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991.
992.
为了研究油气井厚壁套管柱的力学性能,基于统一强度理论,合理考虑中间主应力和材料拉压比的影响,推导了厚壁套管柱三轴抗拉强度的计算公式,分析了内外压比、材料的拉压比、中间主应力和径厚比等因素对不同工况下套管柱三轴抗拉强度的影响特性。研究结果表明:强度准则的选用对套管柱的三轴抗拉强度具有显著影响;材料拉压强度不等特性(SD效应)对套管柱的三轴抗拉强度也具有显著影响,当内外压比小于或等于1时,套管柱的三轴抗拉强度随材料拉压比的增大近似线性提高,当内外压比大于1时,材料SD效应的影响与外荷载有关;考虑中间主应力效应可以充分发挥材料的自承载能力和强度潜能,提高套管柱的三轴抗拉强度,具有一定的经济效益;内外压比和径厚比对套管柱的三轴抗拉强度也具有一定的影响。该文计算公式适用于具有SD效应和中间主应力效应的材料,并将多种屈服准则下套管柱三轴抗拉强度的表达式统一起来,具有广泛的适用性,可为油气井厚壁套管柱的设计提供借鉴。 相似文献
993.
994.
995.
行人重识别的目的是在多个不重叠的摄像头之间检索特定的行人. 对目前有代表性的基于深度学习的行人重识别算法进行归纳和总结, 综述不同类型的行人重识别算法的结构和特点. 首先,介绍行人重识别的概念; 其次,根据行人重识别算法的特点, 概述基于监督学习和弱监督学习的行人重识别算法,并对特征表示学习和深度度量学习2种基于监督学习的行人重识别算法进行详细讨论; 然后,介绍这一领域的经典数据集, 对有代表性的算法在这些数据集上的表现进行对比分析; 最后,展望行人重识别领域的发展方向.
相似文献996.
The increasing demands of multifunctional organic electronics require advanced organic semiconducting materials to be developed and significant improvements to be made to device performance. Thus, it is necessary to gain an in-depth understanding of the film growth process, electronic states, and dynamic structure-property relationship under realistic operation conditions, which can be obtained by in-situ/operando characterization techniques for organic devices. Here, the up-to-date developments in the in-situ/operando optical, scanning probe microscopy, and spectroscopy techniques that are employed for studies of film morphological evolution, crystal structures, semiconductor-electrolyte interface properties, and charge carrier dynamics are described and summarized. These advanced technologies leverage the traditional static characterizations into an in-situ and interactive manipulation of organic semiconducting films and devices without sacrificing the resolution, which facilitates the exploration of the intrinsic structure-property relationship of organic materials and the optimization of organic devices for advanced applications. 相似文献
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目的 建立湿法消解-电感耦合等离子体发射光谱法测定保健食品中铜、锰、铁、锌、钙、镁、钾7种常见矿物质元素的含量.方法 使用高氯酸含量较高的硝酸-高氯酸体系湿法消解样品,彻底消解保健食品中难以消解的植物油、甘油、乙二醇、二氧化钛等化合物,使用电感耦合等离子体发射光谱法配备更节省氩气的微型炬管上机测定样品.结果 在一定质量... 相似文献
998.
999.
使用8带k.p理论模型对不同Sb元素组分的InAs/GaAs1-xSbx量子点进行了模拟计算.模拟结果显示InAs/GaAs1-xSbx量子点在覆盖层中的Sb元素组分增加到14%后会使其能带结构转变为II类.在这一转变过程中,载流子的波函数显示电子基态的位置基本不变,始终坐落于量子点内,而空穴基态则在Sb元素组分为10... 相似文献
1000.