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研究了红外频段非线性s偏振表面波在反铁磁晶体和电介质交界面上的频率特性,求出了非线性色散方程,揭示了非线性s偏振表面波存在一个临界频率,低于这个频率,非线性s偏振表面波的频率范围,发现功率不再是决定导波频率范围的唯一因素,两种材料的介电常数比在这里起了至关重要的作用。 相似文献
133.
134.
本文报道采用液相外延(LPE)生长和传统光刻制管工艺研制出引入多层(三层或三层以上)中间能带隙过渡的吸收区、倍增区分离的InGaAs(P)/InP雪崩光电二极管(简称InGaAs(P)/InPSAGMAPD),其技术指标为:击穿电压VB=40~90V;0.9VB时的暗电流Id最小可小于10nA;1.3μm时光响应度Re=0.6~0.8A/W,倍增因子M≥20(Mmax>40),过剩噪声因子F≌5和较宽频带响应特性。 相似文献
135.
采用ZG31Mn2Si替代ZGMn13生产拖拉机和推土机履带板.改进铸造工艺,可以生产出合格的铸件;经淬火、低温退火处理,其基体组织为马氏体,属强韧性钢种,能够切削加工. 相似文献
136.
介绍了综合运用NOAA AVHRR和Landsat TM数据进行多年水稻种植面积监测的一种方法,以湖北省为例,首先运用Landsat TM数据计算了该省1992年的水稻种植面积;接着运用1992年和1994年的NOAA AVHRR数据分别计算这两年的水稻像元数,以这两年水稻像元数的变化来反映水稻种植面积的变化;最后运用线性模型,估算1994年的水稻种植面积。所得的1994年水稻种植面积与湖北省农调队资料相比精度为84.5%。运用同样的方法估算1995年该省的水稻种植面积,精度达90%以上。 相似文献
137.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
138.
制作压力传感器时,在二氧化硅层上淀积多晶硅膜,既可利用优良的机械特性,又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性,由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明,这类传感器具有灵敏度好,精度高等特点,电路工作范围为0-250℃,且具有良好的温度稳定性。 相似文献
139.
Jing BI Zongyi MA Shengjin WU Yuxiong LU Hongwei SHEN Institute of Metal Research Academia Sinica Shenyang China 《材料科学技术学报》1993,9(1):61-64
The microstructure and tensile properties of Al_4C_3 dispersion strengthened Al composite fabricatedby reaction milling technique were investigated.It is indicated that the rod-like Al_4C_3 dispersoidshaving a diameter of 0.02-0.03 μm and a length of 0.1-0.3μm are formed by reaction of C with Al,and uniformly distributed in the Al matrix.The interface between Al_4C_3 and Al is clean and theinterfacial bonding is good.The matrix consists of the subgrains which have the size of 0.3-0.4μm,and most of the Al_4C_3 dispersoids are distributed on the subgrain boundaries.The 11 vol.-%Al_4C_3/Al composite exhibits an UTS (ultimate tensile strength) of 400 MPa and anelongation-to-failure of 8.0%. 相似文献
140.