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This paper investigates load-pull measurement of AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) at different numbers of gate fingers. Scalable small-signal models are extracted to analyze the relationship between each model''s parameters and the number of device''s gate fingers. The simulated S-parameters from the small-signal models are compared with the reflection coefficients measured from the load-pull measurement system at X-band frequencies of 8.8 and 10.4 GHz. The dependency between the number of device''s gate fingers and load-pull characterization is presented. 相似文献
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一种基于微结构的GaAs HEMT的压阻系数 总被引:1,自引:0,他引:1
GaAs HEMT(高电子迁移率晶体管)位于微结构悬臂梁根部附近的最大应力处。介绍了GaAs HEMT和微结构的设计加工,并通过实验研究了GaAs HEMT在平行于HEMT生长方向(Z方向)单轴应力作用下的力电耦合特性。测试结果表明:GaAs HEMT不同偏压下压阻系数不同,且它的最大压阻系数为(1.72±0.33)×10-7Pa-1,比Si高出三个数量级。 相似文献
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以广电总局推荐的地面数字电视工作模式5为理论基础,首先理论分析了影响地面数字单频网内产生同频干扰现象的技术参数;其次通过仿真规划软件调整相关技术参数,同时观察单频网内同频干扰区域分布情况并总结规律;最后根据已知技术参数对干扰区域的影响,尝试提出消除覆盖区域内同频干扰现象的优化方案,并通过仿真规划软件进行模拟. 相似文献
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Strain Sensors: Large‐Area Ultrathin Graphene Films by Single‐Step Marangoni Self‐Assembly for Highly Sensitive Strain Sensing Application (Adv. Funct. Mater. 9/2016) 下载免费PDF全文
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Strain Sensing: Graphene Reinforced Carbon Nanotube Networks for Wearable Strain Sensors (Adv. Funct. Mater. 13/2016) 下载免费PDF全文
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页岩气藏的特点是无机基质孔隙、有机基质孔隙、天然裂缝孔隙、水力裂缝孔隙和吸附相孔隙并存。实验室和数学研究表明页岩气藏可以由五种孔隙度模型和干酪根溶解气储集机制来描述。基于Orozco和Aguilera方程,考虑页岩吸附气量和溶解气量随地层压力的变化以及两者对游离气储集空间的影响,建立页岩凝析气藏物质平衡方程。以Orozco和Aguilera文中的页岩凝析气藏为例,首先进行储量回归得到基质和裂缝游离气储量,再计算吸附气和溶解气储量以及总储量,然后根据各个储量所占比例计算一系列G_(pt)值(总的累计产气量),作p/Z_2(压力/两相气体偏差因子)和G_(pt)的关系曲线,与生产历史数据拟合较好。与Orozco和Aguilera的结果相比,总储量相差3%,各个储量所占比例也不尽相同。 相似文献
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100.
来源于珊瑚诺卡氏菌Nocardia corallina的限制性内切酶NcoI是基因工程中常用的工具酶之一。然而目前NcoI蛋白质三维结构尚未被解析,对其基因改造缺乏理论指导。为了解析NcoI的三维结构,采用大肠杆菌表达系统,高效重组表达和纯化,获得了纯度>95%的NcoI野生型和Se-NcoI硒代蛋白。质谱分析表明,重组Se-NcoI蛋白中所有硫原子成功被硒原子取代。酶切实验表明,硒代蛋白与野生型具有相似的限制酶活性。采用坐滴法筛选重组NcoI蛋白结晶条件,已在3种条件下获得针状晶体,1种条件下获得颗粒状晶体。X射线衍射初步分析晶体分辨率在0.8 nm左右,为下一步解析NcoI三维结构提供了基础。 相似文献