天然气井作业屏蔽暂堵技术的研究与应用

在天然气井进行井下作业前，将暂堵剂挤入生产层位附近，以暂时封堵生产层，使地层压力不被释放，井筒内的压井液不污染地层，待施工作业结束后，及时进行解堵，确保天然气井不受伤害或少伤害，从而恢复天然气井的生产能力。针对天然气井大修作业时，经常补充压井液，由于作业时间长，大量压井液进入地层，造成严重污染，导致天然气井恢复生产困难的问题，研制出一种新型气井作业的屏蔽暂堵剂，具有污染小，易解堵等特点，有效解决了大修污染问题，现场应用取得良好效果。     

油气操作成本预测方法研究

油气操作成本在油气生产中占有较大的比重，油气操作成本的高低直接影响油田开发的经济效益。为了有效地控制油田油气操作成本，根据影响油气操作的因素，将油气操作成本按其影响因素进行分类，对基本运行费和油气处理费采用回归预测的方法，通过对相关数据的收集，建立对应的数学模型进行预测，对其他各项操作成本，采用单位费用和计划工作量进行预测，最后进行汇总，得到油气操作成本，其预测结果可作为油气操作成本计划制订的依据。该方法简单、操作性强，预测效果较好，在油田可以推广使用。     

液压多功能小件落物打捞器的研制与应用

由于侧钻井、水平井特殊井身结构限制，常规的小件落物打捞器打捞成功率低。为此经过认真分析和现场实践，将常规机械操作的一把抓改成液压操作，常规强磁打捞器的圆柱形平面磁铁改成具有伸缩性的磁针，同时结合套铣筒，研制出一种液压多功能小件落物打捞器，克服了侧钻井、水平井井身结构的限制，大大提高了一次打捞成功率，现场应用效果明显。     

CO2吞吐工艺操作参数的整体优化设计

针对ZY油田原油CO2吞吐的工艺过程，建立了CO2吞吐数值模拟模型。应用数值模拟方法对CO2吞吐进行了实例分析，首先对该井的CO2吞吐参数进行了单因素敏感性分析，分析了CO2周期注入量、注入速度、焖井时间、采液速度等因素对CO2吞吐效果的影响。在此基础上进一步运用正交试验方法对CO2吞吐参数进行了优化，通过计算表明用正交试验优选法得到的优化方案比单因素敏感性分析所得的优化结果更为合理。     

川东气藏直井完井方法的产能预测研究

在分析研究目前国内外油气井完井产能计算经验公式的基础上，针对四川气田东部浅层气藏常用的几种完井方式，建立了该地区完井产能预测的数学模型。通过实例计算，表明了其数学模型的准确可行性，并为出砂井和非出砂井的完井方式提供了选择依据：对于出砂井，砾石裸眼充填完井方式是最理想的完井方式；对于非出砂井，实际裸眼完井的产能最大。得出的结论对该地区直井完井方式的选择，完井参数优化设计以及产能预测具有一定的指导作用。     

关于天然气水合物钻采工艺技术进展的研究

目前全球正面临着前所未有的能源危机，天然气水合物由于储量大、能量密度高而将成为一种诱人的新型能源。天然气水合物主要存在于冻土带和海洋，在地下处于低温和高压状态，以现有的技术，钻井和开采都存在很大的困难。简要介绍了天然气水合物的性质及储量，阐述了天然气水合物钻井的六个挑战及目前国外天然气水合物的两种钻探方法；同时阐述了以热力法、降压法和化学试剂注入法为主的天然气水合物开采方法，并针对天然气水合物钻采技术现状指出了下一步的研究方向。     

无线区域网和认知无线电技术3

802．22 工作组的主要任务是开发和建立一套基于认知无线电(CR)技术, 在现有电视频段利用暂时空闲的频道进行无线通信的区域网空中接口标准。由于基于802．22 协议的无线区域网(WRAN)工作在现有电视频段中 , 要求不能对正在广播的电视频道产生干扰 , 所以WRAN采用了认知无线电技术 , 对电视频段进行感知和测量 , 利用动态频谱管理技术找到空闲频道进行再分配。认知无线电技术将是未来无线通信的发展方向之一。本讲座分3 期对无线区域网和认知无线电技术进行介绍, 第1 讲已经介绍无线区域网络和IEEE 802．22工作组情况 , 包括WRAN背景、802．22 系统、802．22空中接口等；第2讲已经介绍认知无线电技术和实现其的基础软件无线电(SDR)技术 , 包括无线电知识描述语言(RKRL)和认知循环、无线电频谱礼仪等；本讲介绍802．22 WRAN频谱共存问题和认知无线电技术的应用。     

直线电机抽油机与游梁式抽油机性能对比

攻克了直线电机大推力的关键技术,研制成功了具有国际领先水平的直线电机抽油机。这种抽油机最大特点是改变了过去各种抽油机将电能转变为旋转运动,再通过机械方式转变为直线往复运动的方式,通过变频和控制直接将电能转变为直线往复运动。与游梁式抽油机相比,直线电机抽油机不但提高了机械效率,而且能够实现抽汲参数的无级调整,进而能够根据抽油的需要调整悬点运动规律,具备智能化控制和远程监控的有利条件。     

等离子体刻蚀工艺控制模型分析

讨论了主因素分析法以及神经网络法在等离子体刻蚀工艺中的应用.结果表明主元素分析法可以实现对数据的压缩,而神经网络算法则显示出比传统的统计过程控制算法更好的准确性.     

Fabrication of Schottky barrier MOSFETs using self-assembly CoSi2 nanopatterning and spacer gate technologies

A self-assembly patterning method for generation of epitaxial CoSi₂ nanostructures was used to fabricate 50 nm channel-length MOSFETs. The transistors have either a symmetric structure with Schottky source and drain or an asymmetric structure with n⁺-source and Schottky drain. The patterning technique is based on anisotropic diffusion of Co/Si atoms in a strain field during rapid thermal oxidation. The strain field is generated along the edges of a mask consisting of 20 nm SiO₂ and 300 nm Si₃N₄. During rapid thermal oxinitridation (RTON) of the masked silicide structure, a well-defined separation of the silicide layer forms along the edge of the mask. These highly uniform gaps define the channel region of the fabricated device. The separated silicide layers act as metal source and drain. A poly-Si spacer was used as the gate contact. The asymmetric transistor was fabricated by ion implantation into the unprotected CoSi₂ layer and a subsequent out-diffusion process to form the n⁺-source. I–V characteristics of both the symmetric and asymmetric transistor structures have been investigated.