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141.
The charge storage characteristics of P-channel Ge/Si hetero-nanocrystal based MOSFET memory has been investigated and a logical array has been constructed using this memory cell. In the case of the thickness of tunneling oxide T_ox=2nm and the dimensions of Si- and Ge-nanocrystal D_Si=D_Ge=5nm, the retention time of this device can reach ten years(~1×10~8s) while the programming and erasing time achieve the orders of microsecond and millisecond at the control gate voltage |V_g|=3V with respect to N-wells, respectively. Therefore, this novel device, as an excellent nonvolatile memory operating at room temperature, is desired to obtain application in future VLSI. 相似文献
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143.
不锈钢上激光熔敷涂层结构特征与质量研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用5kW连续CO2激光器对经等离子喷涂的NiCoCrAlY结合层和ZrO2陶瓷层进行二次重熔处理,并利用金相显微镜、扫描电镜、电子探针和显微硬度计对激光熔敷涂层进行了显微结构、元素分布以及显微硬度观察与测试,结果表明:多道搭接工艺能降低熔敷涂层气孔率,ZrO2陶瓷层稀释度低,与基体结合完好,并观察到NiCoCrAlY合金层中存在明显的对流图案,加入了TiO2-Al-Ti添加剂的ZrO2陶瓷层激光重熔后得到了无裂纹的定向生长柱状晶,并且呈现一次枝晶平均间距为2.3μm的表层和平均间距为3.8μm的次表层结构。 相似文献
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148.
高温合金表面激光熔敷热障涂层组织结构与氧化性能 总被引:7,自引:0,他引:7
采用 5KW连续CO2 激光器对Ni基高温合金上二次重熔NiCoCrAlY和ZrO2 陶瓷层进行了研究。结果表明 :激光快速熔化和凝固获得定向外延生长、紧密堆积的柱状晶氧化锆陶瓷层。NiCoCrAlY结合层与柱状晶之间存在氧化铝层 ,保证了柱状晶与NiCoCrAlY层的联结。扫描电镜和电子探针联合分析发现 ,氧化锆层与NiCoCrAlY结合层、结合层与基体间均为冶金结合。采用化学改性氧化锆消除了涂层裂纹。高温氧化性能测试得出激光重熔试样氧化动力学近似地遵守抛物线速率方程。在 12 0 0℃ ,空气下激光熔敷TBCs 抗氧化性明显高于等离子喷涂TBCs。 相似文献
149.
应用磷灰石裂变径迹研究大民屯凹陷的古地温 总被引:4,自引:0,他引:4
为深刻认识辽河盆地古地温特征,利用裂变径迹分析方法,对大民屯凹陷钻井岩心中19块磷灰石样品的裂变径迹年龄和长度做了测试。结果表明,随井深增加,径迹年龄和平均径迹长度有减少、变短的显著趋势,ES3^4地层磷灰石裂变径迹表观年龄比地层年龄年轻得多,说明沉积后曾长时间处于退火带中,退火带古地温为74~130℃,有效加热时间为4l~45Ma,2300~4000m深度地层处于退火过渡带。将径迹长度分布特征与地史、热史模拟结果相结合,认为该区在ES4段末经历一次短时间迅速增温后,ES3^1亚段存在一个区域抬升降温的热事件过程,其后地层稳定下降,沉降幅度小、沉积物较薄,温度增加缓慢,古地温梯度高于今地温梯度,对生、排烃较为有利。 相似文献
150.