水性聚氨酯电导率与聚沉值的研究

研究了软（硬）段含羧基的水性阴离子纳米聚氨酯体系的n(NCO)/n(OH)比值，COOH的质量分类，反离子各类，合成方法与电导率关系及产生的原因；探讨了该体系的n(NCO)/n(OH)值，COOH的质量分数，合成方法与临界聚沉值（Cc.c)的关系和规律。并分析，比较了软（硬）段含羧基的水性阴离子聚氨酯体系电导率与Cc.c二者关系，得出了随COOH的质量分数升高，二者变化相同，随n(NCO)/n(OH)比值升高,二者变化相反的结论。     

偶联剂处理硅灰石填充不饱和聚酯树脂的研究

对针状硅灰石 (L∶D≥ 10∶32 5目 )提纯后 ,采用偶联剂进行表面处理 ,将硅灰石按不同比例填充于不饱和聚酯树脂体系中 ,研究了材料的性能。结果表明 ,改性后的硅灰石可显著改善不饱和聚酯的性能。     

北京谱仪端盖簇射计数器工作气体的研究

为使北京谱仪端盖族射计数器更好地工作在自猝灭流光ＳＱＳ模式下，提高其能量分辨以及线性等指标，用Ａｒ，ＣＯ２，Ｌｓｏｂｕｔａｎｅ三元工作气体对探测器的工作性能进行了仔细研究，找出了一适合于主雇地数器的工作气体，此外，还研究了异丁的纯度对探测器性能的影响。     

计算机技术图书分类标引存在的问题及对策

从文献分类的实践出发，提出了对计算机技术图书分类标引工作存在的问题，分析了问题的原因，提出了解决问题的方法。     

TV信号的多路传输及带宽压缩

本文阐述了时间压缩信号及其频谱、各种差分信号的产生方法及频带压缩过程.最后对图象带宽为4.2MHz的TV系统用8.4MHz带宽传送三个TV信号的具体执行力式作了介绍.     

溴化亚铜脉冲激光光动力学疗法治疗鲜红斑痣临床研究

用ＣｕＢｒ脉冲激光光动力学疗法治疗鲜红斑痣８例２１个区域，其中１１个区红色完全褪去，７个区残留少量浅色，３个区红色明显褪去，２０个区域无疤痕形成。     

从江苏苏南数字微波线路看广播电视专用网发展前景

新建微波干线电路采用高质量的数字微波设备是广电部科技工作会议的精神之一。本文介绍了江苏苏南数字微波线路，并从方案确定、技术实现、设备选型等方面进行分析比较，从而得到一个合理的整体方案。本文还着重阐述了数字传输的关键设备－编码器的现状与发展趋势，提出广播电视专用网多功能应用的设想。     

短毫米波和亚毫米波接收机的发展现状

本文概述了短毫米和亚毫米波接收机的发展现状，介绍了接收机的重要组成部件：混频器、振荡器和放大器的发展水平以及毫米波单片集成电路的现状，给出了接收机的最新性能指标。     

Suppression of boron penetration in p+ polysilicon gateP-MOSFETs using low-temperature gate-oxide N2O anneal

It has been reported that high-temperature (~1100°C) N₂ O-annealed oxide can block boron penetration from poly-Si gates to the silicon substrate. However, this high-temperature step may be inappropriate for the low thermal budgets required of deep-submicron ULSI MOSFETs. Low-temperature (900~950°C) N₂O-annealed gate oxide is also a good barrier to boron penetration. For the first time, the change in channel doping profile due to compensation of arsenic and boron ionized impurities was resolved using MOS C-V measurement techniques. It was found that the higher the nitrogen concentration incorporated at Si/SiO₂ interface, the more effective is the suppression of boron penetration. The experimental results also suggest that, for 60~110 Å gate oxides, a certain amount of nitrogen (~2.2%) incorporated near the Si/SiO₂ interface is essential to effectively prevent boron diffusing into the underlying silicon substrate