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172.
容错技术广泛应用于各个行业来保证系统的冗余和可靠性。文章在分析比较当前的双机容错系统的性能优缺点后,提出了一种全新的基于“层”模式的双机容错系统解决方案。按照这种模式,可以从链路层到应用层构建一个通用的系统级的双机容错系统。文章对其实现的关键技术进行了阐述。 相似文献
173.
文章针对使用USB存储设备造成的内部泄密问题,提出了一种USB存储设备访问控制方案,该方案对用户的身份认证基于安全强度很高的椭圆曲线数字签名算法,同时使用过滤器驱动程序实现了USB存储设备的读写控制,因而此方案具有较好的安全性、实用性和通用性。 相似文献
174.
为了提高现代网络信息传输的安全性,利用无理数小数点后数字的无穷性、无规律性、分布均匀性,提出一种全新的加密算法,并用它所产生的密钥流进行数字签名,实现身份验证不可抵赖、信息传输无篡改,确保信息传输的完整性、真实性,达到提高加密效率、相互认证的效果。 相似文献
175.
176.
177.
B.‐J. Fang Y.‐J. Shan H.‐Q. Xu H.‐S. Luo Z.‐W. Yin 《Advanced functional materials》2004,14(2):169-173
Pb[(Zn1/3Nb2/3)0.91Ti0.09]O3 (PZNT91/9) single crystals were grown by two methods: from solution using PbO as a self‐fluxing agent (SC method) and directly from the melt without fluxing (MC method). In both growth methods, an allomeric Pb[(Mg1/3‐Nb2/3)0.69Ti0.31]O3 (PMNT69/31) single crystal was used as a seed. X‐ray diffraction patterns of ground crystals showed that phase‐pure perovskite PZNT91/9 single crystals were successfully fabricated by the above two methods. The composition of the crystals obtained by both the SC and MC methods was analyzed using X‐ray fluorescence, which confirmed that the crystal composition is close to the nominal value, although volatilization of PbO and segregation during crystal growth are inevitable. The MC PZNT91/9 crystals exhibit excellent piezoelectric properties, with the piezoelectric constant, d33, in the range of 1800–2200 pC N–1. This value is comparable to that of the SC crystals. However, the MC crystals show an abnormal dielectric behavior. In contrast with the SC crystals, in the MC crystals a much broader dielectric peak appears in the dielectric response curves, accompanied by a much lower peak temperature of around 105 °C. Furthermore, frequency dispersion is apparent over a much wider temperature range (even more apparent than in pure relaxors), where a large, i.e., about 70 °C, full width at half maximum (FWHM) for the dielectric peaks is observed in the dielectric response. It is speculated that such an unusual phenomenon correlates with defects, microinhomogeneities, and polar regions in the as‐grown MC crystals. The origins of this abnormality have not been interpreted in detail until now. However, optical observation of the domain structure confirms that both the SC and MC crystals possess complex structural states. 相似文献
178.
A new excimer laser annealing (ELA) process that uses a floating amorphous-Silicon (a-Si) thin film with a multichannel structure is proposed for high-performance poly-Si thin-film transistors (TFTs). The proposed ELA method produces two-dimensional (2-D) grain growth, which can result in a high-quality grain structure. The dual-gate structure was employed to eliminate the grain boundaries perpendicular to the current flow in the channel. A multichannel structure was adapted in order to arrange the grain boundary to be parallel to the current flow. The proposed poly-Si TFT exhibits high-performance electrical characteristics, which are a high mobility of 504 cm/sup 2//Vsec and a low subthreshold slope of 0.337 V/dec. 相似文献
179.
基于多线程技术的监控系统的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
详细介绍在32位操作系统Windows95/98下,用C Builder3.0开发基于多线程技术的监控系统的有关方法。 相似文献
180.
主要对各国3G许可证与使用技术标准的抽绑政策.各国对2G/3G网络漫游的管制规定。以及3G网络之间共享的种类及实施方式等方面做了详尽的讲解,并进行比较和分析。 相似文献