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71.
以现代城市设计理论为指导,阐述深盐路建筑改造设计的原则,方案构思及项目实施成果。  相似文献   
72.
姚婧  曹冲振  高雪官  马培荪 《核技术》2005,28(9):649-653
介绍了双晶单色器出射光与入射光T型固定出口机构的工作原理,分析了双晶之间位置关系及尺寸确定所需遵循的原则,并根据这些原则提出一种基于T型固定出口机构的双晶单色器晶体间位置关系及尺寸的确定方法。该方法不仅能够满足双晶单色器的固定出口的工作要求,而且还优化了双晶的长度尺寸、消除了第二晶体微调的位置误差。最后举例论证了该方法的有效性。  相似文献   
73.
显微组织对ZIRLO锆合金耐腐蚀性的影响   总被引:6,自引:2,他引:6  
将ZIRLO锆合金样品分别进行1000℃-0.5h/560℃-10h、1000℃-0.5h/冷轧/560℃-10h和750℃-0.5h、750℃-0.5h/560℃-10h、750℃-0.5h/冷轧/560℃-10h的不同处理。用透射电镜观察了它们的显微组织,将它们放入高压釜中,研究了在350℃,16.8MP,0.04M LiOH水溶液中的耐腐蚀性能,结果表明,在本文所有的变形及热处理条件下中,750℃-0.5/冷轧/560℃-10h处理后样品的耐腐蚀性能最好,其原因在于样品经过这样处理后,基体αZr中固溶的Nb含量较低,并获得了纳米尺寸分布的βNb(含Fe)第二相粒子,后者对改善耐腐蚀性能尤为重要。样品在最终560℃加热处理之前的冷轧变形,可以促进βZr分解时的形核,是获得纳米尺寸βNb的必要措施。  相似文献   
74.
化学结构作为化学家最普遍使用的语言,在化学知识的记录,传播和交流中起着十分重要的作用。随着计算机的普及,广大化学工作者都希望能用计算机来帮助处理化学结构,本文介绍了目前面向计算机的化学描述方法中用得最多的几种存储方式和文件格式,它们是:邻接矩阵,邻接表,邻接多表和MOL格式,SMD格式,简要评述了这些存储方式和文件格式的特点,局限性的应用。  相似文献   
75.
二级倒立摆摆起控制的研究   总被引:6,自引:0,他引:6       下载免费PDF全文
么健石  侯祥林  徐心和 《控制与决策》2004,19(10):1183-1186
通过对二级倒立摆系统的理论分析,研究二级摆从自然悬垂位置摆到倒立点位置的摆起控制问题,提出了基于动态设计变量优化算法的复杂非线性系统控制策略.仿真实验证明,该策略可成功地实现圆轨和直轨两种二级倒立摆的摆起控制,并且算法具有较快的收敛速度和较高的计算精度.  相似文献   
76.
有关行为主义人工智能研究综述   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
通过与传统人工智能的比较,介绍了基于行为的智能模拟技术的发展及现状,并详细评述了行为主义人工智能的研究方向以及在研究过程中涉及到的前沿技术,最后给出了基于行为主义人工智能构建智能主体系统的设计原则。  相似文献   
77.
首钢板坯连铸机改造工程设计及投产   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了首钢第二炼钢厂双流大板坯连铸机高效化改造工程项目的设计及投产情况。重点介绍了连铸机改造机型的确定、为提高生产能力和产品质量而采取的主要技术措施、工艺设备改造主要内容、改造前后铸机主要技术参数对比以及工程项目施工投产情况等。  相似文献   
78.
以识别主砂体为主线的陆相盆地产铀远景评价体系   总被引:4,自引:1,他引:4  
本文通过对前人所做的盆地产铀远景评价的判据进行评述,引入以识别主砂体为主线的陆相盆地产铀远景评价体系。该体系以识别有利主砂体为主线,进行主砂体的成因分析,进而确定主砂体形成的沉积体系,并通过探讨在不同类型盆地的不同演化阶段沉积体系的发育特征,确定不同类型盆地主砂体发育最为有利的时期(即预期找矿目的层),构成一个盆地产铀远景评价体系。此外,还讨论了主砂体沉积之后的构造运动对砂岩铀成矿的影响。  相似文献   
79.
将B^ 和O^ 离子分别注人到高分子化合物聚碳酸酯(PC)中,PC的表面显微硬度和耐磨性能均得到了较大提高。用纳米硬度计测量注人前后PC的显微硬度,硬度提高了7~25倍。用球盘式磨损实验机测量注人前后PC的耐磨性能,磨痕的宽度比未注人的窄,最窄的磨痕(或最窄处)为未注人磨痕宽度的1/3~1/2。傅里叶变换红外光谱(FTIR)测试表明,注人前后高分子的结构发生了变化。  相似文献   
80.
在磷酸溶液中,采用二次铝阳极氧化法得到了多孔铝阳极氧化膜(AAO).以AAO为模板,选用直流电沉积方法在孔内组装CdS半导体纳米线,溶去模板后,获得粗细均一、直径约为100nm、长度约为1.5μm的纳米线,与AAO模板的孔径一致.该方法在制备过程中,无需对AAO模板进行去除阻挡层、喷金或预镀金属等处理过程,而是直接在纳米孔内电沉积CdS,形成CdS半导体纳米线阵列.该方法工艺简单,操作方便,容易获得半导体CdS的一维纳米材料.TEM和XRD测试结果表明,CdS纳米线为六方晶型结构.对CdS纳米线的生长机理还进行了初步的分析和探讨.  相似文献   
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