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991.
992.
采用磁控溅射法制备的La0.85Sr0.15 MnO3(100nm;50nm;17nm)/TiO2(70nm)异质pn结表现出明显的整流特性,其中La0.85Sr0.5MnO3(100nm)/TiO2异质pn结所呈现的整流特性相对较好,同时发现该整流特性在很宽的测量温度范围(80~320K)内存在.通过拟合发现,所有样品都呈现很大的串联电阻,并且串联电阻对整流特性有很大的影响.变温电流电压特性曲线显示随着测量温度的降低,结电压增大,这可能是由于随着测量温度的变化导致界面电子结构的变化.应该指出的是,La0.55Sr0.15MnO3/TiO1异质pn结结电阻随温度变化曲线显示出单层LSMO所特有的金属绝缘相变特性,并且在低温测量时,结电阻随着测量温度的降低而增大,这个变化趋势也同拟合后的串联电阻变化趋势相似. 相似文献
993.
uC/OS是一个源码开放的嵌入式操作系统,从context的变化为线索,详细介绍和分析了uC/OS内核调度方法和过程,对于学习操作系统移植和设计操作系统有一定的借鉴作用。 相似文献
994.
对不同结构,即直沟道结构、冒泡结构和组合沟道结构的氢氟酸牺牲层腐蚀进行了研究.以往的牺牲层腐蚀模型和实验结果不能很好地吻合.以往的模型和实验结果的误差随着腐蚀时间的增加而增大.本文提出了一个修正模型,在修正模型中:HF的扩散系数是浓度和温度的函数;腐蚀速率常数是温度的函数;此外还考虑了腐蚀产物对腐蚀过程的影响.对于组合沟道结构,对腐蚀前端形状的描述采用了一个新的数学模型.实验结果和以往的模型以及修正模型进行了对比,结果表明修正模型能够和实验结果吻合得很好. 相似文献
995.
996.
Ming-Wen Ma Tien-Sheng Chao Chun-Jung Su Woei-Cherng Wu Kuo-Hsing Kao Tan-Fu Lei 《Electron Device Letters, IEEE》2008,29(6):592-594
In this letter, high-performance low-temperature poly-Si p-channel thin-film transistor with metal-induced lateral- crystallization (MILC) channel layer and TaN/HfO2 gate stack is demonstrated for the first time. The devices of low threshold voltage VTH ~ 0.095 V, excellent subthreshold swing S.S. ~83 mV/dec, and high field-effect mobility muFE ~ 240 cm2/V ldr s are achieved without any defect passivation methods. These significant improvements are due to the MILC channel film and the very high gate-capacitance density provided by HfO2 gate dielectric with the effective oxide thickness of 5.12 nm. 相似文献
997.
矢量控制是一种高性能的交流电机控制方法,具有控制转矩小,电流谐波成分少等优点。本文介绍了一种以TI公司的TMS320F2812为核心的基于矢量控制变频调速系统设计,描述了各硬件功能单元的组成结构和设计特点,并给出了设计方案和软硬件的设计方法。 相似文献
998.
999.
本文研究了几种不同化学结构的二茂铁衍生物对高氯酸铵燃烧的催化作用,探讨了它们的化学结构与催化效应之间的关系,给出了燃速压力曲线和热分解温度。得出结论:二茂铁衍生物催化剂分子的空间结构的对称性和取代基的电子效应是影响其催化效率的主要因素。 相似文献
1000.