气动环隙阻尼器性能研究

分析了气动环隙阻尼器的近似延时公式 ,从运动全过程的角度推导了阻尼器的运动方程 ,研究了阻尼器的运动特性和工程设计准则。     

基于DVI-DVI处理器的两种亮度逐点算法分析

基于DVI-DVI处理器的亮度逐点校正算法有两种,即算法1和算法2.针对采用两种算法后在亮度偏差量以及数字电路设计方面的差异性进行分析.首先,通过色度学空间转换理论获得校正算法1和校正算法2的模型;然后,分别对采用两种算法引起的亮度偏差量进行对比,通过计算得到算法2和算法1的亮度偏差量比例系数kr;最后,对实现两种算法数字电路应用的资源进行对比.通过两种算法在这两方面的对比得出:算法2更适合应用于DVI-DVI处理器.     

基于分子炼油理念组合优化C8芳烃分离工艺

我国的C8芳烃行业正向全产业链方向发展。本文对某工厂现有的C8芳烃分离工艺进行了分析,基于分子炼油理念,对C8芳烃分离工艺进行了组合优化,以实现C8芳烃产量最大化的目标。     

非间断软件回归测试模型研究

软件测试是开发过程的重要环节。回归错误在开发过程中严重影响着开发的效率,其隐匿特性也使得测试比较困难。因此,本文提出一种非间断测试的模型,用于加强对回归错误的管理,节约不必要的无谓工作时间,提高软件开发的效率。这种模型对用户开发行为进行模拟和推测,在经过大量的数据训练后,寻找测试行为、错误发生等开发动作的捕获点,从而找到最佳的测试策略。在不影响开发人员工作的前提下,可对当前最新的代码进行测试,最大程度上避免回归错误长期隐藏在前期代码中,保持整个开发过程的稳步前进。     

陕西神府煤CS2溶剂萃取动力学研究

利用二硫化碳(CS2)溶剂对陕西神府煤样进行了索氏萃取,对萃取动力学特征进行了探讨。结果表明:萃取过程阶段性明显,其溶剂萃取过程大致可分为两个阶段,每个阶段都符合一级动力学方程,其中第一阶段的萃取速率比第二阶段萃取速率要大。     

Mn、Co掺杂SiC薄膜结构与光致发光性能研究

采用射频磁控溅射技术和复合靶材方法制备了掺Mn,掺Co和Co、Mn共掺的SiC薄膜,经高温退火后进行了光致发光(PL)谱的测量,还用X射线衍射(XRD),傅立叶变换红外光谱(FTIR),扫描电镜(SEM)等表征手段分析了薄膜的相结构和表面形貌,并与光致发光的结果进行了对比研究.结果表明,掺Mn、Co使SiC晶格发生畸变,X射线衍射峰强度下降,Si-C吸收谱变宽,Si-C键振动减弱,Si-O基团的振动增强.样品在室温条件下均呈现出强的紫光发射特性,发光峰均位于414nm(3.0eV),认为414nm处的光致发光峰对应于光激发产生的电子从导带底到Si空位浅受主能级之间的辐射跃迁,其强度取决于Si空位的浓度.     

基于嵌入式的EPON扩展DBA设计与实现

根据IEEE802.3ah协议设计与实现了一种基于ARM9和PAS5201的嵌入式新型EPON扩展DBA方法,并具体阐述了如何构建此系统的软硬件平台,在硬件设计上CPU与PAS5201采用16位总线通信的新设计方法,在软件设计上充分利用PAS-API函数,介绍了如何根据PAS5201的系统框架扩展用户的DBA算法.     

凝析气藏工业气流量计算方法

国土资源部颁发的《DZ/T 0217-2005 石油天然气储量计算规范》给出了我国东部地区气藏不同埋藏深度下估算的工业气流标准,但该标准没有考虑气藏储渗条件的影响,也没有明显体现凝析油成分对工业气流的影响,不适合凝析气藏的对照使用。根据投入产出平衡原理,提出了凝析气藏工业气流计算模型,以我国西部凝析气藏为例,根据目前各项参数测算了相应的工业气流,绘制了工业气流图版。提出的方法也适用于含硫化氢等其他复杂成分气藏工业气流的计算。     

2mm HM连接器短路失效分析

通过对2mm HM连接器发生安装短路失效分析发现:连接器端子间多余物是引起该短路故障的主要原因。该多余物为连接器端子冲压时因冲裁不彻底而残留的金属屑。卡在连接器端子与塑胶壳体间的金属屑,在PCBA组装压接过程中,刺破PCB阻焊膜,与顶层铜箔相连,造成短路失效。只有严格控制连接器生产工艺,加强质量检验,才能避免连接器安装短路故障的发生。     

电力行业信息化中的EAI技术应用

企业应用集成(Enterprise Application Integration)是解决企业内"信息孤岛"的有效方法.结合电力生产的实际特点,将EAI思想应用于电力企业生产中,详细分析了EAI平台的功能要求和构建步骤,整合电力企业各个系统的方法,对我国的电力企业信息化建设具有积极的意义.