中频反应溅射SiO2膜与直流溅射ITO膜的在线联镀

多数ITO透明导电玻璃生产线在实现SiO2膜与ITO膜在线联镀时，应用SiO2靶射频溅射沉积SiO2膜工艺和ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺，如果SiO2膜应用硅靶反应磁控溅射工艺，存在这种工艺是否可以与ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺在线联用以及如何实现联用的问题。作者对现有的生产线进行了改造设计、加工，做了大量实验、质谱分析和多项测试研究，成功地实现反应溅射SiO2膜与ITO膜在线联镀，做到SiO2镀膜室的工作状态的变化基本上不影响ITO镀膜室的工艺条件。     

虚拟专用网的体系结构及实现

提出VPN接入设备的体系结构 ,包括系统的应用模型、层次划分和内部详细结构 ,阐述实现VPN的关键技术。     

调谐质量阻尼器参数设计中的两个问题

本文以单自由度系统安装一个调谐质量阻尼器（简称TMD）为例，对抗风和抗震两类不同激励工况下TMD的参数设计问题进行了理论研究与对比分析。通过给出相对误差系数的概念，定量评价了不同的参数方法对TMD减振性能的影响程度。本文的研究为TMD的参数设计提供了理论指导。     

实施六大工程打造民生水利

我省针对十年九旱、水资源短缺、生态与环境脆弱的特点，确定了今冬明春农田水利基本建设的目标任务，明确以实施兴水战略为主线，以改善民生为目标，以创新机制为保障，全面掀起冬春农田水利基本建设新高潮。     

电源对介质阻挡放电(DBD)激发准分子(XeCl*)辐射的影响

本文对电源参数如电压幅值、频率及正负电压对介质阻挡放电激发准分子XeCl 紫外 (30 8nm)辐射的影响进行了实验研究。结果表明 ,UV辐射随电压幅度的增加而增强 ,但效率下降 ;提高频率 ,增加了放电次数 ,导致UV辐射的增强 ;此外 ,在较高的频率下 ,电压上升沿变陡 ,使得电子获得的能量主要用于原子的激发和电离。正、负电压放电的不对称源于电极结构的不对称而引起的放电过程的差异 ,负电压内电极可向放电管中馈入更多的能量 ;比较发光光谱可判断生成准分子的等离子体化学过程没有明显的差别     

电子束光刻中的辐照损伤

本文研究了电子束光刻中电子能量(10—30keV)和电荷剂量(10~(-6)—10~(-3)C·cm~(-2))对铝栅MOS电容器的损伤和低温退火(<500℃)的影响。研究电子束光刻中高能量(30keV)和高剂量(10~(-3)C·cm~(-2))电子束引起的损伤,对电子束汽相显影光刻和电子束无显影光刻是有实际意义的。实验表明,平带电压的损伤可高达十几伏,界面态密度可高达10~(12)cm~(-2)eV~(-1)以上。在一定电荷剂量下,平带电压的损伤对电子能量的变化(在一定范围内)不敏感。在一定电子能量下,界面态密度的损伤对电荷剂量的变化(在一定范围内)不敏感。低温(<500℃)退火能完全消除平带电压的损伤,但不能完全消除界面态密度的损伤。     

定量确定纤维织构轴密度分布的矢量法

本文将大幅度减少衍射极图测试数目的织构分析矢量法应用于定量确定纤维织构材料的晶粒取向分布;采用蒙特卡罗方法计算系数矩阵σ_(pn)(hkl)。对立方晶系的研究结果表明,由一张极图甚至一张不完整极图即可准确地构建纤维轴密度分布图。     

油气井射孔器用炸药及其安全性

介绍了中国和美国射孔器所用的单质和混合炸药43种.根据耐热性,射孔器可分为普通型、高温型和超高温型三类.射孔器和炸药的耐热性与其受热时间有关,最后文中叙述了射孔器的安全性能.     

水分对高碱值硫化烷基酚钙结构和清净性的影响

采用傅立叶红外光谱仪，分析了水分对清净剂高碱值硫化烷基酚钙结构组成的影响；采用热管氧化试验法和曲轴箱模拟试验法，考察了高碱值硫化烷基酚钙在加水前后清净性能的变化；采用四球试验机和高频往复试验机，分析了水分对高碱值硫化烷基酚钙润滑性能的影响。结果表明，油中的水含量对高碱值硫化烷基酚钙的水解安定性能影响较大，并且随着水含量的增加，油品的清净性能和抗磨性能变差。     

三相异步电动机运行指标的分析

利用电机学理论分析了影响电机起动转矩、起动电流、最大转矩和最小转矩的因素。