基于自组织抗体网络的电力变压器故障诊断

仿生生物免疫系统中抗体对抗原的高效识别和记忆机理,本文提出自组织抗体网络和抗体生成算法用于解决电力变压器故障诊断问题。自组织抗体网络中抗体类型与抗体浓度新定义的设计,优化了网络性能,只需根据样本数据设置初始抗体个数,无需人工设置任何其他参数与阈值。抗体生成算法依据抗体的类型和浓度,针对不同情况采取抗体进化、抗体合并以及抗体新生三种不同的策略,快速提取和记忆抗原特征,有效地提高了算法的效率。UCI(University of California,Irvine)标准数据集和基于油中溶解气体数据的电力变压器故障诊断试验表明,该方法能充分利用先验信息,实施有效的分类,并有很高的准确率。     

直流频率限制控制器参数多目标双层优化设计方法

异步联网方式下,送端电网转动惯量减小,频率问题突出,直流频率限制控制器(FLC)能有效改善送端电网频率特性。提出了一种直流FLC参数多目标双层优化设计方法。首先,分析了直流FLC参数对其频率调节特性的影响。在此基础上,考虑大功率阶跃扰动和连续小负荷扰动2种运行工况的特点,兼顾直流FLC的频率调节效果、动作特性以及对受端电网频率的影响程度多个目标,构建了直流FLC参数双层优化模型。然后,根据所建模型的特点采用进化算法分层递进求解优化问题,实现了对直流FLC参数的综合最优设计。最后,在MATLAB/Simulink仿真平台中搭建了2区域4机直流异步互联电网模型。仿真结果验证了所提方法不仅能够保证直流FLC对送端电网频率的有效调节,还可改善直流FLC的动作特性,缓解直流FLC对受端电网频率造成的影响。     

南方电网西电东送碳排放权初始配额分配新方法

南方电网西电东送以水电为主,具有显著的环境效益,但目前实践中对该部分的经济补偿非常有限。在南方电网西电东送中引入碳排放权交易,综合考虑南方电网各省实际情况,提出了以清洁能源发电为导向的碳排放权初始配额分配方法。根据历史碳排放量确立碳减排系数,分配初始碳排放配额,得到第1轮碳排放配额分配结果; 根据清洁能源发电装机比重,分配次轮碳排放配额; 对2015年南方4省(区)进行测算,结果与实际的环境容量较为契合,为进行碳交易提供了交易空间,有利于碳交易的开展,验证了方法的有效性。     

一种特殊用途的控制器局域网用数据总线电缆的研制

本课题任务是研制一种可用于海洋气候环境,适于多次弯曲的控制器局域网(CAN)用数据总线电缆,而且要求重量轻、外径小。采取独特的结构设计,保证在电缆特性阻抗的基础上,保证外径控制在一定的范围内,同时尽可能减小电缆的衰减指标。而且可以确保反复弯曲2000次产品不变形,性能影响最小。经测试完全满足使用要求,经装机应用后反映良好。     

基于NI数据采集卡的微悬臂梁品质因数调谐

品质因数Q是影响微悬臂梁灵敏度的一个重要物理参量,是衡量微悬臂梁振动特性的重要指标,它与微悬臂梁振动所受到的环境阻尼成反比。微悬臂梁应用于液体等大阻尼环境中时,由于阻尼作用,品质因数降低,灵敏度及分辨力会降低。因此品质因数的调制对于提高仪器检测灵敏度和分辨力具有重要意义。本文提出一种基于NI数据采集卡的微悬臂梁品质因数的数字调控方法,根据振动反馈信号来实时调控振动激励信号的振幅,以调控品质因数Q的值。实验表明,这种品质因数Q控制方法能够有效地增大品质因数Q的值。     

1000 MW超临界锅炉氧量控制及配风优化

介绍了某厂2×1000 MW超超临界机组投产后通过对传统的氧量控制及二次配风方式进行优化,大幅度降低了炉膛出口NOx排放量和风烟系统电耗。同时,还将试验所得的优化参数以函数曲线的形式应用于DCS中,实现了锅炉配风的精细化控制。     

标准电能表检定结果的测量不确定度评定

介绍标准电能表检定结果的测量不确定度评定方法,以三相四线57.7 V/5 A和三相三线100 V/5 A为例,对0.01级三相电能表标准装置检定0.05级标准电能表的各不确定度分量进行评定,得出评定结果。     

具有中性线重叠转换功能的自动转换开关电器

根据设备供电安全运行对零地电位差和三相五线制供电电源技术指标要求,分析了现有四极ATSE在自动转换过程中存在的零线腾空现象成因和危害.认为保证ATSE的N极在自动转换过程中的始终接通是解决问题的关键,并在TBBQ6系列产品基础上提出了中性线重叠转换结构.试验表明,该结构是可行的.     

基于Arduino控制的多自由度机械臂系统设计

为实现机械臂多自由度远程运动控制,设计了以开源硬件Arduino为控制模块,通过PS2遥控手柄远程控制六自由度机械臂的运动控制装置。调试结果证明,该装置机械臂可以自由搬运物品,系统整体运动灵活、协调,稳定性很好,实现了预期的功能,在工业现场及特殊场合有一定实用价值。     

Effect of Rapid Thermal Process on Oxygen Precipitates in Heavily Sb-Doped Silicon Wafer

Oxygen precipitates in heavily Sb-doped silicon after rapid thermal process (RTP) in Ar ambient were investigated by RTP at high temperature following annealing at 800 ℃ for 4 h and 1000 ℃ for 16 h. RTP temperature and cooling rates were changed from 1200 to 1260 ℃ and from 10 to 100 ℃·s-1, respectively. The experiment results show that high density of oxygen precipitates is observed in heavily Sb-doped wafer. It is found that the oxygen precipitates in heavily Sb-doped silicon are enhanced at high cooling rate.