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61.
Zhang Haiying Liu Xunchun Yin Junjian Chen Liqiang Wang Runmei Niu Jiebin and Liu Ming 《半导体学报》2005,26(6):1126-1128
Millimeterwave transistor technology is very important for MMIC design and fabrication.An InP HEMT with sawtoothed source and drain is described.The pattern distortion due to the proximity effect of lithography is avoided.High yield InP HEMT with good DC and RF performances is obtained.The device transconductance is 1050mS/mm,threshold voltage is -1.0V,and current gain cut off frequency is 120GHz. 相似文献
62.
对1064nm谐振腔增强型(RCE)光电探测器(PD)的光电响应特性进行了分析研究.利用MBE生长技术得到有源区分别为量子阱和量子点的1064nm RCE探测器的外延片,并对制作的探测器进行了各种光电特性测试.结果表明量子阱结构的RCE探测器量子效率峰值达到57%,谱线半宽6~7nm,峰值波长1059nm;而量子点结构的RCE探测器量子效率峰值达到30%,谱线半宽5nm,峰值波长1056nm.通过分析量子效率和吸收系数之间的关系,对两种结构器件的吸收进行了比较,发现虽然量子点探测器的吸收小,但通过合理设计共振腔等方法也可以达到较高的量子效率.两种结构的器件都有很好的I-V特性. 相似文献
63.
1 引言1993年 9月美国政府提出“信息高速公路计划” ,掀起了全球开发高速通信网的热潮 ,基于电路交换的数字数据网 (DDN)、窄带综合业务数字网 (ISDN) ;基于分组交换的光纤分布数据接口网 (FDDI)、FR帧中继网以及ATM等技术的出现 ,使通信网能在干线或局域网中实现高速大容量的信息传递。然而这些网络大多为共享型 ,传输量有限 ,易形成“瓶颈”现象 ,因此目前制约通信的主要障碍是接入网技术 ,即“最后 1km”问题。HFC有线电视网以其频带宽、容量大、低成本、双向性等优势 ,并兼顾现有的模拟信息和数字信息 ,是目前接… 相似文献
64.
Niu Zhichuan Han Qin Ni Haiqiao Yang Xiaohong Xu Yingqiang Du Yun Zhang Shiyong Peng Hongling Zhao Huan Wu Donghai Li Sh 《半导体学报》2005,26(9):1860-1864
Material growth and device fabrication of the first 1.3μm quantum well (QW) edge emitting laser diodes in China are reported.Through the optimization of the molecular beam epitaxy (MBE) growth conditions and the tuning of the indium and nitrogen composition of the GaInNAs QWs,the emission wavelengths of the QWs can be tuned to 1.3μm.Ridge geometry waveguide laser diodes are fabricated.The lasing wavelength is 1.3μm under continuous current injection at room temperature with threshold current of 1kA/cm2 for the laser diode structures with the cleaved facet mirrors.The output light power over 30mW is obtained. 相似文献
65.
500 V体硅N-LDMOS器件研究 总被引:2,自引:0,他引:2
借助Tsuprem-4和Medici软件详细讨论分析了高压N-LDMOS器件的衬底浓度、漂移区注入剂量、金属场极板长度等参数与击穿电压之间的关系,通过对各参数的模拟设计,最终得到兼容体硅标准低压CMOS工艺的500V体硅N-LDMOS的最佳结构、工艺参数,通过I-V特性曲线可知该高压N-LDMOS器件的关态和开态击穿电压都达到500V以上,开启电压为1.5V,而且制备工艺简单,可以很好地应用于各种高压功率集成芯片。 相似文献
66.
一种基于固定TDMA的无冲突动态时隙分配算法 总被引:1,自引:0,他引:1
本文提出了一种适用于Adhoc网络的动态时隙分配TDMA算法——IP-TDMA算法,该算法以一种新颖的方式在固定TDMA的基础上叠加了优先级竞争机制,既有最差性能保障,又有较高信道利用率。通过采用一种特殊的帧结构,P-TDMA算法还可以避免信令分组的碰撞,是一种有效而又可靠的广播动态时隙分配TDMA算法。仿真结果表明,无论在吞吐量还是迟延方面,P-TDMA算法都比固定TDMA表现出更好的性能。 相似文献
67.
潜在指印的显现是物证检验技术中的关键问题之一,而紫外(UV)照相技术是显现潜在指印等隐性痕迹物证的重要技术手段。采用266 nm紫外固体激光器为激发光源,利用人体指印固有物质成分对紫外光具有特殊的吸收、反射、散射及荧光特性,减弱或消除指印背景上的图案和其他细节干扰,增加指印纹线与背景的亮度反差,显出或增强潜在指印。通过紫外反射照相及紫外固有荧光照相技术,分别实现了对彩色杂志纸张、玻璃、电话背面、木纹桌面油漆面4种非渗透性物证检材及牛皮纸信封、便签纸2种渗透性物证检材表面遗留的新鲜及陈旧潜在指印的无损检测显现,并具有鉴定价值。 相似文献
68.
300mm铜膜低压低磨料CMP表面粗糙度的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
随着集成电路特征尺寸的减小、低k介质的引入及晶圆尺寸的增加,如何保证在低压无磨料条件下完成大尺寸铜互连线平坦化已经成为集成电路制造工艺发展的关键。采用法国Alpsitec公司的E460E抛光机在低压低磨料的条件下,研究了12英寸(1英寸=25.4 mm)无图形(blanket)铜膜CMP工艺和抛光液配比对抛光表面质量的影响。实验结果表明,在压力为0.65 psi(1 psi=6.89×103 Pa),抛光液主要成分为体积分数分别为5%的螯合剂、2%的氧化剂和3%的表面活性剂。抛光后表面无划伤,表面非均匀性为0.085,抛光速率为400 nm.min-1,表面粗糙度为0.223 nm,各参数均满足工业化生产的需要。 相似文献
69.
针对时间反转(TR)多输入多输出(MIMO)雷达多重信号分类(MUSIC)算法计算量庞大的问题,提出一种基于时间反转的MIMO雷达实值MUSIC算法。首先,通过采用降维思想对TR MIMO回波信号进行降维处理,来减少计算量;然后,为将协方差矩阵转化到实数域,构造酉变换矩阵进行实值变换;最后,分解出实值协方差矩阵的噪声子空间,构造谱函数估计信号波达角。相对于传统的MUSIC算法,该算法借助实值变换剔除了复数运算,极大地降低了计算量,而且不需要空间平滑降低阵列孔径就具有解相干的能力。仿真结果证实了算法的正确性。 相似文献
70.