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151.
带有防离子反馈膜的微通道板是第三代微光像增强器件中的核心部件。文章阐述了防离子反馈膜的电子透过、离子阻止特性,利用Monte-Carlo模拟方法计算了氧化铍和三氧化二铝防离子反馈膜电子透过率和离子阻止率在不同条件下的变化曲线。模拟结果表明,氧化铍薄膜比三氧化二铝薄膜的电子透过特性好,而三氧化二铝薄膜比氧化铍薄膜的离子阻止本领好,证实了氧化铍作为防离子反馈膜的可行性。  相似文献   
152.
为平衡混沌映射中结构与性能的关系,保证加密系统安全性,提出一种基于余弦-指数混沌映射的分块图像加密算法。首先,通过非线性指数项对引入了Tent种子映射的余弦映射进行调制,构造新型余弦-指数混沌映射,并利用SHA-256函数产生与明文相关的密钥,生成随机性较强的混沌序列,实现一次一密;然后,基于拉丁方和位级转换,通过两轮拉丁方索引和比特位拼接,分别设计双重拉丁方和扩展比特位算法,并结合二维约瑟夫序列,对块间预置乱后的明文进行块内置乱,实现不同分块的差异化置乱;最后,基于Zig-Zag变换,采用环状仿Zig-Zag变换设计交叉Zig-Zag变换方法,将中间密文与混沌序列进行双向非线性扩散,实现同时改变像素位置与大小,完成图像加密。实验结果表明,该算法密钥空间大,能有效抵御差分分析和统计分析等典型攻击,具有较好的加密效果。  相似文献   
153.
为了改善在复杂环境下声源定位算法的性能,提出了一种新的时延估计(TDE)方法,即基于传递函数比的统计模型方法(ATFR-SM)。该方法采用统计模型去除噪声对传递函数(ATF)的影响,在计算传递函数时对功率谱密度(PSD)进行平滑和“白化”,以去除混响对传递函数的影响。同时,算法中引入话音激活检测(VAD)去除对求取传递函数无用的噪声段,以提高时延估计的准确性。此外,将所提时延估计方法与线性定位法相结合,构成一套完整的声源定位方法。实验结果表明,在复杂环境下,时延估计方法具有更低的异常点百分比(PAP)和均方根误差(RMSE),且明显优于传统的参考算法,同时声源定位方法具有更高的定位精度。  相似文献   
154.
多流问题研究多对源、宿节点之间所能达到的最大吞吐。在无线网络中,解决该问题的关键在于量化无线干扰。由于网络编码能够在一定程度上克服无线干扰的影响,因此通过使用超边来描述编码发送,并构造关于超边的冲突图,可以实现对网络编码条件下无线干扰(以协议干扰模型为例)的量化,进而解决网络编码条件下的多流问题。此外,针对在超边冲突图中搜集所有极大独立集的NP难问题,提出了一种实用的搜集算法,并给出了相关的数字结果。  相似文献   
155.
针对激光销毁弹药,运用ANSYS数值模拟方法和单因素数据处理方法,对不同弹体材质对激光辐照销毁弹药温度场进行了仿真研究,结果表明:弹体材质对激光销毁弹药温度场分布影响不显著,对于弹体用钢较多的60Si2MnA材质和D60材质,激光辐照弹体背面最高温度较为接近。  相似文献   
156.
陆悠  罗军舟  李伟  于枫  夏怒 《通信学报》2013,34(7):8-80
用户复杂的行为往往会导致网络状态出现波动,破坏网络平稳运行,由于指标及权重的主观性和静态性,传统评估方法难以准确衡量用户行为对网络状态变化的影响程度。因此引入粗糙集理论,构建一种面向网络状态的自适应用户行为评估方法,使用属性约简和属性重要度方法对用户行为和网络状态数据进行挖掘,分析用户行为与网络状态变化的关联程度,以此自适应构建评估指标及权重,并随用户行为变化而动态调整,从而准确地量化用户行为对网络状态变化的影响程度。实验结果表明,该评估方法有助于准确发现造成网络状态变化的用户及其行为,能够为加强对用户行为的管控提供有效支持。  相似文献   
157.
利用激光雷达探测大气波导具有抗电磁干扰能力强、保密性高、机动性强等优点,大气折射率和消光系数是激光传输情况的重要参考指标.文中采用激光后向散射式测量仪对1.064 μm波长激光大气传输的消光系数进行测量,并同步测量温度、湿度和大气压强来测量大气折射率,用实验数据和仿真研究激光雷达传输消光系数与大气折射率之间的相关性,结论表明二者之间存在线性关系相关,可为激光探测技术提供理论和实验参考.  相似文献   
158.
结合图像处理与模式识别技术提取等离子射流的形态特征,采用射流狭长度对其进行表征.采用数据挖掘技术将等离子弧电流、电压参数和射流狭长度特征进行聚类分析,构造对等离子熔射过程中射流发生子系统进行智能化控制的知识库.根据涂层的残余应力、孔隙率和硬度等主要性能参数以及微观组织结构对分类结果进行质量评判,生成工艺参数到最佳分类的推理规则集,从而实现了对工艺参数—射流形态—涂层性能之间关联关系的研究.基于规则库监督多模型自适应控制系统结构,提出了一种等离子射流发生子系统的智能化控制策略.  相似文献   
159.
介绍了在LSI方案机顶盒E-Bus总线上实现USB接口的设计,包括硬件设计、驱动程序设计及应用开发等.  相似文献   
160.
The simulation and analysis of S-shaped waveguide bend are presented.Bend radius larger than 30 mm assures less than 0.5 dB radiation loss for a 4-μm-wide silicon-on-insulator waveguide bend with 2-μm etch depth.Intersection angle greater than 20° provides negligible crosstalk (<-30 dB) and very low insertion loss.Any reduction in bend radius and intersection angle is at the cost of the degradation of characteristics of bent waveguide and intersecting waveguide, respectively.  相似文献   
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