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Bochkareva  N. I.  Ivanov  A. M.  Klochkov  A. V.  Kogotkov  V. S.  Rebane  Yu. T.  Virko  M. V.  Shreter  Y. G. 《Semiconductors》2015,49(6):827-835
Semiconductors - It is shown that the emission efficiency and the 1/f noise level in light-emitting diodes with InGaN/GaN quantum wells correlate with how the differential resistance of a diode...  相似文献   
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Litvyak  V. M.  Cherbunin  R. V.  Kalevich  V. K.  Kavokin  K. V. 《Semiconductors》2020,54(12):1728-1729
Semiconductors - We found bulk n-GaAs layers grown by liquid phase epitaxy to be irregularly stressed. Deformation created by this stress causes a small but detectable quadrupole splitting of...  相似文献   
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