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Shear ductility and toughenability study of highly cross-linked epoxy/polyethersulphone 总被引:1,自引:0,他引:1
The objective of the present study was to determine whether the ductility and toughenability of a highly cross-linked epoxy
resin, which has a high glass transition temperature, T
g, can be enhanced by the incorporation of a ductile thermoplastic resin. Diglycidyl ether of bisphenol-A (DGEBA) cured by
diamino diphenyl sulphone (DDS) was used as the base resin. Polyethersulphone (PES) was used as the thermoplastic modifier.
Fracture toughness and shear ductility tests were performed to characterize the materials. The fracture toughness of the DDS-cured
epoxy was not enhanced by simply adding PES. However, in the presence of rubber particles as a third component, the toughness
of the PES–rubber-modified epoxy was found to improve with increasing PES content. The toughening mechanisms were determined
to be rubber cavitation, followed by plastic deformation of the matrix resin. It was also determined, through uniaxial compression
tests, that the shear ductility of the DDS-cured epoxy was enhanced by the incorporation of PES. These results imply that
the intrinsic ductility, which had been enhanced by the PES addition, was only activated under the stress state change due
to the cavitation of the rubber particles. The availability of increasing matrix ductility seems to be responsible for the
increase in toughness.
This revised version was published online in November 2006 with corrections to the Cover Date. 相似文献
62.
TRT入口方管道爆裂原因剖析 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了鞍钢7#高炉TRT装置入口方管道爆裂事故经过,进行了原因分析,并提出了解决措施。 相似文献
63.
新一代银行大型机网络接入技术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
银行大型机网络接入技术的转型是当前一个非常重要的研究与应用课题。文章在成功实现银行大型机网络接入技术转型的基础上,分析了相关新技术,解决了转型中的关键问题,提出并实现了一种稳定高效的银行大型机网络接入技术方案,对银行大型机网络接入技术的转型具有指导意义,对银行信息化技术研究具有重要参考价值。 相似文献
64.
中国的主要水问题及水文学的机遇 总被引:13,自引:3,他引:10
芮孝芳 《水利水电科技进展》1999,19(3):18-21
从水资源开发利用与保护、水旱灾害防治等方面论述中国当前存在的主要水问题:水危机和水浪费同时存在、水污染日趋严重、防洪减灾任重道远、生态环境破坏严重、全球气候变暖产生不利影响;进而论述水文学研究面临的新课题:水文现象的不确定性、人类活动对水文的影响、水位频率计算、水资源开发利用的最佳效应、水资源供需分析、农业节水灌溉机理及水旱灾害的防治,并指出必须加强对这些新课题的研究 相似文献
65.
文章从“展览描述”、“展览性格分析”、“展览学术分析”三个层面对张永和作为独立策展人的首届深圳“城市\建筑”双年展进行解读与剖析。 相似文献
66.
大空域机动巡航导弹的模糊PID控制器设计 总被引:1,自引:1,他引:0
针对大空域机动巡航导弹下降转平飞过程中出现的强非线性特点.在俯仰通道设计了模糊PID双模控制方案。以高度误差和该误差变化量为输入.以高度误差为阀限.在高度误差较大时采用响应迅速的模糊控制器.较小时采用稳态精度较高的PID控制器。最后通过仿真表明通过该方案所控制的弹道符合方案弹道.满足设计指标要求。 相似文献
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Rui Morimoto Chisato Yokomori Akiko Kikkawa Akira Izumi Hideki Matsumura 《Thin solid films》2003,430(1-2):230-235
In this paper, bulk-Si metal–oxide–semiconductor field effect transistors (MOSFETs) are fabricated using the catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) method as an alternative technology to the conventional high-temperature thermal chemical vapor deposition. Particularly, formation of low-resistivity phosphorus (P)-doped poly-Si films is attempted by using Cat-CVD-deposited amorphous silicon (a-Si) films and successive rapid thermal annealing (RTA) of them. Even after RTA processes, neither peeling nor bubbling are observed, since hydrogen contents in Cat-CVD a-Si films can be as low as 1.1%. Both the crystallization and low resistivity of 0.004 Ω·cm are realized by RTA at 1000 °C for only 5 s. It is also revealed that Cat-CVD SiNx films prepared at 250 °C show excellent oxidation resistance, when the thickness of films is larger than approximately 10 nm for wet O2 oxidation at 1100 °C. It is found that the thickness required to stop oxygen penetration is equivalent to that for thermal CVD SiNx prepared at 750 °C. Finally, complementary MOSFETs (CMOSs) of single-crystalline Si were fabricated by using Cat-CVD poly-Si for gate electrodes and SiNx films for masks of local oxidation of silicon (LOCOS). At 3.3 V operation, less than 1.0 pA μm−1 of OFF leakage current and ON/OFF ratio of 107–108 are realized, i.e. the devices can operate similarly to conventional thermal CVD process. 相似文献
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