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排序方式： 共有10000条查询结果，搜索用时 15 毫秒
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22.
Keng Siau 《Requirements Engineering》2007,12(4):199-201
23.
Phase-change read-and-write memory (PRAM) is a promising memory that can solve the problems of conventional memory—scalability, read/write speed, and reliability. We will review the opportunities and technical challenges of PRAM. The most important challenge of PRAM is the reduction of the writing current. Various approaches to reduce the writing current will be reviewed and the prospects of PRAM are discussed. 相似文献
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26.
Frantz Rowe 《欧洲信息系统杂志》2006,15(3):244-248
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