重视介入性肺减容术的研究

介入性肺减容术是在外科切除肺减容术和内镜下非外科切除肺减容术的基础上发展起来的.它是一项X线导引下的经导管治疗技术,在靶肺叶经支气管行博来霉素(或无水乙醇)碘油乳剂栓塞的同时并对其近端支气管用骨水泥封堵,可获得稳定的肺纤维化和肺减容,即所谓的功能性肺叶切除.虽然此项介入治疗技术目前仍处于动物实验阶段,但已经显露出其临床应用潜力和广阔的前景.     

用有限元计算柴油机机体螺纹处应力和变形

依据螺纹的标准,建立螺纹的有限元模型,利用非线性的接触单元分析了某型柴油机修理前后气缸盖螺栓的应力和变形,为分析螺纹配合的接触部件提供一种方法.     

含碳耐火材料抗氧化涂料的现状与发展趋势

介绍了含碳耐火材料实际应用中氧化造成的危害,根据国内外对防止氧化表面涂层技术的研究状况,对涂料的防止氧化作用机理、性能要求与组成成分进行了分析。目前开发的抗氧化涂料品种较少,有必要在涂料品种与涂层的综合性能提高方面进一步开展工作。     

一种不平衡数据流集成分类模型

 针对不平衡数据流的分类问题,结合基于权重的集成分类器与抽样技术,本文提出了一种处理不平衡数据流集成分类器模型.理论分析与实验验证表明,该集成分类器具有更低的计算复杂度,更能适应存在概念漂移的不平衡数据流挖掘分类,其整体分类性能优于基于权重的集成分类器模型,能明显提升少数类的分类精度.     

半导体激光二极管的光纤耦合技术

将半导体激光二级管（LD）发出的光更高效地注入到光纤中是光纤激光器与光纤放大器研究的先决条件.半导体激光二级管包括二极管单管、条形巴、二维堆栈和二极管阵列等,其各自的耦合技术之间有联系也有区别.分析介绍了有代表性的柱状楔形法、V型槽法、微透镜法等二极管单管与光纤的耦合技术;光纤束耦合法、光束整形法等二极管条形巴与光纤的耦合技术;以及二极管二维堆栈和二极管阵列与光纤的耦合技术等各种光纤耦合技术,比较了这些方法之间的共通点,供今后的研究人员选择和参考.     

Plateaued函数的正规性

Plateaued函数作为Bent函数和部分Bent函数的扩展,是一类能实现多个密码学准则折中的性质优良的密码函数。该文基于布尔函数与其分解函数的Walsh谱之间的关系研究了Plateaued函数的复杂性度量指标之一的正规性,根据其正规性质给出了判定给定Plateaued函数是否正规的一个较为简单的算法,并分析了已知Plateaued函数类的正规性。     

一种基于图形处理器的压缩单纯形方法

 针对GPU通用计算环境CTM纹理资源的限制,研究了一种适于CTM的单纯形方法.依据单纯形方法每次变换最多只增加一列非单位元向量和矩阵求逆运算的特征,给出GPU上系数矩阵、基逆矩阵等的压缩存储策略及在该策略下求解基逆矩阵、单纯形乘子和检验数等步骤新的计算规则.CPU主要进行迭代控制;而计算密集类任务皆由GPU完成.理论分析证明该方法比标准方法在时空复杂度上提高了一个数量级.数值实验表明该方法不仅扩大了可求解问题的规模,且在获得正确优化结果的前提下,效率比CPU版本有数百倍的提高,甚至数倍领先于MATLAB R2007a.     

复周期结构光子晶体的光子能带特性研究

本文构思了一种每个周期内部有几个不同的小单元的复周期结构光子晶体，并利用光学传输矩阵法对这种光子晶体进行了数值模拟计算。计算结果表明，这种复周期结构光子晶体比普通结构的光子晶体多出1个大的光子禁带区。适当调整参数还可以分别获得多通道窄带滤波特性、带通滤液特性和窄带透过特性。     

移动通信系统中有效的身份认证方案和支付协议

文中给出了一个基于公钥密码的有效的身份认证和密钥交换协议，该协议可以实现通信双方的相互认证，产生的会话密钥对通信双方是公正的，且会话密钥的产生不需要其他第三方的参与，协议的结构简单，执行效率高：在此协议基础上设计了一个适用于移动通信系统的小额支付协议。     

基于NPBX掺杂CzHQZn的黄色有机电致发光器件

利用一种既具有空穴传输特性又具有发光特性的新型荧光染料N-乙基咔唑-2-乙烯基-8-羟基喹啉锌[(E)-2-(2-(9-ethyl-9H-carbazol-3-yl)vinyl)quinolato-zinc,CzHQZn]掺杂在NPBX中作为空穴传输层,CzHQZn同时还作为发光的主体,制备了结构为ITO/2T-NATA(30nm)/NPBX:25%CzHQZn(xnm)/BCP(10nm)/Alq3(60-x)nm/LiF(0.5nm)/Al的有机发光器件(x为掺杂发光层的厚度),掺杂发光层的厚度按照15,20,25,30nm进行变化,相应改变Alq3的厚度,使得这两者的总厚度为60nm保持不变。当掺杂发光层的厚度是20nm,Alq3的厚度是40nm,其他层厚度保持不变时,器件在4V电压下实现了黄光发射,色坐标为(0.514 6,0.470 5),亮度是1.078cd/m2。在14V的电压下,器件最大发光亮度为449 0cd/m2,最大发光效率为0.98cd/A。