椭圆微带线色散特性的直线法分析＊

本文用直线法对椭圆微带线的色散特性进行了研究,导出了色散特性方程.在共焦椭圆情况下,当频率较低时,本文结果与准TEM波分析结果趋于一致。同时给出了两种微带结构的色散曲线。     

非平面接地静磁表面波延迟线的优化设计＊

本文改进了非平面接地静磁表面波延迟线器件模型,并首次采用递归二次规划对器件结构进行了优化设计,为静磁波器件设计提供了新途径。     

时域处理模式扩频系统

本文介绍了表面声波(SAW)存储相关器的结构和工作原理;提出了SAW存储相关器时域处理模式扩频系统;分析了系统的误码率和抗干扰性能;并进行了实验。理论分析和实验结果基本一致。     

8～16GHzGaAs单片宽带分布放大器

报道了８～１６ＧＨｚＧａＡｓ单片宽带分布放大器的设计与制作。单级ＭＭＩＣ电路采用三个栅宽为２８０μｍ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ作为有源器件，芯片尺寸为１．１ｍｍ×１．６ｍｍ。在８～１６ＧＨｚ频率范围，用管壳封装的两级级联放大器增益Ｇ＿ａ，为１１．３±１ｄＢ，噪声系数Ｆ＿ｎ＜６ｄＢ，输出功率Ｐ＿（１ｄＢ）＞１６ｄＢｍ。     

PERFORMANCE OF TWO GENERALIZED ORDER STATISTICS CFAR DETECTORS WITH AUTOMATIC CENSORING TECHNIQUE IN MULTIPLE TARGET SITUATIONS

This paper presents two generalized modified OS-CFAR detectors and an automatic censoring technique. For these two new OS-CFAR detectors, analytic expressions of the false alarm rate, the detection probabilities and the measure of ADT under the Swerling 2 assumption are obtained. Their detection performances are analyzed in homogeneous background and in the presence of strong interfering targets, and they are compared with several previously proposed CFARs.     

基于神经网络的模拟电路故障诊断优化近似方法

本文提出了线性电阻电路故障诊断的一种神经网络优化方法。其基本思想是应用Ｈｏｐｆｉｅｌｄ网络原理来处理Ｌ１范数问题，以此来进行诊断。对实例的计算证明此法是可行的。     

吸收性薄膜波导的参数测量

介绍了一种用棱镜耦合法测量吸收性薄膜波导参数的一种方法，它是由测得棱镜底部反射光斑中模的吸收线位置来确定薄膜的折射率和厚度。结果表明，此方法无需进行大量的计算就能同时精确地测量薄膜的折射率和厚度。给了两种吸收不同的薄膜波导参数测量结果。     

相转移法制备高纯超细TiO2技术研究

报道了用相转移法制备高纯超细ＴｉＯ２的新技术；探讨了Ｔｉ（Ⅳ）从有机相转移到水相发生水解反应的机理 ；通过ＴＧ－ＤＴＡ分析以及ＸＲＤ物相分析对水解产物的组成、热分解机理，晶型转变规律进行了研究，建立了水解产物焙烧的最佳温度。     

滑动窗快速横向滤波的自适应判决反馈均衡器算法

本文提出了一种基于滑动窗广义多路快速横向滤波（ＳＷＦＴＦ）的自适应判决反馈均衡器（ＤＦＦ）算法，它具有快速跟踪性能，故可用于快速时变多径衰落的信道。文中推导了ＳＷＦＴＦ－ＤＦＥ算法。在数字移动通信信道模型上，利用计算机模拟，在均方误差和误码率特性方面与其它均衡器算法进行了比较。     

分子束外延CdTe（211）B／GaAs（211）B的特性研究

ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ是ＨｇＣｄＴｅ分子束外延的重要替代衬底材料。用Ｘ双晶衍射和光致发光测试研究了分子束外延生长的ＣｄＴｅ（２１１）Ｂ／ＧａＡｓ（２１１）Ｂ的晶体结构质量，表明外延膜晶体结构完整，具有很高的质量。用高分辨率的透射电镜研究其界面特性，观察到ＣｄＴｅ（２１１）Ｂ相对于ＧａＡｓ（２１１）Ｂ向着［１１１］方向倾斜一个小角度（约３°），界面的四面体键网发生扭曲，由于晶格失配，在界面存在很高的失配位错密度。用二次离子质谱分析仪分析了ＧａＡｓ衬底中的Ｇａ和Ａｓ向ＣｄＴｅ外扩散的情况。结果表明：如果要在ＧａＡｓ衬底上生长ＨｇＣｄＴｅ外延膜，必须先生长一层具有一定厚度的ＣｄＴｅ来阻止Ｇａ和Ａｓ向ＨｇＣｄＴｅ的外扩散和失配位错的延伸。