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为了研究互联电力系统在级联事件下的频率和电压长期动态特性及其控制,提出了一种网络结构保留的多区域互联系统长期动态仿真模型和算法。与动态潮流计算相似,模型假定系统已渡过初始的暂态稳定阶段且有足够阻尼,从而忽略同一控制区域的机组间相对摇摆,即假定每个控制区域具有统一的频率动态,即区域内惯量中心动态,以便仿真几分钟及更长时间的长期动态。IEEE 30节点3区域系统的仿真结果表明了文中建议的仿真模型的可行性和计算方法的有效性;与详细机电暂态仿真软件仿真结果的比较表明,“区域统一频率动态”假定引起的系统长期动态仿真误差在工程上可以接受。从而为进一步开展级联事件下的频率和电压长期动态的稳定控制和协调提供了仿真工具。 相似文献
162.
163.
本文基于物理光学球面波展开法,提出一种计算抛物面天线支杆对其方向图影响的简化方法,文中导出了计入支杆散射的天线辐射方向图的解析表达式,并给出了支杆对其方向图旁瓣电平影响的计算实例,数值结果表明,本文所提出的新方法不仅计算结果精度高,而且所需计算机容量小,运算速度快,可应用于天线工程设计。 相似文献
164.
水利作为基础产业,一个基本要求就是要自我维持,自我发展,这就要求人们树立强烈的紧迫感、危机感和赶超意识,按照社会主义市场经济要求,建立水利良性发展机制,调整水利产业结构,大力兴办经济实体,发展壮大水利经济实力,形成水利为社会,社会办水利的新格局。 相似文献
165.
166.
167.
为了研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响,使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错,和导致30°部分位错运动的弯结结构,以及位错芯重构缺陷(RD)与弯结组合而生成的弯结-RD结构.通过分子动力学模拟,使用Parrnello-Rahmman方法施加剪应力促使位错运动,得到了左右弯结-RD结构在迁移过程中的8种稳定构型,并且使用NEB方法和紧束缚势计算了纯弯结和弯结-RD迁移过程中势垒高度,发现弯结-RD的迁移能力要高于纯弯结结构.从模拟结果推断出,低温层生长技术中的Si低温缓冲层由于低温限制了重构缺陷的运动,减少其相遇发生湮灭的概率,从而使得更多的弯结能够与重构缺陷结合生成弯结-RD结构来提高30°部分位错的运动能力,由此释放异质结结构失配应力所需的位错密度会随之减小. 相似文献
168.
为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光实验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶片表面测试仪、AFM进行了表征.结果表明:与进口抛光液Nalco2350相比,SIMIT8030-Ⅰ型抛光液不仅提高抛光速率40%(14μm/h vs 10μm/h);而且表面平坦性TTV和TIR得到改善;表面粗糙度由0.4728nm降至0.2874nm,即提高抛光速率同时显著改善了抛光表面平坦性和粗糙度. 相似文献
169.
170.
In keeping with the advance of more compact and more power-saving electronic equipment, the demand is increasing for smaller and more efficient switching power supply. Therefore, it is necessary to provide the adequate magnetic power ferrite materials to satisfy the demand. Such ferrite materials have to meet the following main requirement: 1) high initial permeability (μ i ); 2) high saturation magnetic induction (Bs); 3) high Curie temperature (Tc); 4) high electrical resistivity (ρ ); 5)… 相似文献