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71.
长周期光纤光栅对外界折射率的敏感性 总被引:6,自引:0,他引:6
研究了长周期光纤光栅对外界折射率的敏感特性,包括耦合波长和耦合系数随外界折射率变化的情况。运用耦合模理论,通过理论分析计算和实验测试,给出了在外界折射率小于、接近和大于光栅包层折射率等不同情况下,耦合波长和耦合系数随外界折射率变化的规律。 相似文献
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高功率850 nm宽光谱大光腔超辐射发光二极管 总被引:4,自引:0,他引:4
超辐射发光二极管(SLD)具有不同于半导体激光器和普通发光二极管的优异性能。为提高半导体超辐射发光管的光谱宽度,采用非均匀阱宽多量子阱(MQW)材料拓宽超辐射器件的输出光谱。优化设计器件的波导结构,利用大光腔结构设计出高功率、低发散角850 nm超辐射发光二极管。采用直波导吸收区而后在器件的出光腔面上镀制抗反射膜的方法制作超辐射发光二极管。器件在140 mA时器件半峰全宽(FWHM)可以达到26 nm,室温下连续输出功率达到7 mW。器件的垂直发散角为28°,水平发散角为10°。由于器件具有比较小的发散角,与光纤耦合时具有比较高的耦合效率,单模保偏光纤耦合输出功率达到1.5 mW。 相似文献
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A bimodal effect of transconductance was observed in narrow channel PDSOI sub-micron H-gate PMOSFETs,which was accompanied with the degeneration of device performance.This paper presents a study of the transconductance bimodal effect based on the manufacturing process and electrical properties of those devices.It is shown that this effect is caused by a diffusion of donor impurities from the NC region of body contact to the PC poly gate at the neck of the H-gate,which would change the work function differences of the polysilicon gate and substrate.This means that the threshold voltage of the device is different in the width direction,which means that there are parasitic transistors paralleled with the main transistor at the neck of the H-gate.The subsequent devices were fabricated with layout optimization,and it is demonstrated that the bimodal transconductance can be eliminated by mask modification with NC implantation more than 0.2 m away from a poly gate. 相似文献
78.
该文提出了一种基于检测信息可靠度的部分软干扰消除迭代多用户检测算法。如果由从信道译码器所获得的发送字符的先验信息大于某一预定阈值,则认为对其检测具有较高的可靠度,因而可以考虑将其对应的多址干扰成分从匹配滤波器输出向量中直接消除,相当于减小了干扰用户的数目,从而可以减小迭代多用户检测算法的复杂度。该算法的计算复杂度能够随着多址干扰的减小和信道信噪比的增大而降低。 相似文献
79.
Alexander A. Zakhidov Dong‐Seok Suh Alexander A. Kuznetsov Joseph N. Barisci Edgar Muñoz Alan B. Dalton Steve Collins Von H. Ebron Mei Zhang John P. Ferraris Anvar A. Zakhidov Ray H. Baughman 《Advanced functional materials》2009,19(14):2266-2272
Injecting high electronic charge densities can profoundly change the optical, electrical, and magnetic properties of materials. Such charge injection in bulk materials has traditionally involved either dopant intercalation or the maintained use of a contacting electrolyte. Tunable electrochemical charge injection and charge retention, in which neither volumetric intercalation of ions nor maintained electrolyte contact is needed, are demonstrated for carbon nanotube sheets in the absence of an applied field. The tunability of electrical conductivity and electron field emission in the subsequent material is presented. Application of this material to supercapacitors may extend their charge‐storage times because they can retain charge after the removal of the electrolyte. 相似文献
80.
局部线性嵌入(LLE)和邻域保留嵌入(NPE)等流形学习方法可以提取高光谱数据的主要结构特征,有助于对数据的理解和进一步处理。但是,这些方法忽视了高光谱图像中相邻像素之间的相关性。针对这个问题,提出一种基于空间一致性思想的邻域保留嵌入(SC-NPE)特征提取算法,通过一个优化的局部线性嵌入,并考虑相邻像素的相关特性,在高维空间建立数据的局部邻域结构。然后寻找一个优化的变换矩阵,将局部邻域结构投影到低维空间,实现数据的特征提取。与LLE和NPE算法相比,SC-NPE既考虑高光谱数据的流形结构,又考虑了其图像域空间信息,可以更好地应用在高光谱数据的特征提取过程中。实验结果表明,SC-NPE特征提取算法在高光谱图像分类方面的性能明显优于其他同类算法。 相似文献