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新型高k栅介质材料研究进展 总被引:5,自引:0,他引:5
随着半导体技术的不断发展,MOSFET(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的特征尺寸不断缩小,栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著,将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料,能够在保持和增大栅极电容的同时,使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义;MOS栅介质的要求;主要新型高k栅介质材料的最新研究动态;展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。 相似文献
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应用事故树法对深水井控进行风险评估 总被引:5,自引:0,他引:5
深水井喷事故危害极大,严重时可导致井眼报废、船毁人亡等恶性后果,预防和控制深水井喷是国内外石油界的一个技术难题。文中利用风险树分析引发深水钻井工程事故的顶事件,重点讨论各底事件的相互联系及对系统的影响程度,分析顶事件的发生概率,为最大程度地减少深水井控事故的发生提供理论依据。通过对深水钻井过程中存在的风险进行分析,构建了深水井控风险分析事故树,并对其进行了定性与定量分析。通过风险分析,认为深水井控最主要的影响因素是关井及压井时设备故障、设计方法及操作失误的影响超过安全极限。分析表明,降低基本事件的发生概率对预防井喷作用明显,基本事件发生概率提高1倍,井喷发生概率提高近10倍。针对深水井控过程中存在的风险因素,从工艺、装备及人员要求方面提出了预防深水井喷的措施。 相似文献