全文获取类型
收费全文 | 30560篇 |
免费 | 2761篇 |
国内免费 | 1561篇 |
专业分类
电工技术 | 1784篇 |
技术理论 | 6篇 |
综合类 | 2098篇 |
化学工业 | 5506篇 |
金属工艺 | 1799篇 |
机械仪表 | 1925篇 |
建筑科学 | 2384篇 |
矿业工程 | 911篇 |
能源动力 | 762篇 |
轻工业 | 2373篇 |
水利工程 | 580篇 |
石油天然气 | 1858篇 |
武器工业 | 189篇 |
无线电 | 3410篇 |
一般工业技术 | 3687篇 |
冶金工业 | 1487篇 |
原子能技术 | 397篇 |
自动化技术 | 3726篇 |
出版年
2024年 | 138篇 |
2023年 | 494篇 |
2022年 | 913篇 |
2021年 | 1258篇 |
2020年 | 1021篇 |
2019年 | 833篇 |
2018年 | 940篇 |
2017年 | 1072篇 |
2016年 | 941篇 |
2015年 | 1275篇 |
2014年 | 1574篇 |
2013年 | 1878篇 |
2012年 | 2184篇 |
2011年 | 2347篇 |
2010年 | 1832篇 |
2009年 | 1708篇 |
2008年 | 1733篇 |
2007年 | 1701篇 |
2006年 | 1673篇 |
2005年 | 1366篇 |
2004年 | 920篇 |
2003年 | 835篇 |
2002年 | 859篇 |
2001年 | 694篇 |
2000年 | 686篇 |
1999年 | 744篇 |
1998年 | 592篇 |
1997年 | 484篇 |
1996年 | 469篇 |
1995年 | 386篇 |
1994年 | 343篇 |
1993年 | 234篇 |
1992年 | 182篇 |
1991年 | 135篇 |
1990年 | 108篇 |
1989年 | 84篇 |
1988年 | 62篇 |
1987年 | 38篇 |
1986年 | 36篇 |
1985年 | 16篇 |
1984年 | 20篇 |
1983年 | 13篇 |
1982年 | 18篇 |
1981年 | 9篇 |
1980年 | 10篇 |
1979年 | 3篇 |
1978年 | 5篇 |
1977年 | 3篇 |
1976年 | 4篇 |
1959年 | 4篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
51.
52.
53.
无线Internet接入技术及其发展现状 总被引:1,自引:0,他引:1
无线Internet接入是无线通信技术Internet结合的产物,本首先介绍了在线Internet接入的优势,然后详细列举了目前主要的无线Internet接入技术,并给出了应用特点。最后讨论了无线Internet接入的发展现状和存在的主要问题。 相似文献
54.
BAMHL1 1 /3- 72 0 0 - 1× 3W是在总结以往充气集合式高电压并联电容器产品优点的基础上 ,为优化大容量产品结构 ,提高绝缘可靠性和设备技术经济性能而开发的项目。本文着重介绍该产品的内部结构、外壳筋板结构和混合气体绝缘等几点改进。 相似文献
55.
十二酰胺丙基二甲基羟乙基氯化铵与十二烷基硫酸钠水溶液的表面吸附和胶束形成 总被引:1,自引:0,他引:1
利用十二酰胺丙基二甲胺和氯乙醇反应 ,合成了十二酰胺丙基二甲基羟乙基氯化铵 (DDHA)阳离子表面活性剂 ,将其与十二烷基硫酸钠 (SDS)以不同摩尔比进行混合 ,测定了混合系统的表面张力 ,计算了单一系统和混合系统的饱和吸附量、分子最小截面积 ,表面层和胶束中 DDHA的摩尔分率及分子间相互作用参数 ,目视观察了混合系统的浑浊情况。结果表明 :在降低γcmc和 cmc方面 ,DDHA SDS混合系统有协同效应 ,表面层和胶束的组成与二组分配比有关 ,但是非对称的 ,等物质的量混合物中 ,DDHA在胶束和表面层中具有较大的摩尔分数。DDHA与 SDS在实验测定的各混合系统中都不出现混浊 相似文献
56.
57.
高铬锰白口铸铁的软化处理 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了 4种退火工艺对高铬锰白口铸铁组织和硬度的影响规律。结果表明 ,采用 85 0℃保温 4h ,随后于 72 0℃保温 6h退火工艺 ,硬度最低为 36~ 38HRC ,机加工性能最好。 相似文献
58.
59.
随着计算机网络的迅速发展,网络安全问题正变得日益重要。文章介绍了计算机网络系统IP层安全概况和入侵者对IP层常采用的入侵手段,以及为防止这种入侵所采取的措施。 相似文献
60.
A planar double-gate SOI MOSFET (DG-SOI) with thin channel and thick source/drain (S/D) was successfully fabricated. Using both experimental data and simulation results, the S/D asymmetric effect induced by gate misalignment was studied. For a misaligned DG-SOI, there is gate nonoverlapped region on one side and extra gate overlapped region on the other side. The nonoverlapped region introduces extra series resistance and weakly controlled channel, while the extra overlapped region introduces additional overlap capacitance and gate leakage current. We compared two cases: bottom gate shift to source side (DG/spl I.bar/S) and bottom gate shift to drain side (DG/spl I.bar/D). At the same gate misalignment value, DG/spl I.bar/S resulted in a larger drain-induced barrier lowering effect and smaller overlap capacitance at drain side than DG/spl I.bar/D. Because of reduced drain-side capacitance, the speed of three-stage ring oscillator of DG/spl I.bar/S, with 20% gate misalignment length (L/sub mis/) over gate length (L/sub g/), or L/sub mis//L/sub g/=20%, was faster than that of two-gate aligned DG-SOI. 相似文献