InSb红外焦平面探测器的区域性过热盲元问题研究

研究了InSb红外焦平面探测器的区域性过热盲元问题.通过故障分析以及有针对性的排查对比试验,排除了封装、胶水填充和划片等因素,并将故障定位在钝化工艺前.通过对钝化前的InSb材料片表面进行X射线光电子能谱测试,发现它含有A1和As等杂质元素,存在钝化前材料表面杂质含量较多的隐患.杂质元素在PN结的耗尽区形成杂质能级,加...     

电离层垂直探测中扰动观测模式研究

电离层高频反射回波的多普勒频移观测是研究电离层扰动的一个重要方法.利用电离层垂直探测中的组合脉冲控制和回波相位测量分析方法,开发并实现了一种电离层扰动观测模式.实验观测表明,新开发的观测模式在电离层高频反射回波为窄带信号的情况下,可实时获得高精度多普勒频高图,并给出电离层扰动速度的时空变化曲线,能够满足电离层扰动观测研究的需要.     

高重频三向侧面泵浦DPL耦合系统设计

激光二极管侧面泵浦容易将大功率二极管阵列(LDA)光耦合到激光晶体中去,但耦合效率有待于进一步的提高.在已建立的二极管单bar侧面泵浦YAG晶体泵浦光场分布数值模型的基础上,进一步分析了三向侧面泵浦激光器晶体内光强的分布,并全面考虑了耦合系统相关的因素,结合实际设计出LD三向侧面泵浦耦合光学系统,最终获得了重复频率1～1 000 Hz可调,波长1.064 μm的TEMoo模的调Q窄脉冲激光输出.激光输出最大单脉冲能量为11.5 mJ,脉冲宽度为8 ns,光-光转换效率为11.7%.实验验证了该耦合系统的合理性与优越性,为高效耦合系统的进一步优化奠定了基础.     

高电源抑制比和高阶曲率补偿带隙电压基准源

基于分段线性补偿原理,提出了一种新的带隙基准源高阶曲率补偿方法,使电压基准源的温度特性曲线在整个工作温度范围内具有多个极值,显著提高了电压基准源的精度.采用0.5μm CMOS工艺模型进行仿真.结果表明,在-40℃～135℃的温度范围内,电压基准源的温度系数为5.8×107/℃.设计了具有提高电源抑制比功能的误差放大器,在5V电源电压下,电压基准源的电源抑制比在低频时为-95.4dB,在1kHz时为-92.4dB.     

美国麻省理工学院"电路与电子电路"课程2002年春教学情况简介

介绍了美国麻省理工学院（MIT）电气工程和计算机科学系（EECS）2002年春“电路与电子电路”课程的教学内容-“电路理论”、“模拟电子电路”和“数字电子电路”的全新组合,先修课程-物理系“电磁学”/“经典电磁学理论”和数学系“常微分方程”/“线性代数”的电类专业导向和现代化的教学手段（在图书馆或校园网上随时可观看长达9小时的教学录像等）。MIT在电类基础课教学中所采用的这些独特做法和成功经验,对国内当前的课程改革、教材创新和教学管理都具有一定的参考价值。     

（1064／1319，532／659nm）Nd：YAG激光治疗仪的实验研究

叙述了激光治疗仪双波长（1064/1319nm）输出的最佳方案及其性能指标：介绍了双波长输出的CW-Nd:YAG激光器参数的确定及其倍频实验，提出了用Ti:Mgo:LiNbo3晶体倍频的4波长Nd:YAG激光器5种输出的可行性方案。     

GaN HEMT器件封装技术研究进展

GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件由于其宽禁带材料的独特性能,相比硅功率器件具有击穿场强高、导通电阻低、转换速度快等优势,在智能家电、交直流转换器、光伏逆变器以及电动汽车等领域有着广泛的应用前景.但GaN HEMT器件的高功率密度和高频工作特性,给器件封装带来了极大挑战,要使其出色性能得以充分发挥,其封装结构、材...     

电磁治疗与骨重建研究综述与展望

本文首先综述了国内外在电磁刺激促进骨形成和重建方面的最新研究进展,并从宏观效果和微观机理研究两方面提出问题,然后从三方面指出研究方向和途径:骨电磁参数理论模型建立、宏观和微观实验研究方向.针对骨作为各向异性媒质,考虑其生物复杂性的同时,论述了理论建模过程中存在的问题和解决办法,从宏观试验出发提出了电磁刺激对骨重建的研究内容,并对细胞分子和生物因子的微观实验研究提出了方向.     

非致冷红外探测用VOx薄膜XPS价带谱研究

介绍了用XPS技术研究反应溅射制备的VOx薄膜;结果表明该方法制备的VOx薄膜大多是不同价态的混合物,其物相、成分与氧分压密切相关.XPS价带谱研究发现VO2 δ物相的薄膜最利于非致冷红外探测.     

提高CQFP外壳收缩精度和印刷精度

阐述了提高CQFP高封装陶瓷外表收缩精度、印刷精度的几条途径,以适应集成电路向超大规模、超高速、多功能、高密度和大功率发展。