知识定义的意图网络自治

通信网络的复杂性决定了意图网络自治是无法一蹴而就的,关键在于以全局视角,打通多个网络管控问题域,将网络规律、机理、策略凝练为知识,构建全场景资源调配的知识空间,最终实现意图网络的泛在智能化。围绕6G意图网络,将知识定义智能作为关键使能技术,以提高意图网络的感知和决策闭环能力,构建自学习、自运维的意图网络。实现完全的6G网络自治是一个长期目标,需要分步实现,从提供重复执行操作的替代方案,到执行网络环境和网络设备状态的感知和监控,根据多种因素和策略做出决策,以及有效感知最终用户体验,直到最后网络能够感知运营商和用户的意图,自我优化和演进。     

基于脊线跟踪的指纹图细节提取算法

自动指纹识别和认证作为生物特征识别这一新兴领域的主流技术,有着重要的研究意义和广泛的应用前景。大多数自动指纹识别系统（AFIS）是基于细节特征点（minutiae)的匹配,因此细节特征点的提取是指纹图象处理中的关键环节。本文提出了一种基于脊线跟踪的指纹细节提取算法,能够直接从灰度指纹图象中有效地抽取出细节点及其相关信息。实表明,由于该算法减少了很多不必要的计算量,相对于传统的方法具有明显的速度优势,而且保持了较高的准确率。     

关于VDMOSFET二次击穿现象的分析和研究

在PDP驱动电路中的高压功率器件大量采用了VDMOS器件,由二次击穿引起的器件损坏不容忽视。本文讨论了双极晶体管和功率晶体管VDMOS二次击穿的现象,着重分析了功率晶体管VDMOS二次击穿的原因,并提出了改善其二次击穿现象的最佳设计参数及最优准则：基于寄生晶体管基区结深和浓度优化的方法。同时用器件仿真软件MEDICI模拟了各参数对功率晶体管VDNMOS二次击穿的影响。给出了仿真结果。     

高效率E类射频功率放大器

研究了E类RF放大器的电路结构、工作原理、存在问题以及解决的方法--差分和交叉耦合反馈结构,最后给出了E类放大器的实例.由于具有低成本、高集成度、多功用等优点,MOS工艺在射频功率放大方面有很大的发展潜力.在本文中,用0.6 u m CMOS工艺实现了E类放大器的设计.     

基于Linux的嵌入式系统在异步大屏幕显示控制卡中的设计与应用

传统的异步LED大屏幕显示技术以简单的8bit或16bit单片微控制器为核心,其运算速度,内存容量,存储空间和通讯方式等方面存在着很大的局限性,很难实现高难度图文动态特技显示和灰度显示等在信息容量和处理速度上要求很高的显示技术。本课题拟采用先进的嵌入式计算机系统来解决单片微控制器存在的上述瓶颈。     

基于OFDM的POF通信PAPR抑制算法仿真与分析

OFDM技术能有效解决塑料光纤（POF）信道中频率选择性衰落及码间干扰等问题。这里在POF通信中引入OFDM技术,建立OOFDM通信模型,分析了高峰均比（PAPR）对POF系统的影响。提出采用脉冲整形技术改变原始数据相位和幅度的分布来抑制PAPR,通过仿真分析了不同基带调制方式对PAPR抑制性能影响,并与几种常见PAPR抑制方法进行比较,最后对模型的整体性能进行仿真。仿真结果表明该技术计算复杂度较小,效率比其他方法高很多,结合QPSK信号调制,降低峰均比效果明显,能有效降低BER值,提高信号质量。     

真空电子器件用Ga基堵漏钎料的研究

研制成功三种无氧铜真空电子器件堵漏钎料。应用扫描电镜、能谱分析仪、微观硬度仪,研究了三种钎料形成的扩散接头界面连接情况,进行了不同扩散温度下的对比试验。结果表明：三种钎料都能与无氧铜形成良好的相互扩散效果;在三种钎料中,Ga-15In钎料与无氧铜形成的相互扩散效果最好;在不同扩散温度下进行试验,Ga-15In钎料在650℃达到与无氧铜形成的相互扩散效果最佳。     

氨化Ga2O3/Mg薄膜制备簇状GaN纳米线

通过在1050°C时氨化Ga2O3/Mg薄膜制备出簇状GaN纳米线。用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收光谱(FTIR)扫描电子显微镜(SEM)和高分辨电子显微镜(HRTEM)对样品进行测试分析。结果表明,GaN纳米线为六万纤锌矿结构单晶相并且成族生长,直径在200～500nm米左右,其长度可达5～10μm。几乎所有纳米线的直径均有逐渐缩小的趋势。对Mg膜的作用进行了初步的分析。     

中波碲镉汞/钝化层界面电学特性研究

HgCdTe 表面/界面特性对器件性能具有重要的影响,表面/界面的状态主要依赖于表面处理和钝化工艺。采用 Br2/CH3OH 腐蚀液对液相外延（LPE）生长的中波 HgCdTe 薄膜进行表面处理后,使用CdTe/ZnS 复合钝化技术进行表面钝化,制备了相应的 MIS 器件并进行器件 C-V 测试。结果表明,HgCdTe/钝化层界面固定电荷极性为正,面密度为2.1×1011 cm－2,最低快界面态密度为1.43×1011 cm－2·eV－1,在10 V 栅压极值下慢界面态密度为4.75×1011 cm－2,较低的快界面态密度体现出了 CdTe/ZnS 复合钝化技术的优越性。     

二维实值离散Gabor变换与DCT在图像编码中性能的比较

介绍了二维实值离散Gabor变换(RDGT)的快速算法,并着重探讨了二维实值离散Gabor变换与二维离散余弦变换在图像编码中的性能及差异.