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A closed form expression for the bit error rate (BER) performance of frequency domaindifferential demodulation(FDDD) for orthogonal frequency division multiplexing system in flat fadingchannel is derived.The performance is evaluated by computer simulation and compared with the timedomain differential demodulation(TDDD).The results indicate that the performance of FDDD is betterthan that of TDDD,and the lower band of BER in the former is lower than that of the latter. 相似文献
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中国市场上的葡萄酒产品价格一直为媒体所诟病,要正确认识这一问题就需要梳理葡萄酒价格的构成及其定价方法。文章通过简要介绍中国市场上的葡萄酒瓶装酒的成本构成因素,进而分析了葡萄酒生产企业及分销渠道成员所采取的定价策略,还试图得出葡萄酒产品在中国市场上的价格走势。 相似文献
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A rock failure process analysis model, RFPA2D code, a two-dimensional numerical code, were proposed. The code not only satisfied the global equilibrium, strain consistent and nonlinear constitutive relationship of rock and soil materials but also took into account the heterogeneous characteristics of rock materials at macroscopic and microscopically level. The failure behavior of tunnel could be simulated by this numerical model. The model could realistically simulate the fracture behavior of tunnel by excavation loading, strength limits, and post peak response for both tension and compression. As the proposed method was used to conduct the stability analysis of tunnel, the safety factor of tunnel was defined as the ratio of actual shear strength parameter to critical failure shear strength parameter. Not only the safety factor of tunnel with specific physics meaning can be obtained, but also the overall failure process and the location of failure surface may also be determined at the same time. 相似文献
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论文对《采矿工程设计手册》中有关几处力学计算提出质疑,如弯矩图的方向问题、水闸门的计算问题以及混凝土强度指标等问题.这些问题正确与否将影响工程的设计质量、工程质量、安全生产与经济效益,应引起人们重视. 相似文献
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本文针对燃烧煤矸石中温中压35吨/小时自然循环沸腾锅炉,分析主要蒸发受热面埋管在运行中磨损的因素,通过实践,确定在管外壁焊接材质为A 3钢的Φ12圆钢鳍片,是最为可行的一种方法。 相似文献
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采用射频磁控溅射技术和复合靶材方法制备了掺Mn,掺Co和Co、Mn共掺的SiC薄膜,经高温退火后进行了光致发光(PL)谱的测量,还用X射线衍射(XRD),傅立叶变换红外光谱(FTIR),扫描电镜(SEM)等表征手段分析了薄膜的相结构和表面形貌,并与光致发光的结果进行了对比研究.结果表明,掺Mn、Co使SiC晶格发生畸变,X射线衍射峰强度下降,Si-C吸收谱变宽,Si-C键振动减弱,Si-O基团的振动增强.样品在室温条件下均呈现出强的紫光发射特性,发光峰均位于414nm(3.0eV),认为414nm处的光致发光峰对应于光激发产生的电子从导带底到Si空位浅受主能级之间的辐射跃迁,其强度取决于Si空位的浓度. 相似文献