Wettability of Ni-base Reactive BrazingAlloys on Alumina

The influences of the additions of Ti or / and Si on the wettability of Ni-base alloys on alumina were investigated with the sessile drop method. The interfacial chemical reaction products were analyzed by scanning etectron rnicroscope and microprobe. Their effects on the wettability and the affecting factors for them to be produced were discussed. A new Ni-base braze alloy (NiFeCr10Si15Ti) was designed for brazing alumina with the superior qualities such as low contact angle (less than 25 degrees), high work temperature (near 1073 K) and good resistance to oxidations, etc.     

利用BP神经网络实现三维物体姿态的测定

本文利用BP(Back-Propagation)人工神经网络对三维物体的姿态测定进行了研究。姿态测定一直缺少通用而实际的方法,人工神经网络由于具有强大的自组织、自适应学习能力,迅速的并行信息处理能力,可望解决这个问题。但现有BP算法存在训练慢和易陷入局部最小两个问题.本文提出的级联形式网络结构,使BP网络的训练速度大为提高,陷入局部最小的可能性大为降低。利用这种级联结构对飞机模型姿态测定,取得了较好的实验结果。     

电子产品静电放电的危害、测试及其对策(一)

随着电子产品自动化、智能化程度越来越高，静电放电对其危害也越来越严重，本文根据笔者实际工作经验及相关资料就静电放电形成机理、对电子产品的危害及静电放电敏感度测试、电路设计对策等提出一些观点和看法，供大家在实际使用中参考。     

毛细管放电激励类氖-氩离子X光激光研究

以类氖 氩离子跃迁线为例 ,应用一维的Lagrangian程序———XDCH研究了毛细管放电碰撞机制激励软X光激光的物理机制 ;对等离子体的Z 箍缩过程和 46 9nm谱线产生增益的条件进行了讨论 ;并分析了毛细管放电装置中产生软X激光的可能性。     

低温等离子体反应沉积ITO膜的研究

研究了低温等离子体条件下ITO膜的沉积过程,获得了均匀、致密的ITO膜.测量了膜的光、电特性,确定了最佳沉积条件,并对实验结果进行了定性分析.     

基于Mobile IP的WLAN/GPRS融合网络

首先比较了WLAN和GPRS两种技术的特点；接着提出了一种基于Mobile IP的支持WLAN/GPRS网络无缝漫游的融合方案，它利用WLAN网络与GPRS网络在技术上的互补性，可快速为用户提供支持无缝漫游的数据业务。此方案基于如下基本思想：尽量不对GPRS网络做任何修改，而主要通过对对WLAN网络结构进行调整来实现两者的融合。在描述此方案的主要工作流程时，包括以下方面的内容：移动接点接入/附着、WLAN到GPRS的漫游，GPRS到WLAN的漫游、WLAN网络可用性的判断、计费等。     

用于结构光分布图采集的图像帧存贮器设计

设计了一种用于结构光分布图采集的图像帧存贮器（ＲＡＭ）电路。由于预先对结构光分布进行了硬件细化处理以及大容量存贮芯片的使用，电路设计十分简单。该系统带可作为数字化仪用于各种二值图像的数字化，并可作为计算机和其它外设的输入／输出缓冲设备。     

加温拉伸条件TiCp—AlNp／Al复合材料组织与力学性能

主要研究了加温拉伸下TiCp—AlNp/Al复合材料组织与力学性能,具体探讨了温度对此复合材料屈服强度的影响,并结合不同温度拉伸断口的形貌来讨论复合材料的断裂机制;基于实验数据和电镜观察,讨论了复合材料塑性与拉伸温度的关系,分析了自生相颗粒TiC和AIN在加温拉伸的过程中强化基体的微观机制。     

微波场效应管Ⅰ—Ⅴ特性模型研究

本文对微波场效应管Ⅰ—Ⅴ特性模型进行了研究,分析比较了八种常用模型的优缺点,它可为微波电路的设计提供一个实用的参考依据.在模型参数提取中,我们采用了一种新算法,先应用一个基于主成份灵敏度分析的空间坐标变换,然后采用Levenberg-Marquardt算法进行优化拟合.实际计算表明,此法能够快速、精确地提取模型参数.     

AlGaAs湿法氧化特性实验研究

研究了AlxGa1-xAs／GaAs材料中高Al组份的AlxGa1-xAs层在400-500℃与水汽发生氧化反应的氧化特性。许多影响因素,如待氧化层厚度、组分、氧化温度、气体流量都不同程度影响氧化速率,影响到氧化物限制工艺的整体质量。实验得到AlxGa1-xAs中x值、厚度、氧化温度等因素与氧化速率有关,并发现气流量对AlxGa1-xAs层的氧化过程有重要的影响,实验测定了气流量与AlxGa1-xAs层氧化速率的关系。