电子吊舱微环境智能控制系统

介绍了一种由高性能空气循环冷却系统和以微处理器为核心的智能测控系统组成的新型电子吊舱微环境控制系统，该系统制冷性能优良，节能效果好，数据采集，存储，实时处理，控制，报警功能完全硬件化，实现了对吊舱微环境温度，温度，压力的综合可靠控制，其设计思想和方法可推广应用于其它航空，航天和地面复杂环境的控制。     

碳纳米管的制备及研究

介绍了在直流电弧放电法制备富勒烯过程中，从阴电极表面收集到大量的碳纳米管及巴基葱，产生率达到５０％，并用电子显微镜对其进行了观察和初步研究。     

一种非调制式热释电红外传感器

基于红外技术理论提出了利用热释电红外传感器(PIS)对目标扫描过程中产生双向热电电流构成非调制式热释电红外传感器的方法,并讨论了利用双并联技术的非调制式热释电传感器。     

Failure analysis of bellows under external pressure

As is the case of a bellows under internal pressure, there also exists a condition for plastic failure when a bellows is loaded under external pressure. In this paper calculating formulae of the critical failure pressure under external pressure are suggested and analyzed by comparing the calculated results and the experimental ones. Close agreement is obtained.     

兴化市有线电视城乡联网暨系统升级改造方案

在原有1 310 nm系统的基础上,通过增加1 550 nm光发射机、光放大器以及线路扩容、加芯等技术手段来有计划分阶段地实施1 550 nm改造工程,并对回传业务、指标分配、实施步骤等作了简要的论述。     

常减压蒸馏装置阻垢剂进料管腐蚀与防护

通过对常减压蒸馏装置阻垢剂进料管的材质、性能、工作条件及腐蚀形貌、腐蚀产物的全面分析,找出了使进料管发生大面积腐蚀的腐蚀介质为环烷酸.并提出了减缓阻垢剂进料管环烷酸腐蚀的措施,主要包括选用更耐蚀的316或316 L材质以及改进三通结构等.     

p型碲镉汞液相外延材料Ag掺杂的研究

利用SIMS和变温霍尔测量手段对P型Hg0.77Gd0.23Te液相外延材料的Ag掺杂技术、机理及掺杂碲镉汞材料的性能进行了研究。结果表明采用AgNO3溶液直接浸泡方式对该材料进行掺Ag是成功的，掺杂浓度与被掺杂材料中的汞空位浓度是一致的，掺杂后，P型碲镉汞材料的受主能级比掺杂前有明显的减小，从实验结果可看到掺Ag碲镉汞材料的电学性能在室温下保持稳定。     

Observation and Analysis of Gypsum Particleboard using SEM

The microstructures of gypsum board and gypsum particleboard were observed by SEM. The effects of retarder and waterproof agent on the shape and the average dimension of the gypsum crystal were discussed. The mechanism was investigated as well. Four typical instances, i e, the gypsum crystal shape, the gypsum combined with particles on the particles surface, the gypsum combined with particles on the wood cross section and the gypsum combined with particles inside the wood cell cavity were selected and observed. Furthermore, the agglomeration and cementation mechanism between gypsum and particle were studied.     

X射线三轴晶衍射法测量半绝缘GaAs单晶的化学配比

采用X射线三轴晶衍射法,根据As间隙原子对作为过量As在GaAs单晶材料中存在的主要形式的模型,可以无损、高精度测量半绝缘GaAs单晶的化学配比.并探讨了引起晶格变化的原因及其与熔体组分的关系,对于制备高质量GaAs单晶及其光电器件具有重要的意义.