A high-current and high-temperature 6H-SiC thyristor

A 6H-SiC thyristor has been fabricated and characterized. A forward breakover voltage close to 100 V and a pulse switched current density of 5200 A/cm² have been demonstrated. The thyristor is shown to operate under pulse gate triggering for turn-on and turn-off, with a rise time of 43 ns and a fall time of less than 100 ns. The forward breakover voltage is found to decrease by only 4% when the operating temperature is increased from room temperature to 300°C. It is found that anode ohmic contact resistance dominates the device forward drop at high current densities     

陕甘宁盆地中部奥陶系风化壳储层特征

陕甘宁盆地中部奥陶系风化壳碳酸盐岩储集层属于古岩溶型,主要储集空间是溶蚀孔洞。本文根据古岩溶成因及发育特征,利用毛细管压力曲线、铸体薄片、阴极发光及物性分析资料,综合研究了碳酸盐岩储层参数及其分布特征,探讨了孔、洞、缝组合关系并划分出4种储层类型,判别了储层的有效性,为天然气勘探及储量计算提供了地质基础资料。     

Ge/Pd/n-GaAs低阻欧姆接触的SIMS分析

采用Ge／Pd／GaAs结构和快速热退火在n－GaAs上形成了低阻欧姆接触。利用H次离子质谱（SIMS）技术揭示和讨论了低欧姆接触形成的机理。比较了采用X 和CsX 信号检测的Ge，Pd，Ga和As的深度分布。结果表明采用CSX 可以提供更准确的结果和成分信息。     

深过冷熔体激发快速定向凝固

阐述了深过冷的方法，深过冷的遗传性，深过冷度的理论极限以及深过冷熔体激发发快速定向凝固的试验方法及其凝固过程，给出了深过冷熔体（Ｃｕ－５ｗｔ％）激发快速定向凝固与铸态试验激发快速定向凝固的初步试验结果。     

排列互比法用于超精测角的研究

作者分析了我互比法现行的两种数据处理方法的缺点，提出了应用最小二乘法原理推导出合理的数据处理方法。本文还首次从理论上阐明了排列互比法测量结果中出现一次谐波系统误差的原因，提出了减少和消除这一些系统误差的方法，并给实验验证。     

化学结构式的拓扑描述

化学结构式的拓扑描述,是化学信息计算机化的手段之一。这里系统地建立了一整套的连接表(三类:紧缩连接表、冗余连接表、和连接方阵),用来进行结构式中原子之间连接关系的拓扑描述,对分子结构进行数值化。同时,阐述了连接表唯一化的方法,并介绍了不同类型连接表之间的转换关系和还原为平面结构式图形的绘图程序。     

Deformation analysis of skew ruled surface shells by moiré interference

The use of thin film grids coated on surfaces is described in relation to the determination of deformations in doubly curved shells. The technique is called the coating film moiré interference method and employs a laser holographic approach.     

PTA酸化沉淀池的腐蚀及其研究

阐述了ＰＴＡ酸化沉淀池的腐蚀状况、防腐材料的选材试验及防腐措施的研究及其使用效果；分析了Ｍ树脂玻璃钢的应用技术；提出了ＰＴＡ酸化沉淀池采用复合玻璃钢的防腐措施。     

水闸闸室化算梯形横截面上不平衡剪力的分配计算

当地弹性地基梁法计算非岩石地基的水闸底板应力时，首先要求解出不平衡剪力，当闸墩截面选择梯形时（主要是边墩），常用方法是作图法，这既有误差又繁琐。所以就此推导出一个公式，可直接求解平衡剪力。     

半绝缘砷化镓中碳含量对热稳定性的影响

本文报导了LEC法半绝缘砷化镓单晶中含碳量对SI-GaAs热稳定性的影响。在800℃以上退火,发现当晶体中C含量大于1.5×10~(16)cm~(-3)时,SI-GaAs的热稳定性变差;而C含量小于5×10~(15)cm~(-3)时,通常表现出良好的热稳定性。