复吹转炉“留渣 双渣”脱磷工艺试验

摘要：在国内某转炉钢厂采用“留渣 双渣”工艺技术进行脱磷工艺试验。结果表明：随着转炉前期脱磷率不断升高,终点脱磷率不断提高。铁水硅含量对前期脱磷率的影响最大。根据铁水成分,在冶炼前期适当降低供氧强度、降低气固氧比、加入适量石灰及烧结矿,均有利于前期脱磷率的提高。在一倒时每吨钢液加入4~8kg石灰,不影响出钢温度,可提高一倒-终点阶段脱磷率,同时可提高终点脱磷率。从终点的控制效果可知,终点炉渣碱度应保持不小于3.0,炉渣中FeO质量分数在16%~20%,并适当降低终点出钢温度在1610~1630℃,有利于终点脱磷率的提高。通过加强熔池搅拌,促进钢渣反应趋于平衡,有利于终点磷分配比提高,从而可进一步提高终点脱磷率。     

磷对Ni3Al凝固组织的影响

磷(P)在Ni3Al中的溶解度很低，凝固过程中向剩余液体中偏聚，最终在晶界上析出富P相，凝固后期。P在剩余液体中的偏聚程度升高，降低形核率，抑制试样心部等轴晶的形成，促使试样外缘晶粒向心部延伸生长，增加柱状晶长度。P降低合金终凝温度，增如糊状区长度，阻碍液相补缩，增加形成疏松的倾向。P产生上述作用的根本原因是其降低固、液两相体积自由能差和原子跃迁穿过液／固界面的激活能。     

CORRELATION BETWEEN STACKING FAULT ENERGY AND CREEP PROPERTY OF SOLID SOLUTION STRENGTHENING SUPERALLOYS

<正> 本研究采用Dillamore等人提出的X射线织构法,测定了Ni-Cr-W-Co固溶强化型高温合金基体层错能与合金化元素Co和W含量的关系,研究了合金层错能γ与合金高温稳态蠕变速率ε_s(1000℃,39MPa)的关系.试样经1230℃,10min固溶处理后空冷,再冷轧至0.075mm,形     

快速凝固Mg94.6Zn4.8Y0.6镁合金薄带的组织与性能

采用单辊快速凝固技术制备了Mg94.6Zn4.8Y0.6合金薄带,研究了薄带的组织及性能特征。结果表明:Mg94.6Zn4.8Y0.6镁合金快速凝固薄带组织由过饱和的单相-αMg固溶体组成,沿厚度方向分为两个晶区:近辊面粗大等轴晶区和自由面细小等轴晶区。Mg94.6Zn4.8Y0.6合金快速凝固薄带的显微硬度为85.95HV,在250℃左右保温2 h的显微硬度最高,超过该温度(250~300℃)显微硬度显著下降。     

交流电量的实时检测技术及实现

针对电力参数的实时高精度检测难题，介绍了一种用于交流电量(电压、电流、有功功率、功率因数、频率等)的采用双速率同步交流采样算法的实时自动检测技术。该系统基于16位单片机，以交流电量为检测对象，通过对工频的跟踪检测和双速率同步交流采样算法，提高系统的检测精度。文中阐述了该技术的原理、硬件实现和软件设计。经过实践证明，该技术在电力系统的智能检测中有很大的应用前景。     

一种用于数控车削几何仿真的算法

利用开放式三维图形程序标准OpenGL函数库及CAD\CAM软件Pro／E，建立具有真实感的虚拟加工环境，通过对被加工零件离散化，将毛坯表面离散成三角形网格，实现数控车削加工过程的实时仿真。     

基于支持向量机的旋转机组状态趋势预示技术

本文主要介绍了支持向量机在旋转机组状态趋势预示中的运用。通过对某旋转机组的振动烈度进行预测,并将其结果与使用时间序列进行预测的结果相比较,发现使用支持向量机进行预测的结果更好。     

乙酸乙酯介质中脱氨基反应

在乙酸乙酯介质中,2,6-二氯-4-硝基苯胺(DCNA)经重氮化和还原脱氨基"一锅煮"方法合成出3,5-二氯硝基苯.乙酸乙酯不仅作两相反应的溶剂,而且也提供还原剂.反应过程中没有棕色的二氧化氮废气产生,酸耗量少,且无副产物如醚类生成.对反应中亚硝酸钠用量、硫酸浓度及用量、乙酸乙酯用量、反应温度等因素进行了研究.     

常压CVD法制备氮氧化硅薄膜沉积特性的研究

采用常压化学气相沉积方法(atmospheric pressure chemical vapor deposition,APCVD)制备了氮氧化硅(Si—O—N)薄膜,研究了影响其沉积速率和生长模式的因素。在φ(NH_3):φ(SiH_4)=20:1,基板温度为650℃的条件下,当混合气体流量小于720ml/min时,薄膜的形成主要受气体扩散过程控制;当混合气体流量大于720 ml/min时,则主要受表面气相反应过程控制;混合气体流量为720 ml/min的条件下,氮氧化硅薄膜的沉积过程主要受基板表面的气相反应过程控制,薄膜沉积厚度与沉积时间成线性关系,反应速率为常数1640 nm/min,表面活化能为283 kJ/mol。通过SEM分析发现:氮氧化硅薄膜的形成方式符合三维成核模型,即反应初期Si,N,O等原子在基板表面相遇结合在一起形成原子团,一定数量的原子团构成临界核;反应中期临界核长大为岛状结构,岛不断长大,岛与岛之间相互接合形成通道网络结构;反应后期,原子不断填补网络空洞,最后成为连续薄膜。