基于天线测试系统的简易扩频设计及应用

基于通用天线近远场测试系统,给出了系统扩频设计和工程应用的思路,并分别对扩频系统的本振相参、上下变频的一致性进行了论述。实现了Ka频段以下的平面近场、远场天线测量系统的扩频与应用,并给出了8单元EHF频段阵列天线在不同测试系统下的天线测试方向图。测试结果表明,经扩频的测试系统方向图测量数据与毫米波天线测试系统直接测量的结果吻合,说明扩频系统能够满足毫米波天线方向图的测试需求,并具有较高的测试精度,且设计成本较低。同时还具有一定的通用型,对天线的毫米波扩展测试具有较好的工程应用价值。     

EBG结构散射特性对天线前后比性能的影响

仿真研究mushroom形式的EBG结构,所得结果揭示了EBG结构表面波带隙与传输特性曲线阻带不一致的原因是EBG结构在表面波带隙内的某些频段上对表面波有较强的散射,并利用微带贴片天线模型进行验证,表明EBG结构的散射特性会使得贴片天线前后比恶化。通过适当调整EBG结构尺寸,在保证表面波带隙几乎不变的情况下,将较强散射频段移出带隙范围,使得在整个表面波带隙内贴片天线前后比都有较大的改善,同时保证了表面波带隙、传输特性曲线阻带和贴片天线前后比改善频段的一致性。     

吸收电容对LED电源EMI的抑制实例分析

根据LED驱动电源的认证经验,其EMC测试项目中的电源端子骚扰电压和30~300 MHz辐射骚扰场强测试项目不容易合格,而且经过整改往往会增加电源成本。以一款单端反激式LED驱动电源为例,首先,介绍了单端反激式开关电源的工作原理;然后,探讨开关管MOSFET的漏极和源极并联小容量吸收电容后对驱动电源EMI的影响。通过对比测试结果发现,吸收电容的加入对原测试不合格的LED驱动电源起到了良好的EMI抑制作用,最终使得产品符合标准要求。此方法操作简单,成本低廉,为整改工程师提供参考。     

改进的RBF文本分类算法

分析了文本分类系统的一般模型及现有技术,在应用了核主成分分析的特征降维方法进行处理后,提出了一种基于样本中心的径向基( RBF)神经网络文本分类算法,并且引入了聚类算法的核心思想,来改进误差反向传播(BP)神经网络分类算法收敛速度较慢的缺点.实验结果表明, RBF网络与BP网络相比,具有较高的运算速度和较强的非线性映射能力,在收敛速度和准确程度上也有更好的分类效果.     

一种DC/DC斜坡补偿电路的设计

本文提出了一种峰值电流模式控制的DC/DC转换器中斜率补偿电路.电路采用上斜坡补偿（补偿信号与采样信号叠加）方式.电路由采样电路、斜坡信号产生电路、叠加电路共同组成.采样电路采样电感电流信号,并生成一个带有采样信号信息的电流信号,输入到叠加电路,与斜坡信号产生电路生成的一个斜坡电流信号进行叠加,然后共同作于一个电阻之上,输出一个带有采样信号信息与斜坡补偿信息的电压信号,实现斜坡补偿.该信号与误差放大器的输出信号共同输入到PWM（脉冲宽度调制）比较器,两信号经比较后输出驱动信号,控制功率管的关断.     

可见/红外双波段阵列式滤光片设计与制作工艺研究

双波段阵列式滤光片是集成式可见,红外双波段传感器的核心部件,分别采用干涉截止滤光方法和干涉吸收滤光法设计了蓝宝石衬底上红外和可见光波段的滤光膜系,实际测量两个波段的滤光膜的平均透过率均达到90%以上.同时采用光刻、电子束蒸发镀膜和剥离工艺完成了滤光片的制作.     

MEMS移相器及其在微型通信系统中的应用

从传统移相器的构造和原理出发，进一步分析了MEMS移相器的结构、特性。结果表明，MEMS移相器具有传统移相器所无法比拟的体积小、损耗小、成本低、频带宽、易于集成等突出优点。随着高阻硅衬底在微波领域应用的扩展，MEMS移相器介质损耗大幅度降低，将能与信号处理电路一同集成于硅衬底上，便于相控阵雷达等通信系统实现微小型化。     

等离子体横向刻蚀硅的特性研究

研究了用SiO2 +Al作掩模 ,SF6 +O2 混合气体等离子体对Si的横向刻蚀 ,其结果表明 ,在SF6 +O2 等离子体气氛中 ,Al是很好的保护膜 ,可以在待悬浮器件下形成大的开孔。因此 ,预计用这种技术 ,可以在Si片上集成横向尺寸为数百微米 ,具有优良高频性能的MEMSRF/MW无源器件 ,如开关、传输线、电感和电容等。     

氮气退火对锑掺杂氧化锡薄膜近红外阻隔性能的影响

采用射频磁控溅射的方法,用96at％SnO2/4at％Sb2O3陶瓷靶在玻璃表面制备了锑掺杂氧化锡(ATO)薄膜.研究了溅射功率、压强和后退火对薄膜近红外阻隔性能的影响,并采用Uv-Vis-NIR透射光谱、霍尔效应测试仪、XRD和SEM等设备对薄膜的性能和结构进行了测试和分析.结果表明,室温沉积的ATO薄膜近红外透光率较高,但在氮气中退火后,不同溅射压强和溅射功率下沉积的ATO薄膜的近红外透光率均显著降低.在氧含量为10％、压强为1.4Pa、溅射功率为200W时,室温下沉积的ATO薄膜在氮气中500℃下退火1h后,550nm处透光率由80.9％升高至85.8％,2 000 nm处透光率由84.6％下降至23.0％.     

适用于数据通路的可编程逻辑器件FDP100K软件系统

本软件系统是适用于第一款国产可编程逻辑器件FDP100K(FDP:FPGA for Data-Path)的实用软件开发系统.该软件系统中的各模块针对FDP100K硬件结构提出新的实现算法,尤其是后端的工艺映射和布局布线两个模块.经过完整软硬件协同测试表明:该软件系统各模块功能正确,与总控模块接口正确,与硬件对应接口正确,能高效正确地实现数据通路领域电路和其他类型电路的功能.