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11.
针对传统直接转矩控制中采用开关表控制造成转矩和电流脉动,以及传统调节器不能实现对交流输入信号的无静差控制等问题,基于电机空间电压矢量的转矩和磁链2个分量解耦的控制方式和PR控制器能够在静止坐标系下实现对交流输入信号的无静差控制,将PR控制器用于永磁同步电机的直接转矩控制中,并由此设计出磁链和转矩的双PR控制器。同时,在定子磁链的观测中,采用基于转子位置和定子电流的新型定子磁链估计方法。试验结果证明,将PR控制器对交流输入信号的无静差跟踪特性应用于基于空间电压矢量调制的直接转矩控制中,系统能获得优良的动态和静态响应,取得了显著的应用成效,由此验证了所提方法的正确性和可行性。 相似文献
12.
对云南省剑川县、墨江县的600名6 ~ 24个月龄婴幼儿进行膳食及健康调查,评价两地婴幼儿的生长发育情况,为当地卫生机构普及营养知识和少数民族营养支持计划提供数据支持.采用外科体检和膳食营养调查同步进行的方法对剑川白族和墨江县哈尼族6~24月龄婴幼儿膳食摄入状况及身体发育指标进行调查,并与参考文献中的其他地区同龄进行纵向比较,综合评价两地婴幼儿的健康发育状况.两地6~24月龄婴幼儿的营养摄入低于国家推荐量,并且生长发育指标低于城区的婴幼儿,剑川白族婴幼儿发育指标好于墨江哈尼族婴幼儿发育指标.剑川、墨江等地区的婴幼儿营养及身体发育指标偏低,婴幼儿营养摄入和发育状况均堪忧,有必要加强科学指导和管理,并进行营养包支持. 相似文献
13.
直流硅橡胶绝缘子积污后对其绝缘性能和使用寿命有重要影响,一般通过带电清洗剂进行清洗,而在带电清洗剂下的溶胀效应带来的不利影响是有待解决的关键问题.对1、2号两种带电清洗剂挥发速率、硅橡胶在不同带电清洗剂清洗前后的溶胀性以及憎水性的变化进行了试验研究,并探讨了相应的机制.结果表明:1、2号带电清洗剂在25℃时的挥发速率分别为1095.78 g/(h·m2)和108.01 g/(h·m2);硅橡胶溶胀度随时间的增加而增大,溶胀10 h后达到饱和,饱和后的硅橡胶溶胀指数分别为55%和130%;1号带电清洗剂会削弱硅橡胶的憎水性,经过10 min浸泡,接触角下降了14%,2号带电清洗剂能增强硅橡胶的憎水性,经相同时间浸泡,接触角上升了6%,因而挥发性优良的带电清洗剂可以降低溶胀对硅橡胶绝缘子的不利影响. 相似文献
14.
用液态快淬法制备非晶合金条带时,通过加入15—30%的B与Si等类金属含量是形成非晶状态的必要条件。但是,由于Si与B等类金属元素的加入,使非晶态合金的磁性受到明显的影响。本文实验研究了Si与B含量间的相对变化对(Fe_(80)Ni_(20))_(78)Si_(22-x)B_x合金的饱和磁矩、平均原子磁矩与Curie温度的影响关系。利用电子转移模型与分子场近似理论定性的解释了(Fe_(80)Ni_(20))_(78)-Si_(22-x)B_x合金的磁矩(M_s)与Curie温度(T_c)随 相似文献
15.
16.
17.
蒲荣松 《中国水能及电气化》2017,(1)
坝基坝体渗水对大坝安全运行有不利影响。本文采用现场检查、水样试验、析出物试验、资料分析等手段,对碾压混凝土坝运行期渗水及其析出物对大坝的影响进行了较全面的分析,并提出了运行期需关注的问题。 相似文献
18.
针对驾驶员驾驶过程中因疲劳引起的眼睛开度变化问题, 在原有PERCLOS(percentage of eyelid closure over the pupil over time)标准的基础上, 提出了一种基于有限状态自动机的人眼开度PERCLOS计算方法, 并将其应用到疲劳驾驶预警系统中。该系统首先采用红外摄像头实时获取驾驶员的脸部视频图像, 使用ASM(active shape models)算法进行人脸检测, 在定位到的人脸范围内搜索人眼区域并计算人眼开度, 为了避免人与摄像头距离变化影响计算结果, 对人眼开度进行归一化处理; 然后依据建立的有限状态自动机模型计算PERCLOS值; 最后根据制定的预警机制实现基于人眼开度的疲劳预警。实验结果表明本方法能够实时监测驾驶员疲劳状况, 具有对光照变化、脸部配饰不敏感的特点。 相似文献
19.
过量TiO2助烧剂对Ba0.998La0.002TiO3陶瓷晶粒生长的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用电性能测定和微观结构分析等方法研究了过量TiO2助烧剂对Ba0.998La0.002TiO3陶瓷晶粒生长的影响.结果表明:对于Ba0.998La0.002TiO3陶瓷在有液相参与烧结的晶粒溶解-淀析过程中,晶粒生长的必要条件是不仅要有液相的形成,而且BaTiO3晶粒必须在液相中有一定的溶解度.由于BaTiO3晶粒在Ba6Ti17O40和Ba2TiSi2O8液相中有足够的溶解度,促进了晶粒的生长,同时旌主掺杂离子进入晶格而释放氧,形成半导性的陶瓷,而BaTiO3晶粒不能溶解于Ba2Ti2SiP2O13液相中,抑制了晶粒的生长. 相似文献
20.
工艺因素对低压化学气相沉积氮化硅薄膜的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
以硅烷和氨气分别做为硅源和氮源,以高纯氮气为载气,采用热壁式管式反应炉,通过低压化学气相沉积(low pressure chemical vapor deposition,LPCVD)技术制备了氮化硅薄膜(SiN_x)。借助椭圆偏振仪研究了SiN_x薄膜的生长动力学,通过Fourier红外光谱和X光电子能谱表征了SiN_x薄膜的性质,并利用原子力显微镜观察了SiN_x薄膜的微观形貌。在其它工艺条件相同的情况下,SiN_x薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增加,原料气中氨气与硅烷的流量之比(R)对薄膜的生长速率有相反的影响。随着反应温度的升高,沉积速率逐渐增加,在840℃附近达到最大,随后迅速降低。当R<2时获得富Si的SiN_x薄膜(x<1.33);当R>4时获得近化学计量(z≈1.33)的SiN_x薄膜。 相似文献