偏晶向(111)硅片闪耀光栅的设计

利用硅单晶的特殊结构可以设计出不同角度的闪耀光栅，再使用MEMS的紫外光刻、各向异性腐蚀等常规工艺就可以完成硅闪耀光栅的制作。设计了一种利用偏转晶向(111)硅片制作小角度闪耀光栅的方法，避免了利用其它晶向的硅片制作闪耀光栅的缺点。利用这种方法制作了线宽为4μm的硅闪耀光栅，使用原子力显微镜(AFM)进行了光栅表面形貌测试，得到平均表面粗糙度为110．94nm，试验结果表明制作的硅光栅样片具有良好光学特性的反射表面和光栅槽形。     

铜-钨/不锈钢热等静压焊接界面组织的研究

用扫描电子显微镜和能谱仪对钨和铜以及不锈钢的热等静压焊接试样的焊接界面进行了分析研究。对不同工艺条件下不同材料的焊接界面进行了对比分析。结果发现，钨和铜合金的结合主要是物理结合，它是靠高温高压下，材料表面微观的凹凸不平而产生的犬齿中结合在一起的，扩散结合只占很少的部分，铜和不锈钢的焊接界面由于添加了镍的中间层，因而有较好的扩散。     

Ge_xSi_1-x/Si异质结构的近红外吸收光谱测量

测量分析了采用 RRH/VLP—CVD 方法外延生长的 Ge_xSi_(1-x)/Si 异质结构中 Ge_xSi_(1-x)合金薄层的近红外吸收光谱。由谱线计算出 Ge_(0.15)Si_(0.85)与 Ge_(0.45)Si(0.55)合金层的带隙分别为1.02eV 和O.88eV,与相同组分的体合金一致。结果表明用红外吸收光谱测量研究异质结构薄层材料的能带结构及带隙是一种准确、简便的方法。     

CdS半导体非线性吸收中的电场作用

在CdS的室温光学非线性吸收过程中,再外加直流电场,观察到光学非线性吸收随外场增大而增大,非线性出现的光强阈值随外场增大而减小.通过实验判断这一现象来源于电子激子散射.     

化学共沉淀法制备纳米级PbTiO_3粉末

本文以Ｈ２ＴｉＯ３、Ｈ２Ｏ２、ＮＨ３、Ｐｂ（ＮＯ３）２为主要原料，用化学共沉淀法制备了纳米级ＰｂＴｉＯ３。确定了反应物Ｈ２ＴｉＯ３、Ｈ２Ｏ２、ＮＨ３的最佳摩尔比为１∶８∶２。用不同的退火温度和退火时间对样品处理得到相应粒径的纳米粉体，再由Ｘ射线和透射电镜对这些粉体进行了评估。并对反应的机理作了初步探讨。     

Superconducting Busline Design for HT—7U Tokamak

Superconducting (SC) tokamak HT-7U has seven pairs of buslines connecting toroidal/Poloidal coils and the current leads,These SC buslines(SCBLs) share a common cryostat and are made of the calbe in conduit conductors(CICCs) arranged as a decoupling configuration.In order to reduce the heat loads conducted from the seven current leads with a capacity of 15kA during the magnets cooldown.the buslines with a much lower thermal conduction were employed in comparison with the current leads,and a special cooling loop was designed.     

非共振微波场驱动情况下的简并量子拍频激光器

本文讨论了被非共振微波场驱动的三能级原子系统在无粒子数反转时所表现的激光增益以及在无自发和受激辐射时所表现的光学吸收两种物理现象以及产生的条件。     

Si(113)表面的原子结构

利用LEED研究了Si(113)表面的原子结构.清洁表面是采用离子轰击和退火方法制备的.实验发现:当温度高于600℃时表面为1×1结构,随着温度缓慢下降,表面原子结构发生1×1(?)3×1(?)3×2的可逆相变.     

Structure Transition of Nanocrystalline Fe_2O_3

A structure transition of Fe2O3 nanocrystal was studied by using DTA and TG thermal analysis and X-ray diffraction method. We found that size increase of the nanocrystals is larger after the structure transition than that before the transition. It means that the structure transition is beneficial on growth of nanocrystals     

A Calculation of Steady Pressure Drop and an Analysis of HT—7U CICC

Under the condition of steady,the pressure drop of coolant is mainly caused by friction along the cable.in the CICC(cable-in-conduit-conductor).helium flow within the conductor consists of two parallel interconnected tubes.The velocity distribution has some differece between the central channel and conductor space.The region of Reynolds number is from 10^3 to 10^6.This paper describes the calculation of pressure drop of HT-7U CICC at various mass flows.It is assumed that the coolant flows in two parallel,rough tudes during the caclulation.