基于钛相变边缘传感器的超导单光子探测器特性

研究了基于钛TES的超导单光子探测器的特性,器件尺寸范围为5 μm×5 μm到20 μm×20 μm,集成光学腔体后在1 550 nm波长实测的系统探测效率最高达到72%,最佳能量分辨率为0.26 eV。在此基础上,采用二流体模型提取了基于钛TES的超导单光子探测器的特性参数（包括温度灵敏度、电流灵敏度、热容等）,并模拟计算了基于钛TES的超导单光子探测器的响应时间和能量分辨率,与实验结果完全吻合。结果表明优化探测器尺寸和临界温度,可以同时达到高探测效率和高能量分辨率,实现光子数可分辨的高性能单光子探测器。     

双线性插值图像放大并行算法的设计与实现

图像处理中对于图像放大常使用双线性插值算法,其运行的快慢直接关系到实时图像处理的速度．文中在多核计算机上设计了双线性插值并行程序,实现了图像放大的快速处理．充分利用多核技术提升多核处理器的资源利用率,缩短执行时间,发挥多核系统的优异性能．实验结果可看出,文中算法对于大规模图像放大呈现出良好的加速处理能力,表明了双线性插值多核并行算法在实时放大图像的应用中是有效及可行的．     

基于PCB图像预处理的研究及其实现

为改进印刷电路板(PCB,Printed Circuit Board)图像的质量,针对后续对PCB图像的识别率的提高,运用MATLAB语言对原始图像进行了前期处理,主要包括图像空间域的灰度变换以及图像平滑滤波来消除噪声。首先研究了噪声门限,中值滤波以及快速中值滤波方法,并且提出了一种快速加权中值滤波算法,通过MATLAB处理图像,灰度直方图以及频谱图进行对比分析,结果表明快速加权中值滤波算法解决了PCB图像对比度差,噪声大,细节模糊等方面的问题,使图像质量有了很大的改善。     

基于元学习的少样本红外空中目标分类方法

针对空中红外目标样本数目不足、细粒度分类精度低等问题,提出一种基于元学习的少样本红外空中目标分类的方法.该方法以元学习为基础,结合多尺度特征融合,在减少计算量的同时有效提取不同分类任务之间的共性,再利用微调策略实现对不同任务的分类.实验证明,此方法在提升mini-ImageNet数据集分类精度的同时可减少约70％的计算...     

俄歇复合对同质结InGaAs探测器探测率的影响

通过对InGaAs材料的俄歇(Auger)复合机制的理论分析,给出了少子寿命与材料组分、温度和载流子浓度的关系,从而得到材料参数等对InGaAs探测器的探测率影响的结果,优化材料参数和器件结构可抑制Auger复合机制,提高InGaAs探测器的探测率.     

RTD/HEMT单片集成中RTD直流参数与材料结构的关系

为了研究器件参数与材料结构的关系,设计了三种不同的GaAs基RTD材料结构。通过完全相同的器件制造工艺,研制出三种RTD器件,并测量了它们的9个直流参数。对测量结果进行了对比和分析。最后针对RTD与HEMT集成时,如何处理RTD与HEMT间的电流匹配问题提出了建议。     

非平稳信道下的鲁棒数据链优化设计综述——带限环境下的混沌传输系统

近年来,以物联网(IoT)为基础的6G的相关技术研究引起了研究单位、高校和工业界的广泛关注,其中还有一些重要的问题亟待解决。如何以较低的成本保证带限非平稳环境下数据传输的鲁棒性是一个非常重要的问题。该文介绍了一种低复杂度、低功耗的调制解调传输技术,即差分混沌键控(DCSK)调制。该文将分别描述和分析该系统在标准和非标准传输环境下的特性、优势及其改进方法。同时将提供一些基于多元DCSK(MDCSK)的新型编码调制方案来提高系统在带限环境下的传输质量,这将有助于在低功耗、低成本的网络上,特别是在非平稳信道上提升系统的鲁棒性。结果表明这些优化工作显著地改善了系统性能。之后针对非平稳信道特性系统参数的优化与自适应传输机制将成为未来研究的热点。     

ZnS纳米粒子的制备与表征

采用水热法以乙酸锌和硫化钠为原料,尿素为矿化剂制备ZnS纳米粒子。讨论了反应温度,反应时间,矿化剂浓度对ZnS纳米粒子尺寸和形貌的影响。通过XRD、TEM、UV-vis吸收光谱表征了ZnS纳米粒子的形貌、尺寸和结构。结果表明,采用尿素作为矿化剂,在较宽温度范围(120~200℃)内均能制备出分散良好、平均粒径为12nm的球形ZnS纳米粒子。     

一种智能化ARINC429通讯卡设计与实现

介绍了一种基于ARM微处理器的ARINC429航空总线通讯卡的设计方法,以实现两发四收的信息控制.该设计以LPC3250作为嵌入式微处理器,采用DEI1016/BD429芯片组构建ARINC429总线通讯系统,为航空电子系统提供了高效可靠的通信平台.     

光纤耦合器结构的红外光谱研究

为获得性能优良的熔锥型光纤耦合器．利用740FT-IR显微红外光谱仪,研究了不同制作工艺条件下耦合器中石英玻璃结构的差异。测定了在不同拉伸速度时制作的光纤耦合器,石英玻璃在650．2000cm^-1波数范围内的红外吸收光谱．观察到了石英光纤玻璃的两个特征峰,由Si-O-Si反对称伸缩振动引起的特征峰940．950cm^-1和由Si-O-Si对称伸缩振动引起的特征峰770—780cm^-1。由于工艺条件的不同,特征峰的强度和位置都发生了变化,并测量了其变化的大小。拉制速度越快,石英玻璃中Si-O-Si键的不对称伸缩振动越强．且波数的移动与光纤耦合器的性能密切相关。