NGC2发电机局部放电在线监测系统设计与应用

本文结合大型水电厂发电机局部放电在线监测的需要,研发了一套基于中性点耦合法的大型发电机局部放电在线监测系统,采用功能强大的计算机主流技术,与高性能模块化硬件结合而成,通过现场实测,验证了该系统的有效性。     

断路器防跳回路的应用

断路器的防跳回路可有效的防止断路器多次跳合,以保护设备和系统的安全,介绍了两种典型的防跳回路:电气防跳(串联防跳),机构防跳(并联防跳)的工作原理及优缺点.结合工作现场的实际情况对防跳回路的选用、接线方法和防跳继电器的选择问题进行详细的分析阐述.     

利用DTMF信号传输监控数据

主要讨论借助电话线路进行监控数据的远程实时传输.使用这种传输方式构建的数据传输监控系统可以作为大型远动系统的辅助系统进行实施.数据传输监控系统由被监控设备、被控端、主控端和计算机组成.被监控设备需要传输的监控数据由被控端单片机Atmega8接收,储存在E2PROM中延时发送或直接通过MT8888调制为双音多频(DTMF)信号进行发送;主控端MT8888实现数据的接收和解码,主控端的单片机Atmega8接收解码信号后,上传到计算机进行处理,其处理结果反传至被监控设备完成闭环控制.论述了系统的被控端和主控端的设计,给出了软件流程图.系统可以根据实际情况修正参数,可利用被监控端的Atmega8将控制逻辑前移,在被控端完成闭环控制.     

组合捕收剂对某石英型萤石矿的浮选试验研究（增刊）

江西某石英型萤石矿,其中大部分萤石与石英紧密连生,造成单体解离困难,从而影响矿物选别指标。化学多元素分析结果表明,矿石中CaF2品位为67.86%,SiO2、CaO、Al2O3含量较高,分别为19.04%、5.91%和3.32%。这表明矿石中脉石以石英和硅酸盐矿物为主,其他成分含量较少。本文探究了油酸钠（NaOl）和叔十二烷基硫醇（TDM）组合捕收剂对该石英型萤石矿的浮选效果,并对捕收剂进行了表面张力测定。浮选结果表明,组合捕收剂在矿浆pH为9.5,油酸钠和叔十二烷基硫醇摩尔比为8:2时,对萤石的浮选指标最好,通过1粗4精3扫全闭路浮选流程可获得CaF2品位为94.06%,回收率为99.55%的高品级萤石精矿。捕收剂的表面张力测试表明,组合捕收剂的CMC值略小于油酸钠,且在气—液界面的分子排列紧密度高于油酸钠。因此,相比于油酸钠来说,组合捕收剂可以更好的改变矿物表面的疏水能力。上述研究成果可为嵌布粒度细的石英型萤石矿的有效回收利用提供技术支持。     

基于DDS的有源相控阵天线

有源相控阵天线不仅能提高通信系统的性能,而且还能扩充其功能,所以在通信领域的应用越来越广泛.本文介绍一种没有高频移相器的8单元有源相控阵天线系统,它由平面天线阵、数字T/R组件、接收DBF和系统控制分析软件等组成.其基本原理是在发射模式下,利用直接数字合成(DDS)代替传统的高频移相器和衰减器.由于DDS的工作频率比较低,需要通过上变频到系统所需要的工作频率(2.0GHz).在发射模式下,通过控制DDS完成发射波束形成所必需的幅度、相位加权和上变频所必需的本振信号;在接收模式下,则利用DDS技术产生接收信号下变频所必需的本振信号,然后采用DBF技术形成接收波束.文中详细介绍了基于DDS的有源相控阵天线的实现方法和实验结果.通过8单元基于DDS的有源相控阵天线系统的研究,证实了DDS技术在相控阵天线中应用的显著优点和相控阵天线在通信领域具有潜在应用市场.     

电流模式N阶CCCII(±)-C低通滤波器的系统设计

提出了一种基于多输出电流控制传送器(multiple outputs current controlled conveyor II,CCCII±)的多环反馈电流模式n阶低通滤波器的系统设计方法.用该方法可产生出多种不同结构的n阶低通滤波器.所有n阶滤波器均由 个CCCII±及n个接地电容组成.面向实际电路,完成了PSpice仿真,结果表明所提出的电路方案正确有效.     

步态识别现状及发展趋势

步态识别是生物特征识别领域的一种前沿技术,鉴于远距离识别、非受控识别及难伪装性等优势,它具备推动模式识别、图像处理、诊断治疗、康复矫形等学科发展进步的巨大潜能。首先介绍了步态识别的关键技术、研究现状及常用数据集,然后分析了其应用前景,最后对步态识别的发展趋势做出判断。     

高速12位D/A转换器

介绍了高速12位D/A转换器的电路设计,采用2μm等平面高速双极工艺,研制出数据更新率≥80MHz,线性误差≤3LSB,微分非线性≤3LSB的12位D/A转换器电路.     

基于BiCMOS技术的高速数字/模拟转换器

基于BiCMOS技术，进行了高速数字/模拟转换器研究. 以并行输入类型，电流工作模式的16位D/A转换器为载体，进行了电路设计、工艺制作和测试. 在±5.0V工作电压下，测试得到转换速率≥30MSPS，建立时间为50ns，增益误差为±8% FSR，积分非线性误差为1/2 LSB，功耗为500mW.     

Data retention characteristics of MANOS-type flash memory device with different metal gates at various levels of charge injection

We investigated the impact of charge injection and metal gates (Al and Pt) on the data retention characteristics of metal–alumina–nitride–oxide–silicon (MANOS) devices for NAND flash memory application. Through the theoretical and experimental results, the highly injected charge (ΔV_TH) could cause the band bending of Al₂O₃, which reduced the tunneling distance across Al₂O₃. Thus, the dominant charge loss path is not only toward SiO₂ but also toward Al₂O₃ direction. Compared to low-metal work function (Ф_M), ONA stack with high-Ф_M showed better data retention characteristics, even if ΔV_TH is high. This could be explained by Fermi level alignment for different Ф_M, which results in the reduction of electric field across the Al₂O₃ compensated by the ΔФ_M (Ф_Pt ? Ф_Al).