基于喇曼-奈斯衍射的MOEMS加速度计的设计与工艺实验

本文主要设计了一种新型的基于喇曼奈斯声光衍射的微光机电加速度计。它主要由一个声光移频器与一系列光波导构成。文章首先对器件的基础理论与基本原理做了简要的介绍。然后设计了一种基于弯曲板波的延迟线振荡器做为声光移频器,其克莱因-考克参数为0.38。设计了厚度2微米,宽度0.6微米的单模光波导用于光的传输,同时还设计了波导偏振器以保证波导内的光具有相同的偏振方向。接着,基于前文的设计,文中提出了基于硅工艺的器件加工方案与流程,并详细讨论了加工流程中存在的难点与问题。最后针对提出的难点与问题进行了一系列的工艺实验,找到了解决难点和问题并复合设计要求的工艺条件与参数,实验结果表面本文提出的器件的设计与加工是可靠可行的。     

激光熔覆镍基和钴基自熔合金的研究

本文采用镍基、钴基自熔合金通过激光熔覆获得性能优良的合金覆层,改善了叶片的耐磨性、耐蚀性,达到了提高使用寿命达10倍以上的目的。     

MPLS的框架及其关键技术

ＭＰＬＳ（Ｍｕｌｔｉｐｒｏｔｏｃｏｌ ａｂｅｌ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ：多协议标记交换）还是一项非常不成熟的技术,它目前正在由ＩＥＴＦ进行标准化。对ＭＰＬＳ的工过程进行了回顾,然后介绍了ＭＰＬＳ的体系结构,最后论述了ＭＰＬＳ目前急需解决的一些关键技术。     

国产4H-SiC SI衬底MESFET外延生长及器件研制

以国产衬底实现SiC加工工艺链为目标,采用国产4H-SiC半绝缘衬底材料外延得到4H-SiC MESFET结构材料.外延片XRD半宽43.2 arcs,方块电阻121点均匀性18.39%,随后制备出的具有直流特性的4H-SiC MESFET器件管芯,器件总栅宽250 μm,饱和电流密度680 mA/mm,跨导约为20 mS/mm,在20 V下的栅漏截止漏电为10 μA,2 mA下栅漏击穿电压为80 V.比例占总数的70%以上.初步实现从衬底到外延,进而实现器件的完整工艺链,为进一步的工艺循环打下良好基础.     

实时太赫兹探测与成像技术新进展

图像获取速率和空间分辨率一直是面向应用型太赫兹成像所要解决的关键问题。针对这一问题,学者们基于合成孔径雷达(SAR)成像技术、电磁干涉与压缩感知(CS)等理论,提出了太赫兹合成孔径成像、太赫兹干涉成像和太赫兹压缩感知成像技术,它们在成像速度和空间分辨率等方面具有良好的发展潜力。综述了上述三种方法,总结概括其各自的技术优势以及新近的研究进展。展望了太赫兹成像技术在军事、公共安全领域以及无损探伤等领域的应用前景。     

基于嵌入式Linux的USB字符设备驱动程序设计

在MPC8343嵌入式Linux环境下设计TUSB字符设备驱动程序,以实现PC主机和USB从设备之间的高速数据传输。介绍了USB器件驱动程序框架,并较为详细的介绍了该字符设备驱动程序设计。     

Monolithically Integrated Photodetector Array With a Multistep Cavity for Multiwavelength Receiving Applications

A monolithically integrated photodetector array used for multiwavelength receiving was realized by growth of an InP-In_0.53Ga_0.47As-InP p-i-n structure on a GaAs/AlGaAs Fabry-Perot filter. The filter with a multistep cavity was fabricated by wet etching and regrowth. Each photodetector in the array detects a different wavelength, so the array functions as a multiwavelength receiver. The high-quality GaAs/InP heteroepitaxy was realized by employing a thin low temperature buffer layer. The photodetector array detects four wavelength channels, whose interval is about 10 nm , around 1550 nm. A full-width half-maximum less than 0.5 nm , a peak quantum efficiency over 15%, and a 3-dB bandwidth of 9 GHz were simultaneously obtained in the photo-detector array.     

沟道应力对GaAs PHEMT材料电性能的影响

设计并用分子束外延(MBE)法制备了不同沟道结构的GaAs PHEMT材料,采用高分辨率X射线双晶衍射仪(DCXRD)、应力测试仪和霍尔测试仪对样品的结晶质量、薄层组分和厚度偏差、应力以及电子迁移率进行了分析表征。探讨了外延片应力与沟道结构的相关性,研究了沟道失配应力对电性能的影响机理。建立了GaAs PHEMT材料热应力引起电子传输特性退化的试验方法,进行了高温和低温存储后材料电性能的演化行为测试,并归纳了热应力引起材料电特性退化的实验结果。结果表明GaAs PHEMT材料经高、低温存储并恢复室温后仍能保持原有电性能,沟道应力对材料电性能的影响主要表现为失配应力。     

医院网络信息管理系统应急处理的探究

目前医院也逐渐开始智能化、网络化,医院网络信息管理系统的使用也越来越多。医生以及相应的管理人员再也不需要填写病例,开收各种单据了。很多医院都是采用一卡通形式,病人只需办理一张卡,里面就包含了病人的所有信息,包括病例信息,缴费信息等等,使用起来相当方便,也为医院节省了不少开支。伴随着医院网络信息管理系统的普遍使用,网络信息安全等问题也逐渐暴露出来,走入人们的视线。如何保证医院网络信息管理系统的安全同时也成为了业界所关注的问题。     

基于ARM的矿井下漏电保护装置的研究

针对当前矿井下漏电保护问题,设计了以ARM作为核心的矿井下电网的漏电保护装置,该装置可以解决矿井下总馈电开关和分支馈电开关的漏电保护问题,同时改善了漏电保护装置的动作性能,弥补了过去许多保护装置的不足,应用价值很高。