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71.
讨论了热屏蔽用(SiC-AIN)/Mo功能梯度材料的粉末冶金加工。利用钼作为基体材料,以承担结构强度和连接可能性。根据在1000K温差内的完全热传递,研究了组分配置的设计,并且以最佳的组分配置成功地加工出了(SiC-AIN)/Mo功能梯度材料的烧结坯料。 相似文献
72.
73.
新一代银行大型机网络接入技术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
银行大型机网络接入技术的转型是当前一个非常重要的研究与应用课题。文章在成功实现银行大型机网络接入技术转型的基础上,分析了相关新技术,解决了转型中的关键问题,提出并实现了一种稳定高效的银行大型机网络接入技术方案,对银行大型机网络接入技术的转型具有指导意义,对银行信息化技术研究具有重要参考价值。 相似文献
74.
中国的主要水问题及水文学的机遇 总被引:13,自引:3,他引:10
芮孝芳 《水利水电科技进展》1999,19(3):18-21
从水资源开发利用与保护、水旱灾害防治等方面论述中国当前存在的主要水问题:水危机和水浪费同时存在、水污染日趋严重、防洪减灾任重道远、生态环境破坏严重、全球气候变暖产生不利影响;进而论述水文学研究面临的新课题:水文现象的不确定性、人类活动对水文的影响、水位频率计算、水资源开发利用的最佳效应、水资源供需分析、农业节水灌溉机理及水旱灾害的防治,并指出必须加强对这些新课题的研究 相似文献
75.
针对吊箱围堰施工中,混凝土与钢板间的粘结力无详实数据的现象,介绍了确定数据的实验模型、实验步骤,并分析了实验结果,以方便施工,指导施工。 相似文献
76.
77.
采用了TSMC0.35μm CMOS工艺实现了可用于SONET/SDH2.5Gb/s和3.125Gb/s速率级光纤通信系统的限幅放大器。通过在芯片测试其最小输入动态范围可达8mVp—p,单端输出摆幅为400mVp-p,功耗250mW,含信号丢失检测功能,可以满足商用化光纤通信系统的使用标准。 相似文献
78.
79.
Rui Morimoto Chisato Yokomori Akiko Kikkawa Akira Izumi Hideki Matsumura 《Thin solid films》2003,430(1-2):230-235
In this paper, bulk-Si metal–oxide–semiconductor field effect transistors (MOSFETs) are fabricated using the catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) method as an alternative technology to the conventional high-temperature thermal chemical vapor deposition. Particularly, formation of low-resistivity phosphorus (P)-doped poly-Si films is attempted by using Cat-CVD-deposited amorphous silicon (a-Si) films and successive rapid thermal annealing (RTA) of them. Even after RTA processes, neither peeling nor bubbling are observed, since hydrogen contents in Cat-CVD a-Si films can be as low as 1.1%. Both the crystallization and low resistivity of 0.004 Ω·cm are realized by RTA at 1000 °C for only 5 s. It is also revealed that Cat-CVD SiNx films prepared at 250 °C show excellent oxidation resistance, when the thickness of films is larger than approximately 10 nm for wet O2 oxidation at 1100 °C. It is found that the thickness required to stop oxygen penetration is equivalent to that for thermal CVD SiNx prepared at 750 °C. Finally, complementary MOSFETs (CMOSs) of single-crystalline Si were fabricated by using Cat-CVD poly-Si for gate electrodes and SiNx films for masks of local oxidation of silicon (LOCOS). At 3.3 V operation, less than 1.0 pA μm−1 of OFF leakage current and ON/OFF ratio of 107–108 are realized, i.e. the devices can operate similarly to conventional thermal CVD process. 相似文献
80.
发光体MAl2O4:Eu2+,RE3+的长余辉形成机理 总被引:7,自引:0,他引:7
提出了Eu^2 激活的MAl2O4:Eu^2 ,RE^3 (M=Ca,Sr,Ba;RE=Dy,Nd,Ho,Er,Pr,Tb等稀土元素)系列铝酸盐发光体的长余辉发光机理。认为O^2-空位Vo是一种电子俘获陷际,是形成余辉的根本原因,RE^3 的引入使陷阱深度适宜而使余辉时间延长。缺陷在晶格中成簇分布,Vo和碱土金属离子空位VM在高温下可相互缔合。利用电子陷阱模型解释了实验中的一些普遍现象并提出了固相反应法合成此类发光体的工艺改进措施。 相似文献