磷酸盐对Se(Ⅳ)在高庙子膨润土中扩散的影响

高放废物地质处置环境中存在大量的磷酸盐,势必会影响放射性核素的迁移行为。采用贯穿扩散(through-diffusion)法研究了磷酸盐对Se(Ⅳ)在高庙子膨润土中扩散行为的影响。采用自编扩散参数分析程序获得有效扩散系数(De)约为(0.61~1.3)×10-11 m2/s,岩石容量因子(α)约为0.16~0.58。结果表明:磷酸盐浓度对Se(Ⅳ)的扩散行为影响不明显。酸性条件下,Se(Ⅳ)的有效扩散系数和岩石容量因子均升高。由于Se(Ⅳ)能够吸附在膨润土的表面,使得表观扩散系数(Da)降低。而碱性条件下,岩石容量因子小于总孔隙率,Se(Ⅳ)不吸附在膨润土表面。     

四川盆地剑阁地区多层系储层叠前描述

近期龙岗62井长兴组及剑门102井须家河组须三段获得重大突破,证实长兴组生物礁储层及须家河组碎屑岩储层均具有较大的勘探潜力。通过对研究区资料特征进行分析对比,在攻关中采用了纵横波阻抗叠前同时反演、体曲率属性、瞬时振幅属性等针对性技术,准确地刻画了生物礁台缘发育相带,预测了碎屑岩裂缝发育和油气有利聚集区,为研究区下一步井位部署提供了准确的资料基础,并形成了一套有效的技术流程。     

利用多媒体技术模拟有机化学反应过程

利用现代化教学手段—计算机多媒体技术和3D MAX三维动画设计软件、Photoshop二维绘图功能软件、Visual Basic程序设计语言软件,对卤代烃亲核取代反应机理,设计制作CAI课件的过程、特点及其应用。该课件形象模拟卤代烃的SN1反应机理、SN2反应机理、离子对机理和邻近基团参与机理等,生动活泼、惟妙惟肖。用于教学中,教学效果极好,极大地调动了学生的学习兴趣和积极性。     

AODV的本地修复算法

提出了一种新的路由本地修复算法,将修复尽量限制在断链的局部范围内,减少了修复时间和降低路由维护的开销, 且不用考虑失效链路在整个路由上的相对位置,均可对其进行修复,提高了处理失效链路的能力,有利于提高网络的可扩展性.仿真表明,这种新的路由本地修复算法明显地提高了网络多方面的性能.     

基于多元线性回归快速迭代的室内定位方法研究

主要研究一种新的室内定位方法。该方法采用传统的信号—传播模型,利用多元线性回归法求出该模型中的相应参数,从而利用该模型求出初始各移动终端的位置;再采用快速迭代法和各移动终端相互校正从而提高定位的精度。实验结果表明,该算法时间复杂度小、收敛速度快,且具有较高的估计精度。     

新型捷联惯性测量装置标定测试系统的设计

为了提高捷联惯性测量装置(SIMU)的测量精度,在使用前必须对其进行标定,以确定SIMU模型方程的参数及其标定后的性能指标;为此设计了一种新型SIMU标定测试系统,使之可以对SIMU进行全温度范围内的标定与研究;在简要介绍了测试系统的组成、功能之后,详细叙述了SIMU标定测试单元的硬件设计与实现及速率试验时测量误差的修正方法;试验表明,该测试系统功能完善,运行稳定,操作方便,可维护性好,已成功地用于SIMU的标定与研究.     

多工作温度非制冷热成像系统的研制

研究了非制冷热成像系统功耗产生的主要原因,提出了一种具有低功耗特点的多工作温度热成像系统。从非晶硅焦平面阵列探测器噪声等效温差和探测率的计算公式入手,分析了非晶硅焦平面阵列探测器响应特性与工作温度的关系。数值分析显示,在- 40℃～60℃工作温度范围内,非晶硅焦平面阵列探测器具有一致性的响应性能,这为设计多工作温度热成像系统奠定了理论基础。对所设计的多工作温度热成像系统测试结果：在- 40℃～60℃环境温度范围内,热电稳定器的功耗小于350 mW,噪声等效温差小于120 mK.这表明该热成像系统既具有稳定的成像质量,又具有较小的系统动耗。     

射频离子推力器放电室结构优化研究

射频离子推力器因结构简单、推力精确可调、工作寿命长等因素,已被广泛应用于航天领域,其中放电室的离子密度是决定推力性能的关键性要素。本文基于电感耦合放电过程建立了二维轴对称流体模型,分别研究了放电室在不同长径比和不同结构等条件下的离子密度变化规律。结果表明:增大射频功率和气压可以提升离子密度,放电室长度在3.5-4 cm时离子密度较高。在放电室直径相同条件下,模型1圆柱结构与模型2圆台结构体积保持一致,减小表面积可以提升离子密度;模型3球壳结构、模型4球壳圆柱结构与模型1圆柱结构的总长度一致,最优的复合结构模型4与单一圆柱结构模型1相比,离子密度提高18.2%,若两者密度相等时,最优的复合结构模型4可以节省15%功率输入或降低10%放电室内气压。     

泡沫碳化硅陶瓷表面原位生长碳化硅晶须

采用固相和液相反应法在泡沫碳化硅陶瓷骨架表面原位生长碳化硅晶须,研究了催化剂和反应温度的影响．结果表明,催化剂氯化镍的作用使硅与碳直接反应生长出细长的碳化硅晶须．在适当的反应温度下生长的碳化硅晶须的表面光滑,线径比较大,有少量的呈弯曲状或竹节状;反应温度过高使得硅晶须的缺陷较多．在泡沫碳化硅陶瓷骨架的表面原位生长出碳化硅晶须属于LS生长机理．具有表面晶须的碳化硅陶瓷以深床体积过滤的方式用于过滤柴油机汽车尾气中的碳颗粒,表面晶须既能提高泡沫陶瓷过滤器的过滤能力,又有利于过滤器的再生．