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A low noise InGaAs/InP single photon avalanche diode (SPAD) is demonstrated. The device is based on planar type separate absorption, grading, charge and multiplication structure. Relying on reasonably designed device structure and low-damage Zn diffusion technology, excellent low-noise performance is achieved. Due to its importance, the physical mechanism of dark count is analyzed through performance characterization at different temperatures. The device can achieve 20% single photon detection efficiency and 320 Hz dark count rate (DCR) with a low after pulsing probability of 0.57% at 233 K. 相似文献
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利用电子束蒸镀方法,在K8玻璃衬底上沉积ZnO掺杂ITO(ZnO-ITO)与ITO薄膜。研究不同退火温度对ZnO-ITO薄膜的微观结构的影响;对比分析了在不同退火温度条件下,ZnO-ITO和无掺杂ITO薄膜的光电性能。结果发现,ZnO-ITO薄膜具有较大的晶粒尺寸,随着退火温度的上升,晶体结构得到改善,表面粗糙度减小,薄膜的光电性能显著提高。ZnO-ITO薄膜经过500℃退火后得到最佳的综合性能,其表面均方根粗糙度(RMS)为32.52nm,电阻率为1.43×10-4Ω.cm;对442nm波长的光,透射率可达98.37%;与ITO薄膜相比,ZnO-ITO薄膜具有显著的抗PEDOT:PSS溶液腐蚀的能力。 相似文献
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流延坯片的叠层是多层陶瓷技术中最为重要的工艺之一。叠层工艺直接影响到电子器件三维结构(如通道、腔室及隔膜等)的质量。对叠层工艺如热压法叠层及其改进型技术、粘合基叠层、溶剂基叠层等进行综述,并对各种叠层方法的特点、研究进展及应用进行叙述。 相似文献
176.
制备了以Zn(BTZ)2∶rubrene为发光层的5种白色有机电致发光器件,并将其应用于液晶显示背光源。5种器件色度最好时的CIE坐标值为(0.32,0.33),最大有效发光面积达到3 cm×3 cm,此时器件的平均亮度达到264 cd/m2,亮度均匀性达到80%。并且分析了随器件有效发光面积增大,发光均匀性、亮度以及最大量子效率减小而器件电流密度反而增大的原因。同时发现附加金属(Ag)辅助电极在一定程度上有助于提高器件的性能。最后将所制备的5种器件与液晶显示屏相匹配,它们均基本满足液晶显示对背光源的要求。 相似文献
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根据"电力拖动自动控制系统"课程特点及要求,本文针对DKSZ-Ⅲ电机控制系统实验装置,在模拟控制直流双闭环单元电路基础上,开发了数字控制双闭环调速的实验挂箱。数字实验挂箱硬件由数字信号处理器TMS320LF2407及相应的外围接口电路组成,软件采用C语言与汇编语言混合编程,并包括一个ASR和ACR调节器。该挂箱实现了直流双闭环的数字控制,为本课程提供了数字实验平台。 相似文献