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951.
952.
953.
磷酸锰铁锂(LMFP)具有比磷酸铁锂(LFP)更高的能量密度,但因电导率更低,倍率性能较差。本文采用掺硫碳纳米管提升LMFP电极的导电性能,有效提高了LMFP电极的能量密度和功率密度。首先,以亚硫酸钙热解产生的SO2为掺杂剂,对碳纳米管(CNT)进行气相掺硫处理得到掺硫碳纳米管(SCNT)。与未掺杂CNT相比,SCNT表现出更好的亲水性和导电性。将SCNT水相分散液作为导电添加剂,以水为溶剂制备LMFP电极,分别在室温和-10℃的低温环境下进行倍率性能、循环性能和交流阻抗等测试。结果表明,添加SCNT作导电剂有效提高了LMFP电极的导电性和动力学速率,添加SCNT的LMFP电极在0.2C和5C下可逆容量分别为200 mAh/g和145 mAh/g,显著高于添加了CNT或CB导电剂的LMFP电极。将添加SCNT的LMFP电极与石墨匹配组装全电池,表现出185.0 Wh/kg和665.5 W/kg的超高能量密度和功率密度。 相似文献
954.
针对高热通量芯片的冷却散热问题,利用具有巨大升华潜热以及极低初始温度的干冰作为散热流体,通过建立干冰冷却的散热器模型,对散热器散热空间内干冰冷却降温过程的热流场进行模拟仿真,对干冰冷却的芯片降温特性进行分析,得出:干冰入口半径为6 mm,散热器针柱直径为2 mm、11×11均匀分布的散热效果最好。随着干冰流速逐渐增大,芯片温度达到稳定时间越快,流速为0.20 m/s时稳定温度为15.49℃,远低于芯片结温,0.06 m/s的流速即可达到芯片安全温度。干冰流速为0.20 m/s,在10 s时散热空间内已充满干冰,降温效果更好。功率为125 W时,干冰冷却也可将芯片中心测点(A点)温度稳定控制在49.47℃之下。此外,对比分析了P0=65 W下的水冷式冷却降温与P0=95 W下的干冰冷却降温性能,得出水冷式冷却稳定后的温度停留在74.2℃,干冰冷却稳定后的温度为15.49℃,干冰冷却降温的芯片整体温度分布更均匀,冷却效果更好。研究结果为进一步深入研究高热通量芯片干冰冷却降温系统打下基础。 相似文献
955.
介孔硫化锌的合成与表征 总被引:5,自引:0,他引:5
以表面活性剂十二胺( Dodecylamine,DDA)为模板剂, 在中性条件下合成了ZnS颗粒的介孔(mesoporous)结构, 结合N2 吸附脱附曲线、透射电子显微分析(TEM)和X射线衍射(XRD)对所得样品进行了表征。结果表明,采用溶剂萃取的方法除去模板剂后得到了高纯度、立方相的ZnS 介孔结构颗粒,产品具有较高比表面积(223m2/g)和较窄孔径分布(4.9nm)。此外,借助傅立叶红外分析(FTIR)和热失重分析(TGA),讨论了有机模板剂在不同样品中的存在和作用。 相似文献
956.
957.
配电网潮流计算是配电网络分析的基础.对比分析了前推回代法和牛顿法在求解辐射状配电网潮流时的特点和区别,并提出了一种改进的前推回代算法.该算法在原有前推回代算法基础上修改了回代求解的节点电压修正方程.提出的算法简单实用,且具有前推回代法简单快速和牛顿法收敛性好的特点.文中仿真算例给出了前推回代法和该文方法的计算结果,表明提出的方法具有更快的计算速度和更好的收敛特性. 相似文献
958.
959.
3-羟基丙醛两段加氢制1,3-丙二醇催化剂的失活 总被引:1,自引:0,他引:1
采用固定床连续流动反应器考察了双组分负载型催化剂Ni-D/HM在3-羟基丙醛两段式加氢制1,3-丙二醇反应的稳定性,并利用活性评价、XRD、BET、TG-DTA、原子吸收、元素分析等手段,分析了Ni-D/HM加氢催化剂的失活原因。结果表明,3-羟基丙醛加氢制1,3-丙二醇二段催化剂失活后比表面、孔体积、骨架结构等发生了较明显的变化,表面有明显结焦,表面Ni组分流失严重;催化剂失活的主要原因是催化剂结构变化和催化剂表面Ni组分的流失。降低反应温度和空速可使催化剂保持较高的活性和稳定性 相似文献
960.
从传统盘车方法存在的技术问题进行分析,采用最小二乘法建立多点任意角盘车数学模型。通过计算机编程,开发多点任意角盘车软件,并在太平湾电站4号机组盘车过程中得以成功应用,取得了较好的效果。 相似文献