嵌入式操作系统在HDTV机顶盒中的应用

介绍一个高清晰度电视机顶盒方案中软件系统的系统结构，阐述了机顶盒软件中使用的嵌入式操作系统STLite/OS20的原理及其特点，并举例说明了这个嵌入式操作系统在机顶盒系统中的使用。     

声诱饵仿真试验系统

介绍了声诱饵仿真试验系统的组成、工作原理、对接装置结构等,建立了对接装置声耦合状态下的数学模型,对近场声压分布进行了仿真计算,得出了匹配材料厚度、发射和接收换能器的选取原则。     

日本清酒入门(五)

简要介绍日本清酒的生产方法，包括酒的知识、精米、蒸米、制曲、酵母、分析、勾兑等。     

一种实现非等带宽多载波调制的新方法

传统的多载波调制都是采用对传输信道进行等带宽划分的方式。为了更好地适应信道传输特性，一个很有应用前景的发展方向是采用非等带宽划分信道的多载波调制方式。本文提出了一种利用正交小波包变换实现的非等带宽划分信道的多载波调制方法。理论分析和实验结果表明，这种方法对于提高信道的传输性能有很大的潜力。     

PMN-PT陶瓷中的氧缺位及其消除

研究了组成中Pb含量的变化对组成为Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3的铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)陶瓷压电性能的影响,发现化学计量比组成(x=1)的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷经常出现压电性能的大幅度退化现象,而A位适量缺Pb能稳定地获得高性能的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷。XPS元素价态分析的结果表明,化学计量比的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷中含有较多的氧缺位,氧缺位的产生源于MgNb2O6(MN)合成过程中的气氛差异,A位适量缺Pb能有效地消除这种氧缺位而稳定地获得正常的压电性能,其机理被认为是氧缺位与铅缺位的复合。     

HNO3和有机介质中U（Ⅳ）的稳定性研究

研究了ＨＮＯ＿３和ＴＢＰ－煤油介质中Ｕ（Ⅳ）的稳定性。测定了两种介质中Ｕ（Ⅳ）、ＨＮＯ＿３、ＴＢＰ浓度和气相中氧浓度对Ｕ（Ⅳ）氧化速率的影响。Ｕ（Ⅳ）的氧化速率都随温度提高而明显增加．其表观活化能分别为９１ｋＪ／ｍｏｌ（ＨＮＯ＿３介质）和４２ｋＪ／ｍｏｌ（ＴＢＰ－煤油介质）。对两种介质中Ｕ（Ⅳ）的氧化速率规律进行了比较。     

乘累加运算器的高性能解决方案

在设计数字信号处理器时我们经常要设计高性能的乘累加运算器，文章详细分析了乘累加运算器的结构，提出了其高性能设计方案并采用标准单元进行了实现，同时提出了DCT运算单元的高性能解决方案。     

一种基于阵列式触觉传感器的主动触觉搜索方法及仿真

本文在一种二指节手指模型的基础上，提出了一种新的主动触觉搜索策略和方法，综合利用阵列式触觉传感铭的输出图象来不断改变机械手的姿态，从而依次有序地搜索到三维物体的特征点，并据此生成物体的三维图形。此外还讨论了上述方法的计算机仿真实现。     

Low temperature wafer direct bonding

A pronounced increase of interface energy of room temperature bonded hydrophilic Si/Si, Si/SiO₂, and SiO₂/SiO ₂ wafers after storage in air at room temperature, 150°C for 10-400 h has been observed. The increased number of OH groups due to a reaction between water and the strained oxide and/or silicon at the interface at temperatures below 110°C and the formation of stronger siloxane bonds above 110°C appear to be the main mechanisms responsible for the increase in the interface energy. After prolonged storage, interface bubbles are detectable by an infrared camera at the Si/Si bonding seam. Desorbed hydrocarbons as well as hydrogen generated by a reaction of water with silicon appear to be the major contents in the bubbles. Design guidelines for low temperature wafer direct bonding technology are proposed