熔体过热度对Zr基非晶合金力学性能和热稳定性能的影响

采用吸铸法制备Zr70Cu13.5Ni8.5Al8非晶合金,采用同步差示扫描量热仪(DSC)和万能试验机对非晶合金显微结构进行表征和力学性能测试,并利用XRD和SEM对试样的相组成和的剪切带观察。研究发现：随着吸铸功率增加,热稳定性、玻璃形成能力不断提高;Zr70Cu13.5Ni8.5Al8非晶合金的锯齿流变现象越明显,综合力学性能越好,其中吸铸功率8 kW时,试样的屈服强度、抗压强度和塑性达到最值,室温综合力学性能最好,且剪切带分布情况最好,但是继续提高吸铸功率,力学性能反而变差。     

基于人性化的地下空间安全设计研究

为了提高地下空间的安全性,借助生理学、建筑学、美学、心理学等理论,通过对现有地下空间的开发和运用情况进行综合分析,围绕目前存在地下空间设计过程中的安全问题,提出了人的安全性不仅包括生理安全、物理安全还包括心理安全,基于此安全性要求通过对人行为特征的研究,从行动方式,步行流线,路径确认,换乘行为4个方面展开研究,最终提出了如何设计和改进地下空间安全性的设计方法,以期消除了人们对地下空间的消极态度,提高我国地下空间的合理开发和设计水平.     

硝酸铀酰光化还原的研究

本文的目的是探讨光化还原制备硝酸钠(Ⅳ)。研制了一个与硝酸钠酰的吸收光谱匹配较好的金属卤化物灯——镓灯作为激发光源,在不另加滤光器的条件下,对几种还原剂的还原能力作了比较,并对乙醇作还原剂时,硝酸浓度、乙醇浓度、初始铀酰离子浓度以及温度等因素对光化还原铀(Ⅵ)到铀(Ⅳ)的还原率的影响进行了研究。     

新型高性能无溶剂双马来酰亚胺/氰酸酯浸渍树脂的研究

研发了一种新型高性能无溶剂双马来酰亚胺/氰酸酯浸渍树脂(HBC60),探讨了该树脂配方对树脂的成型工艺性、耐热性、力学性能和介电性能的影响.研究结果表明,HBC60树脂的成型工艺性取决于其组成的配比,所有配方都具有优良的工艺性,即低粘度、长工作期和良好的反应性;树脂固化物具有优异的介电性能、突出的耐热性(玻璃化转变温度约为300℃)和良好的力学性能.     

DTS中基于用户自定义的自动装置模拟

在调度员培训仿真器（DTS）中传统的自动装置仿真方法是对不同类型的装置分别建模，其缺点是适应性差、扩展性不强。针对这些问题，对自动装置的动作原理进行分析，建立了1个基于用户自定义的自动装置仿真模型。该模型将自动装置抽象为启动元件、信息综合分析单元及联动元件三部分，实现对不同自动装置的统一处理。其信息综合分析单元采用带自定义符号元素和语法规则的逻辑表达式实现，用特定的表达式解析器进行解析，完成对启动信号的综合分析与判断。在天津DTS的实际应用表明，该模型具有较好的通用性、灵活性和可扩展性。     

进口无烟煤机组磨煤机更换T型衬瓦研究

阳城国际发电有限责任公司350MW进口无烟煤机组因燃用煤质与设计煤质偏差较大,表现出制粉系统出力不足,经过一系列的研究和对比论证,选用对燃烧系统和控制系统影响较小的磨煤机提效改造并果断实施,取得了明显的效果。     

基于瞬态动力分析的装配式板桥铰缝损伤识别

根据铰缝在装配式板桥传递荷载的作用,通过数值计算方法模拟了装配式板桥在铰缝损伤后的瞬态动力学响应,比较分析了不同损伤程度、不同动荷载加载位置下各板跨中加速度幅值,提出利用多次冲击实验下各板加速度幅值比之差值作为铰缝损伤的评定依据的识别方法,并分析了这种方法的可行性.     

稳定化处理工艺参数对预应力钢绞线性能的影响

通过对预应力（ＰＣ）钢绞线稳定化处理及随后的破断、应力松驰试验，分析了处理前后强度、塑性、松驰率指标的变化趋势，得出了工艺温度、张应力对性能指标的影响规律，进而提出稳定化处理的最佳工艺参数。     

Structural scheme and theory behind feedback compensation of new parallel machine tools

0　ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＡｎｅｗｔｙｐｅｏｆｐａｒａｌｌｅｌｍａｃｈｉｎｅｔｏｏｌｉｓｔｈｅｃｒｅａｔｉｖｅａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｏｆｔｈｅｓｐａｔｉａｌｍｕｌｔｉ ｌｏｏｐｍｅｃｈａｎｉｓｍｉｎｔｈｅｉｎ ｄｕｓｔｒｙｏｆｍａｃｈｉｎｅｔｏｏｌｓ .Ｉｔｓｐｒｏｔｏｔｙｐｅｉｓａ 6 6Ｓｔｅｗａｒｔｐｌａｔｆｏｒｍｍｅｃｈａｎｉｓｍ .Ｔｈｅｔｒａｄｉｔｉｏｎａｌｍａｃｈｉｎｅｔｏｏｌｓ ,ｄｕｅｔｏｔｈｅｉｒｓｅｒｉａｌｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ,ｅｘｈｉｂｉｔｌｏｗｓｔｉｆｆｎｅｓｓａｎｄｐｏｏｒｍａ …     

正电子湮没研究Al、Nb共掺CaCu3Ti4O12陶瓷高介电常数机理

关于CaCu₃Ti₄O₁₂陶瓷的高介电常数机理,目前广泛接受的是非本征的内阻挡层电容模型。该模型认为在多晶中元素变价、缺陷和非化学计量比等导致的半导化晶粒被绝缘晶界层,即内阻挡层所包围。其中内阻挡层的厚度对材料的介电性能影响较大,而扫描电子显微镜（SEM）测试表明样品晶界呈稀烂的果酱状,SEM难以测量晶界区域绝缘内阻挡层厚度。本文采用正电子湮没技术表征其厚度,通过对CaCu₃Ti₄O₁₂陶瓷共掺不同浓度的Al、Nb（CaCu₃Ti_4-xAl_0.5xNb_0.5xO₁₂,x=0.2%、0.5%、5.0%）改变其晶粒和晶界的微观结构,研究CaCu₃Ti₄O₁₂陶瓷高介电常数机理。正电子湮没结果显示,掺杂样品符合多普勒展宽谱S参数的变化趋势与平均寿命的变化趋势一致。x=0.5%掺杂样品的介电常数最高,其平均寿命、S参数和湮没长寿命成分均最小,阻挡层最薄。实验结果验证了描述CaCu₃Ti₄O₁₂陶瓷高介电常数机理的内阻挡层电容模型的预测。