN materials as well as GaN-based quantum wells laser structures are grown by metal-organic chemical vapor deposition method.The X-ray double-crystal diffraction rocking curve measurements show the fullwidth half maximum of 180″ and 185″ for (0002) symmetric reflection and (10-12) skew reflection,respectively.A room temperature mobility of 850cm2/(V·s) is obtained for a 3μm thick GaN film.Gain guided and ridge geometry waveguide laser diodes are fabricated with cleaved facet mirrors at room temperature under pulse current injection.The lasing wavelength is 405.9nm.A threshold current density of 5kA/cm2 and an output light power over 100mW are obtained for ridge geometry waveguide laser diodes.     

Ni(Zr)Si薄膜热稳定性及其肖特基势垒二极管的电学特性

提出在Ni中掺入夹层Zr的方法来提高NiSi的热稳定性．具有此结构的薄膜,600～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□．经XRD和Raman光谱分析表明,薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi2相生成．Ni(Zr)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺Zr的镍硅化物的转变温度上限提高了100℃．Ni(Zr)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650～800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.63eV,理想因子接近于1．     

金属结单电子晶体管的模型建立及实验验证

在正统理论的基础上，使用主方程法建立了金属结单电子晶体管的器件模型和算法流程．将电容、电阻和温度等参数代入器件模型得到的I-V特性曲线与实验结果吻合较好，从而验证了模型、算法以及程序流程的正确性．此外，通过详细讨论模拟与实验的三组曲线差别，得到模型使用主方程的稳态解是导致模拟与实验之间结果存在差别的主要原因，即求解含有时间的主方程将增加模拟精度；而且，指出镜像电荷引起的电势使电流随电压呈现指数增加的主要影响因素，明显偏离理论模拟的线性增加趋势．     

Capacitive Microwave MEMS Switch

A novel capacitive microwave MEMS switch with a silicon/metal/dielectric as a membrane is fabricated successfully by bonding and etching-stop process.Its principal,design,and fabricating process are described in detail.A patterned dielectric layer,Ta2O5,with dielectric constant of 24 is reached.Experiment results show this novel structure,where the switch’s dielectric layer is not prepared on the transmission line,features very low insertion loss.The insertion loss is 0.06dB at 2GHz and lower than 0.5dB in the wider range from DC up to 20GHz,especially when the transmission line metal is only 0.5μm thick.     

深亚微米pMOS器件HCI退化建模与仿真方法

研究了深亚微米pMOS器件HCI(hot carrier injeotion)退化模型.采用流函数分析方法提出一种时变栅电流物理描述,基于这一栅电流模型改进了pMOS器件的HCI退化模型,并在该模型基础上提出一种HCI退化可靠性仿真方法,用于对静态应力条件下器件的HCI退化程度进行预测.最后给出了仿真结果对比.该方法已被用于XDRT可靠性工具中进行器件HCI退化分析.     

LVDS接口终端匹配技术研究

利用传输线理论分析了LVDS的特性阻抗,将此作为终端匹配的依据,讨论了几种典型LVDS接口的匹配方案和抗噪声措施,并通过试验验证了匹配效果。