稀有金属杂多化合物的脱硫脱硝性能研究

对稀有金属钨、钼的典型杂多化合物HCP(Heteropoly Compound Comprising)进行了同时脱硫脱硝性能对比研究.发现磷钼酸钠对SO2,NOx具有较高的去除效率.在此基础上,以磷钼酸钠为对象,考察了温度、吸收剂浓度、pH值、气流中氧含量等多种因素对体系性能的影响.实验结果表明:磷钼酸钠溶液对SO2,NOx的脱除率分别可达92%与55%;体系的同时脱硫脱硝效率随温度升高而有所降低,适宜温度为室温;提高吸收剂浓度、增加溶液pH值,均能显著增强体系的脱硫脱硝性能;气流中氧含量的提高,对NOx的脱除有显著的促进作用,但却在一定程度上削弱了体系的脱硫效果.对比发现:磷钼酸钠体系对SO2和NOx的脱除率均高于Fe-EDTA体系.     

用原料添加法提高钼粉粒度的探讨

叙述了在钼粉的工业化生产条件下采用原料添加法来提高最终粉末粒度，改善原料工艺性能的试验。研究表明：在钼酸铵原料中添加一定组份的钥粉，能有效地改善钼酸铵在动态焙解还原时的分散性和流动性，选择不同的添加量和添加粉粒度，可有效地把钼粉的ＦＳＳＳ粒度从２．５μｍ提高到４．２μｍ，从而可根据用粉要求，选择合适的添加工艺，来制取理想的钼粉。     

定向凝固水平连铸多晶铜的动态本构方程

以带有同步组装技术的分离式Hopkinson压杆装置作为热模拟装置，采用基于MTS（Mechanical Threshold Stress）模型建立的FCC晶体结构的动态本构方程，确定了定向凝固水平连铸多晶铜动态本构方程参数，研究了其动态冲击特性，获得高温段（685K-1085K）的理论应力-应变曲线与实验曲线相当吻合，而在低温段（低于685K）的理论曲线与实验曲线出入较大。结果也表明定向凝固水平连铸多晶铜在485K和685K之间有一温度能使其回复能达到阀值。     

锡磷青铜合金水平连铸工艺参数的优化

铸造锡磷青铜合金组织中存在显微缩松、枝晶偏析和反偏析是冷加工报废的主要原因.通过连铸工艺参数的正交实验,建立了轧制成材率与主要工艺参数之间的神经网络描述,网络模型与遗传算法结合对工艺参数的组合进行了优化,改善了铸坯的组织,提高了轧制带材成材率.     

45钢制3t锤头热处理工艺设计

分析了45钢制3t锤头用传统淬火方式进行热处理可能出现的质量问题，提出了解决这些质量问题的有效技术措施。特别介绍了“涂覆保护法”，“摇摆淬火冷却”等方法，为此类大型复杂工件的热处理工艺设计提供了一定的经验和依据。     

高碳钢钢丝在铅浴和CMC水溶液中的冷却行为

利用钢丝探头分别测量了含碳0.70%的钢丝在铅浴和CMC水溶液中的冷却过程。用冷却曲线分析法阐释了钢丝的冷却过程和相变规律。钢丝的“体积效应”和在其冷却介质中的热扩散能力共同决定了铅浴淬火过程及钢丝的相变过程。高碳钢钢丝在0.25%CMC水溶液中可完全转变为珠光体组织,但其转变温度由于其连续冷却转变特性而高于在铅浴中的转变温度。根据铅浴淬火的冷却本质和CMC水溶液的冷却特性,用于替代铅浴的淬火介质应设法加快初始阶段冷却速率。     

热型连铸过程的一维稳态传热模型

根据热型连铸技术原理，建立了热型连铸凝固过程一维稳态温度场的物理、数学模型。通过数值计算，得出了铸型出口温度、冷却距离、拉铸速度和喷水冷却强度等工艺参数对铸坯固液界面位置的影响。计算结果与试验结果吻合。     

介孔材料化学改性研究进展

综述了介孔材料化学改性目的，改性原理以及改性方法。介孔材料的化学改性包括对材料骨架的修饰以及对孔道表面的功能化，介孔材料表面自由硅醇键、双羟基硅醇踺是化学改性的基础，利用疏水性物质改性可以提高材料的水热稳定性，引入催化活性组分可以提高催化性能，利用具有特定官能团的硅烷偶连剂改性，则能够实现特殊的目的。详述了化学改性方法，包括元素取代法、共价键移植法和有机硅烷偶连法。元素取代法是对分子筛骨架结构的修饰，共价键移植法是一种不引起孔道结构破坏且非常有效的骨架修饰方法，对介孔材料表面进行有机硅烷偶连剂法修饰改性主要有两种途径：即共沉淀法和后移植法。     

Surface Pretreatments of Silicon Nitride for CVD Diamond Deposition

The efficiency of different surface pretreatments (four standard chemical etchings and four diamond powder abrasive procedures) on silicon nitride (Si₃N₄) substrates for chemical vapor deposition (CVD) of diamond has been systematically investigated. Blank Si₃N₄ samples were polished with colloidal silica (∼0.25 μm). Diamond nucleation and growth runs were conducted in a microwave plasma chemical vapor deposition apparatus for 10 min and 6 h, respectively. Superior results concerning nucleation density ( N _d∼ 10¹⁰ cm⁻² after 10 min), film uniformity, and grain size (below 2 μm after 6 h) were obtained for the mechanically microflawed samples, revealing that chemical etchings (hot and cold strong acids, molten base or CF₄ plasma) are not crucial for good CVD diamond quality on Si₃N₄.     

甲基丙烯酸缩水甘油酯的合成

在季铵盐催化作用下 ,甲基丙烯酸与环氧氯丙烷反应生成甲基丙烯酸缩水甘油酯。实验结果表明 ,二步法可获得较高的产率