全文获取类型
收费全文 | 839篇 |
免费 | 86篇 |
国内免费 | 44篇 |
专业分类
电工技术 | 72篇 |
综合类 | 54篇 |
化学工业 | 114篇 |
金属工艺 | 75篇 |
机械仪表 | 44篇 |
建筑科学 | 78篇 |
矿业工程 | 23篇 |
能源动力 | 27篇 |
轻工业 | 22篇 |
水利工程 | 27篇 |
石油天然气 | 33篇 |
武器工业 | 5篇 |
无线电 | 112篇 |
一般工业技术 | 71篇 |
冶金工业 | 30篇 |
原子能技术 | 23篇 |
自动化技术 | 159篇 |
出版年
2024年 | 7篇 |
2023年 | 14篇 |
2022年 | 32篇 |
2021年 | 34篇 |
2020年 | 26篇 |
2019年 | 19篇 |
2018年 | 34篇 |
2017年 | 23篇 |
2016年 | 21篇 |
2015年 | 30篇 |
2014年 | 31篇 |
2013年 | 49篇 |
2012年 | 63篇 |
2011年 | 46篇 |
2010年 | 52篇 |
2009年 | 54篇 |
2008年 | 52篇 |
2007年 | 48篇 |
2006年 | 51篇 |
2005年 | 42篇 |
2004年 | 38篇 |
2003年 | 21篇 |
2002年 | 21篇 |
2001年 | 16篇 |
2000年 | 18篇 |
1999年 | 27篇 |
1998年 | 15篇 |
1997年 | 11篇 |
1996年 | 13篇 |
1995年 | 14篇 |
1994年 | 16篇 |
1993年 | 12篇 |
1992年 | 5篇 |
1991年 | 5篇 |
1990年 | 2篇 |
1989年 | 1篇 |
1988年 | 1篇 |
1987年 | 2篇 |
1986年 | 2篇 |
1985年 | 1篇 |
排序方式: 共有969条查询结果,搜索用时 15 毫秒
92.
行波磁场发生器上磁场分布及其熔体充型特征 总被引:2,自引:0,他引:2
利用ANSYS软件,计算了行波磁场发生器上方的磁场变化规律,并与试验检测结果进行了对比,两者结果吻合较好。发现了与行波磁场极距相关的临界熔体长度现象,当熔体长度小于临界长度时,行波磁场对熔体的运动不产生影响,该临界长度与极距有关。金属熔体在行波磁场铸造充型过程中受到6个力的作用,这6个力共同作用的结果使熔体充型过程中速度的变化存在加速、匀速、减速的变化规律,解释了与此相对应的铸造缺陷如冷隔、浇不足等形成的原因,并提出了两种改变磁场分布的方法。ANSYS计算结果表明,用这两种方法可以实现递减分布的磁场。 相似文献
93.
Chun Jiang Weisheng Hu Qingji Zeng 《Quantum Electronics, IEEE Journal of》2003,39(10):1266-1271
Based on the homogenous model and inhomogeneous model of concentration quenching of erbium-doped fiber amplifier with high doping concentration, the rate equation and power evolution equation of erbium-doped phosphate fiber are solved numerically and analyzed. The dependence of the calculated gain and noise figure on pump power is compared with experimental data, and the results indicate that the combined model of the two models is in good agreement with experimental data. The relative number of clusters in erbium-doped phosphate fibers is estimated from the numerical analysis, and the optimal doping concentration and length of erbium-doped phosphate fibers are proposed in this paper. By numerical analysis, the results show that with 200-mW/980-nm pump power, an erbium-doped phosphate fiber amplifier with a doping concentration of 4.0/spl times/10/sup 26/ ion/m/sup 3/ and length of 10 cm may reach 27.0-dB gain. 相似文献
94.
自动交换光网络中的节点技术 总被引:5,自引:0,他引:5
本文首先通过对几个典型产品的描述,回顾了自动交换光网络节点技术的发展,然后归纳出自动交换光网络节点的功能要求和属性,之后,从不同方面对光节点进行分类整理,并重点论述光交叉连接器的六种基本结构以及一种多颗粒度的通用结构,最后综述了所涉及到的光电子器件,尤其是微机电系统(MEMS)光开关。 相似文献
95.
96.
97.
98.
Li Jingqi Yue Weisheng Guo Zaibing Yang Yang Wang Xianbin Syed Ahad A. Zhang Yafei 《纳微快报(英文)》2014,6(3):287-292
Nano-Micro Letters - A vertical carbon nanotube field-effect transistor (CNTFET) based on silicon (Si) substrate has been proposed and simulated using a semi-classical theory. A single-walled... 相似文献
99.
100.