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Twin screw granulation (TSG) is a new process of interest to the pharmaceutical community that can continuously wet granulate powders, doing so at lower liquid concentrations and with better product consistency than found by a high shear batch mixer. A considerable body of research has evolved over the short time since this process was introduced but generally with little comparison of results. A certain degree of confidence has been developed through these studies related to how process variables and many attributes of machinery configuration will affect granulation but some major challenges still lay ahead related to scalability, variations in the processing regimes related to degree of channel fill and the impact of wetting and granulation of complex powder formulations. This review examines the current literature for wet granulation processes studied in twin screw extrusion machinery, summarizing the influences of operational and system parameters affecting granule properties as well as strives to provide some practical observations to newly interested users of the technique.  相似文献   
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Combined photochemical arylation, “nuisance effect” (SNAr) reaction sequences have been employed in the design of small arrays for immediate deployment in medium-throughput X-ray protein–ligand structure determination. Reactions were deliberately allowed to run “out of control” in terms of selectivity; for example the ortho-arylation of 2-phenylpyridine gave five products resulting from mono- and bisarylations combined with SNAr processes. As a result, a number of crystallographic hits against NUDT7, a key peroxisomal CoA ester hydrolase, have been identified.  相似文献   
54.
The machining of metal surfaces and the application of functional coatings by means of a flexible tool (a rotating wire brush) is considered. Frictional cladding may be applied on metal-cutting machines by means of simple attachments or manual angle grinders.  相似文献   
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Litvyak  V. M.  Cherbunin  R. V.  Kalevich  V. K.  Kavokin  K. V. 《Semiconductors》2020,54(12):1728-1729
Semiconductors - We found bulk n-GaAs layers grown by liquid phase epitaxy to be irregularly stressed. Deformation created by this stress causes a small but detectable quadrupole splitting of...  相似文献   
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