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71.
72.
在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较,由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应,使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。 相似文献
73.
聚甲亚胺改性尼龙6复合材料的等温结晶动力学 总被引:6,自引:0,他引:6
采用差示扫描量热法(DSC)对聚甲亚胺(PAM)/尼龙6复合材料等温结晶过程进行了研究。结果表明,PAM的加入使得基体的结晶速率增大,尤其是当含量为5%时,半结晶期明显减少。研究还发现,该体系的等温结晶过程完全可以用Avrami方程来描述,各试样的Avrami指数均在2-3之间,表明Avrami指数,球晶生长方式基本不受聚甲亚胺加入的影响。基体中原位形成的聚甲胺微纤起到了诱导结晶的作用,使得基体的结晶速率加快,但随着微纤含量的增加,由于分散性能变差而使得诱导结晶的能力减弱,表现为结晶速率又有所降低。 相似文献
74.
Cs-K混合蒸气中Cs(8D)+K(4S)碰撞能量转移 总被引:3,自引:3,他引:0
在Cs-K混合蒸气中,两步激发Cs原子到8D态,观察了Cs(8D) K(4S)→Cs(5D) K(4P)碰撞能量合并逆过程(REP,reverse energy pooling)。应用双调制技术探测K(4P)原子发射的荧光,基态K原子密度用光学吸收方法测量。得到了REP速率系数,讨论了其它过程对速率系数的影响. 相似文献
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76.
77.
78.
电子电路中抗EMI设计 总被引:3,自引:0,他引:3
电磁干扰(EMI)可分为传导干扰和辐射干扰,消除干扰的方法可以采用硬件方法和软件方法,硬件方法主要有屏蔽、接地、隔离和滤波等,而软件方法主要是滤波。笔者对各种方法进行总结,并指出各种方法所存在的问题以及适用场合,并对一些常用方法提出改进措施。 相似文献
79.
80.
无线局域网安全问题研究 总被引:10,自引:0,他引:10
为了提供相当于有线局域网的数据安全,IEEE802.11定义了有线等价保密(WEP)协议。然而,最近的研究发现WEP存在严重的缺陷。介绍了无线局域网存在的安全隐患,分析了WEP的结构以及WEP协议的缺陷以及可能遭受的攻击,并探讨了改进方案。 相似文献